TCASAS 025-2023 8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸

ICS

29.045T/CASAS025—2023CCS H80/84英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸88-inch siliconcarbide waferreference markingand dimensions版本VO

1.002023-06-19发布2023-06-19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布目次前言Ill引言IV1范围12规范性引用文件13术语和定义148英寸碳化硅基准标记说明15规定15」切口相关参数151碳化硅标记3参考文献4本文件按照GB/T L1—2020《标准化工作导则第1部分标准化文件的结构和起草规则》的规定起草请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归CASAS所有，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许；任何单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号本文件主要起草单位山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、广东天域半导体股份有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟本文件主要起草人崔溪心、杨祥龙、陈秀芳、徐现刚、来玲玲、于国建、冯渔、丁雄杰、潘国卫、秋琪、徐瑞鹏引言碳化硅（这里指4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件近年，随着单晶和外延薄膜生长技术的不断发展，SiC单极型器件譬如肖特基二极管（SBD）及金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）已经商业化，在不同应用领域的需求急剧增加6英寸碳化硅衬底片的基准标记分为有直线定位和切口（notch）定位两种，本文件的制定将填补目前我国8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸的空白英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸81范围本文件规定了8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸本文件适用于碳化硅切割片、研磨片和抛光片注碳化硅衬底片主要用于制作电力电子器件的外延衬底2规范性引用文件本文件没有规范性引用文件3术语和定义本文件没有需要界定的术语和定义48英寸碳化硅衬底片基准标记说明8英寸碳化硅衬底片的直径、厚度参数如表1所示，直径为200mm±

0.5mm,厚度为500|im±25|im表18英寸碳化硅衬底片参数参数数值直径/mm200直径允许偏差/mm±

0.5厚度/|im500厚度允许偏差41m±255规定51切口相关参数8英寸碳化硅衬底片的切口定位参数如表2所示，切口深度为LOO^mm,切口角度为90，切口0-I取向为[lioo]±5表2切口相关参数参数数值深度/mm

1.OO；025角度/°90；参数数值取向

[1100]±5°图1为8英寸碳化硅衬底片的切口位置和切口取向，图2为切口形状，图3为切口相关尺寸，其中标红是切口的轮廓，介绍了切口的详细信息图18英寸碳化硅衬底片的切口及取向，硅面朝上图3切口相关尺寸（标红为切口）图4切口实物图图5切口放大图57碳化硅标记对硅面抛光的碳化硅衬底片，衬底片碳面用与OCR兼容的字体进行激光标记，类似于SEMIM12中的定义和特征图6为激光标记位置，观察面为碳面，缺口向下，激光标记向右偏移图6激光标记位置，碳面朝上参考文献

[1]GB/T12965—2018

[2]GB/T26067—2010

[3]GB/T30656—2014硅单晶切割片和研磨片硅片切口尺寸测试方法碳化硅单晶抛光片©第三代半导体产业技术创新战略联盟（）CASA。