模拟电子技术模拟习题

模拟电子技术模拟习题

一、单选题（共题，每题分，共分）

801801、理想集成运放的开环放大倍数AuO为（）oA、8；B、0；C、不定正确答案A

2、PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来（）A、对B、错正确答案A

3、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损（错）A、对B、错正确答案B

4、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、饱和失真B、频率失真C、交越失真D、截止失真正确答案B

5、共发射极放大电路的反馈元件是（）A、电阻REB、电阻RCC、电阻RB正确答案A

6、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（）A、虚断B、虚地；C、虚短；正确答案C

7、P型半导体中多数载流子是oA、自由电子正确答案A

58、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的（）A、带负载能力强；B、减轻前级或信号源负荷C、带负载能力差；正确答案A

59、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（）oA、虚地；B、虚断C、虚短；正确答案C

60、基本放大电路通常都存在零点漂移现象（）A、错误B、正确；正确答案B

61、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真A、交越B、频率C、截止D、饱和正确答案C

62、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）oA、放大电路的电压增益；B、不失真问题；C、管子的工作效率正确答案B

63、低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共射放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、共漏放大电路正确答案A

64、测得NPN三极管各电极对地电压分别为VE=

2.IV,VB=

2.8V,VC=

4.4V,则该管必工作在（）oA、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案A

65、分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）oA、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损正确答案B

66、具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是（）A、射极输出器B、共射放大电路C、共基放大电路D、共集电放大电路正确答案B

67、晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用（）A、对B、错正确答案B

68、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真（）A、错误B、正确；正确答案A

69、集成运放工作在非线性应用电路时，（）的概念不再适用A、虚断B、虚短C、虚地D、基准正确答案B

70、三极管超过（）所示极限参数时,必定被损坏A、集电极最大允许电流ICMB、集一射极间反向击穿电压U（BR）CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案C

71、分压式偏置的共射放大电路，若VB点电位偏低，电路易出现（）A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案A

72、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈（）A、对:B、错正确答案A

73、晶体三极管的输出特性曲线上可分为（）A、恒流区、放大区和截止区三个分区B、放大区、饱和区和截止区三个分区C、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区D、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区正确答案B

74、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电A、错误B、正确；正确答案A

75、绝缘栅型场效应管的输入电流（）A、为零B、无法判断C、较小D、较大正确答案A

76、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为（）失真A、饱和B、频率C、截止D、交越正确答案A

77、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的（）A、带负载能力差B、减轻前级或信号源负荷C、带负载能力强正确答案C

78、集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是（）两个重要概念A、虚短和虚断B、虚断和虚地C、虚短和虚地D、线性和非线性正确答案A

79、基极电流iB的数值较大时•，易引起静态工作点Q接近（）A、饱和区B、死区C、截止区正确答案A

80、集成运放使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益（）A、对B、错正确答案B

二、判断题（共题，每题分，共分）

201201、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿损坏（）A、正确B、错误正确答案B

2、虚短”就是两点并不真正短接,但具有相等的电位（）A、正确B、错误正确答案A

3、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真（）A、正确B、错误正确答案B

4、放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式（）A、正确B、错误正确答案B

5、集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系（）A、正确B、错误正确答案B

6、二极管有热击穿和电击穿，电击穿是可逆的（）A、正确B、错误正确答案A

7、模拟电子技术经历了电子管阶段、晶体管阶段以及集成电路阶段A、正确B、错误正确答案A

8、“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用（）A、正确B、错误正确答案B

9、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿（）A、正确B、错误正确答案B

10、差动放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象（）A、正确B、错误正确答案A

11、集成运放只能处理交流信号（）A、正确B、错误正确答案B

12、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直（）A、正确B、错误正确答案A

13、共射组态的放大电路,如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真（）A、正确B、错误正确答案B

14、晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用（）A、正确B、错误正确答案B

15、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器（）A、正确B、错误正确答案A

16、P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的空穴在漏源极之间电场作用下形成的（）A、正确B、错误正确答案A

17、集成运放不但能处理交流信号,也能处理直流信号（）A、正确B、错误正确答案A

18、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数（）A、正确B、错误正确答案B

19、负反馈信号的存在将会削弱原有的输入信号（）A、正确B、错误正确答案A

20、雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿,不会损坏二极管A、正确B、错误正确答案BB、空穴C、PN结正确答案B

8、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A、可最大限度的减小零点漂移B、集成工艺难于制造大容量电容C、可获得很大的放大倍数D、可防止交越失真的产生正确答案B

