IC芯片命名规则

IC芯片命名规则MAXIM专有产品型号命名MAX XXX（X）XXX

1234561.前缀MAXIM公司产品代号

2.产品字母后缀.三字母后缀C=温度范围；P二封装类型；E=管脚数四字母后缀B二指标等级或附带功能；C二温度范围；P二封装类型；1=管脚数

3.指标等级或附带功能A表示5%的输出精度，E表示防静电

4.温度范围C=0℃至70℃（商业级）I=-20℃至+85℃（工业级）E=-40℃至+85℃（扩展工业级）A=-40℃至+85℃（航空级）M二-55至+125℃（军品级）Q PLCC

5.封装形式:A SS0P（缩小外型封装）B CERQUADs小外型封装R窄体陶瓷双列直插封装C T0-220,TQFP（薄型四方扁平封装）D陶瓷铜顶封装U TSSOP,□MAX,ST T05,TO-99,T0-100E四分之一大的小外型封装W宽体小外型封装0T（300miF陶瓷扁平封装H模块封装，SBGAX SC-70

（31）J CERDIP（陶瓷双列直插）Y窄体铜脚，5脚，6脚）K T0-3塑料接脚栅格阵列Z TO-92MQUAD顶封装/D裸片L LCC（无引线芯片承载封装）/PRM MQFP（公制四方扁平封装）...N窄体塑封双列直插增强型塑封/W晶圆..P塑料

6.管脚数量.....A:88S:4,

80.6,速度5555n,6060ns,7070ns,8080ns9090ns,100/10100n120/12120ns,150/15150ns200/20200ns,250/25250ns

7.封装F陶瓷双列直插（窗口）L无引线芯片载体（窗口）B塑料双列直插C塑料有引线芯片载体（标准）M塑料微型封装N薄型微型封装K塑料有引线芯片载体（低电压）

8.温度10℃70℃,6-40℃~85℃,3-40℃~125℃M XX X AB C XXX X X

123456789101.电源V

3.3V+

0.3V

2.类型...F5V+10%,33M,88M,1616M

3.容量.11M,.22M,

4.擦除0大容量1顶部启动逻辑块2启动逻辑块4扇区1仅X8,2仅X

165.结构0X8/X16可选择,

6.改型.空白AX+5%Vcc

7.Vcc空白5V+10%Vcc

8.速度8080ns,9090ns6060ns,7070ns,150150ns,200200ns

9.封装M塑料微型封装N薄型微型封装，双列直插C/K塑料有引线芯片载体B/P塑料双列直插

10.温度10℃70℃,6-40℃~85℃,3一40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X XXX XXX X X仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号

12345671.器件系列29快闪

2.类型F5V单电源..V

3.3单电源

3.容量100T128KX

8.64KX16顶部块，100B128KX

8.64KX16底部块200T256KX

8.64KX16顶部块,200B256KX

8.64KX16底部块400B400T512KX

8.64KX16顶部块,040512KX

8.64KX16底部块08012KX8扇区，1MX8扇区0162MX8扇区

4.Vcc空白5V+10%Vcc,.

5.速度6060ns,7070ns,8080ns9090ns,120120ns

6.封装M塑料微型封装N薄型微型封装K塑料有引线芯片载体.P塑料双列直插

7.温度10℃~70℃,6一40℃~85℃,3一40℃~125℃串行EEPR0M的编号

3.容量XX XX X011K022K,

1.器件系列低电压，93微导线2412C,2512C28EEPROM95SPI总线

2.类型/工艺E扩展I C总线C CMOSEEPROM CS写保护微导线.W写保护士V低电压EEPROMP SPI总线044K,088K1616K,3232K,6464K

4.改型空白A、B、C、D

5.封装B8腿塑料双列直插M8腿塑料微型封装ML14腿塑料微型封装

6.温度3一40℃~125℃10℃70℃6-40℃~85℃微控制器编号ST XX X XX X X

1234561.前缀

2.系列62普通ST6系列63专用视频ST6系列72ST7系列90普通ST9系列92专用ST9系列10ST10位系列20ST2032位系列

3.版本空白ROM TOTP PROMRROMless P盖板上有引线孔E EPROMF快闪

4.序列号

5.封装B塑料双列直插..D陶瓷双列真插F熔封双列直插M塑料微型封装S陶瓷微型封装CJ塑料有引线芯片载体L陶瓷有引线芯片载体K无引线芯片载体R陶瓷什阵列T薄型四面引线扁平封装

