MOSFET损耗计算范本

损耗计算M0SFE T在开关过程中，会产生一定的损耗，主要包括以下几部分:MOS FET开通损耗开通过程中的电压、电流和功耗波形近似如下导通损耗P on=Id*Rd son*To n*f其中实际结温下的导通电阻，可以通过查阅中的相关曲线获得;Rdson:data sh eet导通时的电流有效值；Id:一个周期内的导通时间；Ton开关频率f占空比，D D=T on*fo根据电流的工作模式可以分为下面种3电流不连续0关断损耗关断过程中的电压、电流和功耗波形近似如下:津P swi tc h—off=1/2*VDS iD*t5-t3*f截止损耗Po f f=VDS*IDSSQO ff*f其中截止时的间的电压VDS D-S:截止时的实际结温下的漏电流IDSS一个周期内的截止时间toff:除了以上种损耗外，门极驱动和输出电容也会消耗一定的功耗4门极损耗Pg ate=QG*Vgs*f*RG/RG+RC!rive其中:门极充电总电荷QG内部门极寄生输入电阻RG:MOSFET:外接的门极驱动电阻R drive输出电容损耗Pcoss=1/2*C oer*V DS2*f其中:等效输出电容能量一定；Co er截止时的间的电压VDS D-S此损耗一般在开关频率较高、硬开关工作时的幅值较高，需要考虑有时候的内部反并寄生二极管会流过电流，也会产生一定的功耗，寄生二极管的功MO SFET耗计算可以参考二极管的功耗计算方法Pdiod e综上,的总损耗如下MOSFET说明P total=Pswitc h-o n+Pon+Pswitc h—of f+P off+Pgate+Pc os s+P diode,、、这个损耗在总的损耗中占的比重很小，设计时不用重点考虑；1Poff PgatePcoss3由于电路拓扑、软开关技术、负载、开关频率的不同,和在总损耗中2Pswitch-on Pswitch-of f占的比重不同.。