9、在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体A、四价B、三价C、五价正确答案B

10、晶体三极管超过（）所示极限参数时,必定被损坏A、集电极最大允许电流ICM;B、集一射极间反向击穿电压U（BR）CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCM;D、管子的电流放大倍数正确答案C

11、测得晶体管三个电极的静态电流分别为

0.06mA,

3.6mA和

3.66mA,该晶体管的B等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案B

12、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=

2.IV,VB=

2.8V,VC=

4.4V,说明此三极管处在（）A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案A

13、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损（）A、错误B、正确；正确答案A

14、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、阻容耦合B、光电耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案C

15、双极型三极管的输出特性曲线上可分为（）A、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区B、恒流区、放大区和截止区三个分区C、放大区、饱和区和截止区三个分区D、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区正确答案C

16、N型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、正离子C、负离子D、空穴正确答案A

17、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）A、正反馈与负反馈；B、虚断和虚短C、线性与非线性；正确答案C

18、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）A、截止区；B、饱和区；C、死区正确答案B

19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A、可最大限度的减小零点漂移B、可获得很大的放大倍数C、可防止交越失真的产生D、集成工艺难于制造大容量电容正确答案D

20、“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用A、错误B、正确；正确答案A

21、基本放大电路中的主要放大对象是（）oA、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有正确答案B

22、放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式（）A、错B、对:正确答案A

23、稳压二极管的正常工作状态是（）A、截止状态；B、任意状态C、反向击穿状态；D、导通状态；正确答案C

24、晶体三极管的输出特性曲线上可分为（）A、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区B、恒流区、放大区和截止区三个分区C、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区D、放大区、饱和区和截止区三个分区正确答案D

25、微变等效电路不能进行静态分析,也不能用于功放电路分析（）A、正确；B、错误正确答案A

26、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=

2.IV,VB=

2.8V,VC=

4.4V,说明此三极管处在（）oA、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区正确答案A

27、共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真A、错误B、正确；正确答案A

28、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）A、不失真问题B、放大电路的电压增益C、管子的工作效率正确答案A

29、N型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的A、四价；B、六价C、五价；D、三价；正确答案C

30、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的A、六价B、三价;C、四价；D、五价;正确答案B

31、单极型半导体器件是（）A、场效应管B、二极管C、双极型三极管D、稳压管正确答案A

32、放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用A、正确；B、错误正确答案B

33、理想集成运放的两个重要结论是（）A、虚断与虚短；B、断路与短路C、虚短与虚地；正确答案A

34、基极电流iB的数值较小时，易引起静态工作点Q接近（）A、截止区;B、饱和区；C、死区D、非线性区正确答案A

35、虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位（）A、对B、错正确答案A

36、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比（）A、错B、对正确答案B

37、集成运放的非线性应用存在（）现象A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短正确答案B

38、对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是（）A ie=B ibB、ie=B icC、ic=B ib正确答案C

39、正常工作在反向击穿区的特殊二极管是（）oA、变容二极管B、发光二极管C、光电二极管D、稳压二极管正确答案D

40、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数（）A、错B、对正确答案A

41、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）A、线性与非线性；B、虚断和虚短C、正反馈与负反馈；正确答案A

42、射极输出器的电压放大倍数等于1,因此它在放大电路中作用不大（）A、错误B、正确；正确答案A

43、理想集成运放的输入电阻为（）A、8；B、不定C、0;正确答案A

44、PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低（）A、错B、对正确答案B

45、PNP型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）oA、发射结反偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案C

46、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真A、对:B、错正确答案B

47、对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是A、ie=l+*ibB、ic=B*ieC、ie=l+B*ic正确答案A

48、分压式偏置的共射放大电路，若VB点电位偏高，电路易出现oA、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案B

49、P型半导体是在本征半导体中加入微量的元素构成的A、六价B、四价C、三价D、五价正确答案C

50、对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是A、Ie=B lbB、I=BIbC、Ic=Bib正确答案C

51、如果两个信号，它们的大小相等，相位相同，则它们是信号A、模拟B、共模C、差模正确答案B

52、绝缘栅型场效应管的输入电流（）A、较小；B、为零;C、较大；D、无法判断正确答案B

53、“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用（）A、错B、对正确答案A

54、场效应管正常工作时，电路中的电流是由（）构成的A、空穴载流子B、少子C、自由电子载流子D、多子正确答案D55＞场效应管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电压源D、电压控制的电流源正确答案D

56、低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共基放大电路B、共射放大电路C、共集电放大电路D、共漏放大电路正确答案B

57、双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系A、错误B、正确；。