6.温度范围:

1.50℃70℃（民用）2-40℃125℃（汽车工业）〜61-40℃”85℃（工E-55℃125℃业）XICOR产品型号命名X XXXXX（-XX）125EEPOT XXXX1串行快闪XX X XXX-X348前缀器件型号封装形式:D陶瓷双列直插塑料双列直插E无引线芯片载体R陶瓷微型封装F扁平封装S微型封装J塑料有引线芯片载体T薄型微型封装K针振列V薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X模块M公£微型封装Y新型卡式4温度范围空白标准，B B级MIL-STD-883,.E-20℃至85℃I-40℃至85℃,M-55℃至125℃5B B级（MIL-STD-883）.工艺等级空白标准，6存取时2间02仅00限NSE,EP2R5OM25和0NNSO,V空RA白M300ns,35350ns,45450ns.5555ns,7070ns,9090ns,15150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）空白

4.5V至

5.5V,-33V至

5.5V-

2.

72.7V至

5.5V,-

1.

81.8V至

5.5V7端到末端电阻Z1KQ,Y2KQ,W10KQ,.Vcc限制空白L8V至

3.6V,U50KQ,T100KQ8-

54.5V至

5..5VZILOG产品型号命名

23456.z xxxxx

171.前缀

2.器件型号

3.速度空白

2.5MHz,HA

4.0MHz,B

6.0MHz

8.0MHz,

4.封装形式L低功耗的，直接用数字标示A极小型四面引线扁平封装D陶瓷双列直插C陶瓷钎焊F塑料四面引线扁平封装E陶瓷，带窗口H缩小型微型封装G陶瓷针阵列K陶瓷双列直插，带窗口I PCB芯片载体P塑料双列直插S微型封装L陶瓷无引线芯片载体

5.温度范围Q陶瓷四列XX X XX XXXXV塑料有引线芯片载体E-40℃至100℃,M-55℃至125℃,S0℃至70℃

6.环境试验过程A应力密封，B军品级，C塑料标准，D应力塑料，E密封标准C:12,192M:7,4AD常用产品型号命名8U:60D:14N:1单块和混合集成电路8V:8（圆形）XX XX XX XXE:160:4X.2W:10（圆形）12345F:22,256P:

21.前缀0X:36AD模拟器件Q:2,10G:

242.器件型号0Y:8（圆形）

3.一般说明R:3,8H:44A第二代产品，4DI介质隔离，Z:10（圆形）Z工作于±12V1:

284.温度范围/性能（按参数性能提高排列）I、J、K、L、M0℃至70℃A、B、C-25℃或-40c至85cS、T、U-55℃至125℃D陶瓷或金属密封双列直插R微型“SQ”封装E陶瓷无引线芯片载体RS缩小的微型封装F陶瓷扁平封装S塑料四面引线扁平封装G陶瓷针阵列ST薄型四面引线扁平封装H密封金属管帽T T0-92型封装

5.封装形式:J J形引线陶瓷封装U薄型微型封装M陶瓷金属盖板双列直插W非密封的陶瓷/玻璃双列直N料有引线芯片载体Y单列直插Q陶瓷熔封双列直插Z陶瓷有引线芯片载体P塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXXBI E.X/

883123461.器件分类ADC A/D转换器0P运算放大器PKDAMP设备放大器峰值监测器BUF缓冲器P1M PMI二次电源产CMP比较器REF电压比较器DAC D/A转换器RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510SMP取样/保持放大器LIU串行数据列接口单元SW模拟开关MAT配对晶体管SSM声频产品MUX多路调制器TMP温度传感器

2.器件型号

3.老化选择

4.电性等级

5.封装形式S微型封装..H6腿T0-78T28腿陶瓷双列直插J8腿TO-99TC20引出端无引线芯片载体K10腿T0-100V20腿陶瓷双列直插P环氧树脂B双列直插X18腿陶瓷双列直插PC塑料有引线芯片载体Y14腿陶瓷双列直插Q16腿陶瓷双列直插Z8腿陶瓷双列直插R20腿陶瓷双列直插

6.军品工RC艺20引出端无引线芯片载体ALTERA产品型号命名XXX XXX XX XXX

1.23456L前缀EP典型器件EPC组成的EPROM器件EPF FLEX10K或FLFX6000系列、FLFX8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX快闪逻辑器件

