《紧束缚模型》课件

《紧束缚模型》课件PPT探索固体电子学的基础紧束缚模型基本原理晶格结构价电子轨道电子跃迁机制算符Hamiltonian紧束缚模型方程如何求解基态陈述及坐标变换Ψ=cn,i|n,i$\after EisH$Ψ=E|Ψ表象转换相关数学原理时间演进算子线性代数与群论与金属导体电子结构的关系禁带与导电性1半满禁带结构引起金属导体的高电导率固体结构与电荷密度波2高维晶格结构导致电子间的相互作用拓扑绝缘体3平带与耗散态的割裂导致绝缘体宽带结构的拓扑相变研究历史亨利比洛斯及原始论文极限、缺陷、以及工程难题基于紧束缚模型的材料预测与设·计应用半导体器件物理属性计算材料科学拓扑量子计算123研究材料物性预测、材料发现基于拓扑态的量子比特设针对异质结、结、和新型材料设计的计算方计与操控PN和太阳能电池等法MESFET特定结构的紧束缚模型结论紧束缚模型是固体电子学中的基础概念，对材料制备、器件物理、拓扑物态、甚至量子计算等都有着重要的理论指导作用。