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二级管工作原理(结原理)学习PN前面已经写了两篇介绍放大器应用和MOSFET作驱动的文章常规放大电路和差分放大电路和MOSFET使用与H桥驱动问题但是对它们的工作原理并没有进一步研究一下,今天写下这篇文章,主要是介绍二极管的工作原理,为后面的三极管和MOSFET工作原理的理解打下基础,然后,应该能理解放大器的工作原理,最后也就也能解决上两篇文章提出的问题了P(Positive)型和N(Negative)型可根据它们的载流子(载流子说得比较学术,其实就是导体里面能流动的带电粒子,为电子或者是空穴,空穴可以看做是带正电的电子)来区分对半导体材料(普通应该是硅Si)参入不同的杂质,就可以形成P型半导体和N型半导体P型半导体里面能够流动的粒子是空穴,N型半导体里面能够流动的粒子是电子它们的结构如下图1所示,对于它们俩如何参杂以形成不同的半导体,我们可没必要再研究下去,除非你是专门搞半导体材料的P型半导体中的大红圆是负离子,由于材料的性质,它是不可挪移的,而其中的小绿圆(空穴),是可挪移的,这一点很重要,请务必记住;同理N型半导体,它里面的大绿圆(正离子)不可自由挪移,而小红圆(电子)可自由挪移P型半导N型半导体体QQQQQQQQQQQQQO.O.O.Q GeQ图1P型和N型半导体结构简单了解了P型半导体和N型半导体之后,我们常说的PN结是如何形成的呢,且看下方图2动图当P型半导体和N型半导体接合在一起的时候,由于P型半导体中空穴浓度高,而N型半导体中电子浓度高,因此会形成一个扩散运动,P型半导体中空穴会向它浓度低的地方扩散,从而扩散到N型区,N型半导体的电子也会向它浓度低的地方扩散,从而扩散到P型区这样一来,P型区剩下不能自由挪移的负离子,而N型区剩下不能自由挪移的正离子,一正一负,在PN结内部形成为了一个从左往右的内电场,基本上这个内电场就体现PN结的工作特性此外有一点要说明的是,PN结只是局部带电,即P型区呈负电,而N型区呈负电,但是它们俩一中和,整体上是呈中性的图2PN结形成过程当PN结接正向电压时,即P型区接电源的正极,N型区接电源的负极这时外加电源形成的电场就会与内电场方向相反,而当外电场的强度超过内电场的时候,PN结就导通了,这时电子就可以从PN结通过如下图3动图所示,电路中,在导线上流动的是负电子,下图中为了方便起方,用的空穴表示,不会影响分析过程在外部电场彻底抵消内部电场之后,空穴就可以畅通无阻地通过PN结了QQQQO8QO・QQO・Q内电场电流方向eQ9图3PN结接正向电压工作过程当PN结接反向电压时,P型区的空穴会被电子抵消掉,而N型区电子会流动到电源的正极,这样一来,会有助于内电场强度增强,更不利于电子通过PN结内电场不停地增强,会超过外部电源形成的电场强度,超过之后,电子就不能够通过PN结了在外部看来,就是反向电阻无穷大了QQQQO・QQO8QO・Q内电场电流方向PN结的工作原理比较简单,但是为了做几个动图,花了不少时间以前的图都是用VISIO画的因为好久没用PPT了,就用PPT画了文中所有的图,发现PPT作图也很方便,而且漂亮,做动画的功能也非常强大知识能力有限,如果图中有什么错误,还请各位同学批评指正,如果有更好的见解,也请大牛们不吝赐教。
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