2.器件型号

3.封装形式D陶瓷双列直插P塑料双列直插R功率四面引线扁平封装S塑料微型封装T薄型J形引线芯片载体J陶瓷J形引线芯片载体W陶瓷四面引线扁平封装L塑料J形引线芯片载体B球阵列塑料四面引线扁平封

4.温度范围C℃至70℃,I-40℃至85℃,M-55℃至125℃

5.腿数

6.速度ATMEL产品型号命名AT XXXXXXXX

1.前缀ATMEL公司产品代号

2.器件型号

3.速度

4.封装形式P塑料双列直插A TQFP封装Q塑料四面引线扁平封装B陶瓷钎焊双列直插R微型封装集成电路C陶瓷熔封S微型封装集成电路D陶瓷双列直插T薄型微型封装集成电路F扁平封装U针阵列G陶瓷双列直插，一次可编程V自动焊接封装J塑料J形引线芯片载体W芯片K陶瓷J形引线芯片载体Y陶瓷熔封L无引线芯片载体Z陶瓷多芯片模块M陶瓷模块

5.温度范围C0℃至70℃,I-40℃至85℃,M-55℃至125℃

6.工艺空白标准Mil-Std-883,完全符合B级/883B Mil-Std-883,不符合B级BB产品型号命名XXX XXXX,DAC87X XXXX/883B

4781.前缀ADC A/D转换器MPY乘法器ADS有采样/保持的A/D转换器OPA运算放大器DAC D/A转换器PCM音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV除法器PGA可编程控增益放大器INA仪用放大器SHC采样/保持电路ISO隔离放大器SDM系统数据模块MFC多功能转换器VFC V/F、F/V变换器MPC多路转换器XTR信号调理器

2.器件型号

3.一般说明A改进参数性能

8.输出Z+12V电源工作L锁定

4.温度范围HT宽温度范围H、J、K、LA、B、C0℃至70℃R、S、T、V、W-25℃至85℃

5.封装形式-55℃至125℃L陶瓷芯片载体M密封金属管帽H密封陶瓷双列直插N塑料芯片载体G普通陶瓷双列直插P塑封双列直插

6.筛选Q高可靠性QM高可靠性，军用等级

7.输入COB互补余码补偿二进制输入编码CBI互补二进制输入CSB互补直接二进制输入CTC互补的两余码V电压输出I电流输出U微型封装CYPRESS产品型号命名XXX7CXXXXXXXX12A塑料V J形引线的微型封装前缀CY Cypress公司产品，CYM模块,器34561件型号7C128CMOS SRAM7C2457C404FIFO VICVME总线.7C9101PROM2速度微处理器.3薄型四面引线扁平封.装.B塑料针阵列U带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D陶瓷双列直插带窗口的陶瓷双列直插F扁平封装X芯片..G针阵列Y陶瓷无引线芯片载体H带窗口的密封无引线芯片载体J塑料有引线芯片载体K陶瓷熔封HD密封双列直插L无引线芯片载体料扁平单列直插..P塑料...直插HV密封垂直双列直插Q带窗口的无引线芯片载体交叉排列式双列直插PF塑..R带窗口的针阵列.自动压焊卷S微型封装IC T带窗口的陶瓷熔封平封装PS塑料单列

5.温度范围C民用（0℃至70℃）PZ塑料引线I工业用（-40℃至85℃）M军谩（-55℃至125℃）E

6.工艺B高可靠性HITACHI常用产品型号命名封装N塑料四面引线扁

34.XX XXXXXXX

121.前缀HB存储器模块HA模拟电路HD数字电HL光电器件（激光二极管/LED）路.HR光电器件（光纤）HM存储器（RAM）HN存PF RF功率放大器储器（NVM）HG专用集成电路

2.器件型号...

