第二章《晶体三极管》练习

第二章《晶体三极管》练习

一、题空题.晶体三极管的穿透电流【CEO随温度的升高而增大，由于铭•三极管的穿透电流比硅三极管，所以热稳定性三极管较好.硅晶体三极管的饱和压降约为V错晶体三极管的饱和压降约为Vo.NPN型晶体三极管的发射区是型半导体，集电区是型半导体，基区是型半导体.一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而o.某三极管三个电极的电位分别为V产2V、V77V、V3=-

2.5V可判定该三极管“1”脚为极，“2”脚为极，“3”脚为极，且属于材料型的.晶体三极管的电流放大作用，是通过改变电流来控制电流的，其实质是以电流控制电流.晶体三极管具有电流放大作用的内部条件是第一，使区的多数载流子浓度高；第二，使区的面积大；第三，使区尽可能的薄.当晶体三极管的Vee一定时，基极与发射极间的电压Vz与基极电流儿之间的关系曲线称为；当基极电流lb一定时，集电极与发射极间的电压Vee与集电极电流Ie的关系曲线称为.3DG16是材料三极管；3AD7是材料三极管10晶体三极管放大的外部条件是因此，NPN型三极管的三个极的电位需满足才能放大.三极管的输出特性曲线可分成三个区域，即区、区和区当三极管工作在区时，，关系式k二夕小才成立；当三极管工作在区时•，Ie«0；当三极管工作在区时，Uce~

0..若晶体三极管发射极电流为Ie=

10.2mA该管的电流放大系数£=50则其基极电流IB=O.某晶体三极管的管压降Vce保持不变，基极电流Ib=30〃A时，Ic=L2mA则发射极电流Ie=，如果基极电流Ib增大到50〃人时・，Ie增大到2mA则三极管的电流放大系数P=O.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件.晶体管的穿透电流【CEO是集一基反向饱和电流IcBO的倍，在选用管子时，一般希望选用【CEO尽量的管子.晶体三极管Ib、Ic、Ie之间的关系是;上的比值叫做1B

2.三极管的特性是具有（）作用.对于PNP型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足（）A.VcVbVeB.VcVbVeC.VcVrVbD.VbVcVe.对于NPN型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足（）A.VcVbVeB.VcVbVeC.VcVeVbD.VbVcVe.晶体管的发射结正偏，集电结正偏时，则晶体三极管所处的状态是（）A.放大状态B.饱和状态C.截止状态.当晶体三极管两个PN结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（）A.增大B.反向C.中断.晶体三极管工作在饱和状态时，它的k将（）A.随【b增加而增加B.随Ib增加而减小C.与Ib无关，只决定于Re和Vg

9.用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是Vb=

4.7VVc=

4.3VVe=4V则该晶体三极管的工作状态是（）A.饱和状态B.截止状态C.放大状态.

2.NPN型硅管在饱和状态中的特点是（）A.Ic=/3IbB.Vce=0VC.Vbe0D.Ic=

0.有三只晶体三极管，除B和Icbo不同外，其它参数一样，用作放大器件时，应选用（）管为好A.B=40Icb=

0.5微安B.8:100忆8=

2.5微安C.B=10Tcbo=

0.5微安D.B=50ICbo=

2.5微安

三、分析计算题.已知晶体管的£=39Icbo=54A当ip等于15//A时，ic等于多大？.已知晶体管的夕=80当iB=20〃A时，ic=2mA求它的Icbo.用直流电压表测某电路中三只晶体管的三个电极对地的电压，其数值如图所示试指出每只晶体管的E、B、C三个极，并说明该管是什么类型，什么材料的三极管.如图所示晶体三极管中，

（1）标出3个引脚的名称e、b、c；

（2）标出另一脚的电流方向及大小；

（3）该管是NPN管还是PNP管.下图所示的电路中，测出三极管各电极的对地电位，试差别各三极管处于何种工作状态（其中NPN管为硅管，PNP管为错管）

3.已知某三极管的极限参数VBr）ceo=20VICM=500mAPCM=625mW试问在Vce=10VIc=20mA的情况下能否正常工作？。