mos管的几种效应1

管的几种效应MOS沟道长度调制效应晶体管中,栅下沟道预夹断后、1channel lengthmodulation MOS若继续增大夹断点会略向源极方向移动导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，Vds,有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使增大，这种效应称为沟道长度调制效应Id漏极导致势垒下降当在管的漏极加电压时，漏2drain inducedbarrier loweringMOS极和衬底构成的结，漏极一侧会出现正电荷堆积，相应的，衬底一侧会感应出负电荷，pn这些负电荷有助于沟道的形成，因此导致开启电压相对减小，这种效应称为漏极导致势垒下降衬底电流体效应类似我们常说的雪崩倍增效应先讲热3substrate currentbody effect电子，所谓热电子，是指电子在两次散射间获得的能量将可能超过它在散射中失去的能量，从而使一部分电子的能量显著高于热平衡时的平均动能而成为热电子当在管的漏极加很高的电压，形成强电场的情况下，衬底中的热电子越过漏极与衬底MOS之间的势垒进入漏极，热电子与晶格碰撞，产生电子和空穴对，电子流向漏极而空穴流向衬底，形成漏极与衬底之间的电流如果不断累积，形成大电流，则称之为衬底电流体效应通常，在现代工艺的基础上，当Vds上升至

1.5〜2V时，就有可能出现这个效应这三种效应是在不断增加漏极电压的情况下逐渐变为主导效应的，通常analog习惯应用以及旧为主导效应的区域，因为在区域，输出电阻将会design CLMD LSCBE大大的减小,但实际上目前主要应用的还是的区域需要注意的是，analog designCLM在区域，输出电阻不是恒定值，而是随漏极电压的变化而变化的CLM晶体管的衬底偏置效应处于反偏的结的耗尽层将展宽在实际工作中，经常出

4.MOS PN现衬底和源极不相连的情况，此时,不等于由基本的结理论可知，处于反偏VBS Oopn的结的耗尽层将展宽当衬底与源处于反偏时，衬底中的耗尽区变厚，使得耗尽层中pn的固定电荷数增加由于栅电容两边电荷守衡，所以，在栅上电荷没有改变的情况下，耗尽层电荷的增加，必然导致沟道中可动电荷的减少，从而导致导电水平下降若要维持原有的导电水平，必须增加栅压，即增加栅上的电荷数对器件而言，衬底偏置电压的存在，将使晶体管的阈值电压的数值提高对更正，对更负，即MOS NMOS,VTN PMO0VTP阈值电压的绝对值提高了△为衬底偏置效应系数，它随衬底掺杂浓度而变化，VT=±y V|Vbs|Y；典型值晶体管晶体管为阈值电压变化量对NMOS PMOS

0.5~

0.7ZXVT PMOS晶体管，取负值，对晶体管，取正值NMOS。