3.改进类型...4,封装形式PG针阵列P塑料双列S缩小的塑料双列直插C陶瓷双列直插CG玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体CP塑料有引线芯片载体G陶瓷熔封双列直插FP塑料扁平封装SO微型INTERSIL产品型号命名XXX XXXX1混合驱动

561.前缀D器混合多路FET,ICL线性电路ICM钟表电路IH混合/模拟门IM存储器AD模拟器件DG模拟开关DGM单片模拟开关ICH混合电路MM高压开关NE/SE SIC产品

2.器件型号

3.电性能选择

4.温度范围C0℃至70℃I-40℃至125℃,M-55℃至125℃A-55℃至125℃,B-20℃至85℃,

5.封装形式:A T0-237型L无引线陶瓷芯片载体B微型塑料扁平封装P塑料双列直插C T0-220型S T0-52型D陶瓷双列直插T T0-

5、TO-

78、TO-

99、TO-100型E.T0-8微型封装..U T0-

72、TO-

18、T0-71型F陶瓷扁平封装V T0-39型H TO-66型Z T0-92型I16脚密封双列直插/W大圆片芯片J陶瓷双列直插/D2引线金属管帽K T0-3型Q

6.管脚数A8,B10,C12,H42,I28,J32,K35,L40,M48,N18,P20,Q2,R3,S4,T6,U7,V8（引线间距

0.2〃〃，绝缘外壳）W10（引线间距

0.23”,绝缘外壳）Y8（引线间距

0.2”,4脚接外壳）Z10（引线间距

0.23”〃，5脚接外壳）.NEC常用产品型号命名B双极数字电路，□P X XXXX XD单极型数字电路

1231.前缀

2.产品类型A混合元件J塑封类似T0-92型C双极模拟电路M芯片载体

3.器件型号V立式的双列直插封装L塑料芯片载体

4.封装形式A金属壳类似T0-5型封装B陶瓷扁平封装C塑封双列D陶瓷双列G塑封扁平K陶瓷芯片载体MICROCHIP产品型号命名H塑封单列直插E陶瓷背的双列直插PIC XXXXX XXXX-XXX/XX

1234561.前缀PIC MICROCHIP公司产品代号

2.器件型号类型C CMOS电路CR CMOSROMLC小功率CMOS电路LCS小功率保护AA

1.8V LCR小功率CMOS ROMLV低电压F..快闪可编程存储器HC高速CMOS FRFLEX ROM

3.改进类型或选择

4.速度标示-5555ns,-7070ns,-9090ns,-10100ns,-12120nsT5150ns-17170ns,-20200ns,-25250ns,-30300ns...晶体标75LP小功率晶体，RC电阻电容，XT标季/振荡器HS高速晶体...频率标示-202MHZ,-044MHZ,-1010MHZ,-1616MHZ-20-2525MHZ,-3333MHZ20MHZ,

5.温度范围I-45℃至85℃,E-40℃至125℃空白0℃至70℃,

6.封装形式JW陶瓷熔封双列直插，有窗口L PLCC封装PQ塑料四面引线扁平封装P塑料双列直插SL14腿微型封装W大圆片SM8腿微型封装-207milJN陶瓷熔封双列直插，无窗口VS超微型封装8mm X

13.4mmSN8腿微型封装-150mil ST薄型缩小的微型封装-

4.4mmSO微型封装-300mil CL68腿陶瓷四面引线，带窗口SP横向缩小型塑料双列直插PT薄型四面引线扁平封装SS缩小型微型封装TQ薄型四面引线扁平封装TS薄型微型封装8mm义20mmST产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXXXXXX

123451.产品系列74AC/ACT先进CMOSHCF4XXX M74HC高速CMOS

2.序列号

3.速度陶瓷双列直插

4.封装BIR,BEY.塑料微型封装M,MIR普通存贮器件X XXXXXXXXXXXX

56712341.系列ETL21静态RAMET21静态RAMMK41快静态RAMETC27EPROMMK48静态RAMMK45双极端口FIFOS28EEPROMTS27EPROMTS29EEPROMC-CMOS L…小功率

2.技术空白…NMOS

3.序列号C陶瓷双列J陶瓷双列N塑料双列Q UV窗口陶瓷熔封双列直插

5.速度

6.温度E-25℃70℃空白0℃70℃〜M-55℃〜V-40℃85℃〜

7.质量等级空白标准B/B MIL-STD-883B B级

5.温度存储器编号U.V EPROM和一次可编程OTPM XXXXXXXXXXXXX

12346678.

1.系列27-EPROM87-EPR0M锁存

2.类型空白…NMOS,C-CMOS,V・••小功率

3.容量..64…64K位X8256…256K位X8512…512K位X81001…1M位X8101…1M位X8低电压1024…1M位X82001・・・2M位X8201…2M位X8低电压4001…4M位X8401…4M位X8低电压4002…4M位X16801…4M位X8161…16M位X8/16可选择160…16M位X8/

164.改进等级

5.电压范围空白5V+10%Vcc,X5V+10%Vcc。