电子技术及实训习题+答案

电子技术及实训习题+答案

一、单选题共题，每题分，共分

51151.正、反向电阻为零，说明二极管

1、正常；A、短路；B、需结合实际电路判断C、断开；D正确答案B单相桥式整流电路中，每个二极管导通的时间是周期

2.、A1/

2、；B

1、；C1/

3、；D1/6正确答案A.三极管可看成下列哪种电源

30、受电流控制的电流源；A、受电压控制的电压源；B、受电压控制的电流源C、受电流控制的电压源；D正确答案A单相半波整流电路中，二极管导通的时间是周期

4.、；A1/

6、；B1/

4、C1/

2、；D1/3正确答案C.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是5o、相位差度;A

180、同相位；B、A

7、；B

5、；C

1、；D3正确答案D倍的反相比例运算放大电路的输入信号是输出电压是（）

43.51V,Vo、；A

6、；B

5、C-

5、；D10正确答案C管共射极放大电路输出电压波形正半波顶部失真，电路产生的失

44.NPN真是

（一）o、输入电流产生的失真A、截止失真；B、饱和失真；C、输入电压产生的失真；D正确答案B.单相桥式整流电路中，每个二极管中的电流与输出电流的关系为4510（）—o、倍；A1/

3、倍B1/

2、倍；C1/

6、相等；D正确答案B共集电极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是（）

46.o、相位差度;A

100、不能确定B、相位差度;C

180、同相位；D正确答案D.在本征半导体是一种的半导体

47、很难提纯；A、掺入杂质；B、很稀少C、纯净；D正确答案D.三极管的反向电流是由组成的48ICB

0、多数载流子；A、少数载流子；B、多数载流子和少数载流子；C、自由电子D正确答案B型三极管的三个脚分别为、、用试验法测得三极管端对地

49.PNP123o1电压端对地电压端对地电压为则集电极为12V,

211.3V,31V,O、为端；A

2、无法判断B、为端；C

3、为端;D1正确答案C.在晶体管放大电路中，电流放大倍数值50Bo、越大越好A、在之间；B10〜

20、在之间;C20〜

100、越小越好D正确答案C.单相桥式整流电路，若电源变压器次级电压有效值则输出电51U2=100V,压平均值皿是o、；A100V、；B90V、；C45V、D120V正确答案B

二、多选题共题，每题分，共分

31131.对光电二极管描述正确的是1O、普通管；A、工作在反向偏置情况；B、发光C、又称光敏二极管；D正确答案BD.光电二极管的应用2o、光电传感器；A、光电耦合器；B、测光C、整流;D正确答案ABC.万用表有时也被称为三用表——主要测量3o、电容；A、电阻B、电压；C、电流;D正确答案BCD.三极管分类，按用途分4o、开关管；A、普通管；B、放大管C、光电三极管；D正确答案ABD.下列（—）属于场效应三极管

5、；A MOSFET、；B JFET、；C SFET、；D MOCSET正确答案AB.放大器级间耦合方式主要有（）.

6、电感耦合A、阻容耦合；B、变压器耦合；C、直接耦合；D正确答案BCD.在本征半导体中掺入适量的（）价元素，可以形成或型半导体7N PA、3；、；B

5、；C

1、D7正确答案AB单相工频半波整流电路中，二极管导通的时间是（）

8.o、120ms、；810ms；C

0.02S、；D

0.01S正确答案BD型半导体——（）

9.Po、空穴为少子；A、自由电子为少子；B、空穴为多子C、自由电子为多子；D正确答案BC以下那些属于反馈

10.

0、串联反馈；A、直流反馈；B、交流反馈；C、并联反馈；D正确答案ABCD.三极管的电流放大系数表明极电流对极电流的控制能力

113、基；A、阴B、集电；C、发射；D正确答案AC三极管的安全工作区由哪几个极限参数决定

12.o、；A PCM、；B ICM、；C UBRCEO、D IB正确答案ABC常用的电子电路仪器仪表包括

13.o、示波器；A、万用表；B、毫伏表；C、信号发生器D正确答案ABCD常用的万用表能测量的参数包括

14.

0、电压;A、直流电流；B、电阻C、交流电流；D正确答案ABC本征半导体的特性包括

15.o、光敏性；A、常温下基本不导电；B、载流子少；C、热敏性D正确答案ABCD.电源电路中，整流电路主要有哪几种16o、倍压整流电路A、单相半波整流电路；B、单相全波整流电路；C、单相桥式整流电路；D正确答案ABCD放大电路静态分析的方法包括

17.o、估算法A、小信号模型法；B、图解法；C、微变等效电路法；D正确答案AC.场效应三极管三个级分别是什么—18o、栅极；A、漏极；B、源极；C、缘极；D正确答案ABC下面哪些是三极管的参数指标？

19.、电流放大系数；A、；B ICBO、；C ICEO、集电极最大允许电流D ICM正确答案ABCD对发光二极管描述正确的是

20.o、能发光A、特殊二极管；B、工作在反向偏置情况；C、正向压降为；D

1.5~3V正确答案ABD.三极管的电流放大系数表明极电流对极电流的控制能力21B、集电A、阴；B、发射；C、基；D正确答案AD动态分析的方法包括

22.o、微变等效电路法；A、图解法；B、估算法；C、大信号等效法D正确答案AB.工作在线性区的运算放大器应置于状态

23、闭环；A、串联B、深度负反馈；C、开环;D正确答案AC直流稳压电源包括四部分

24.、整流电路；A、滤波电路；B、稳压电路C、调压电路；D正确答案ABCD函数信号发生器主要产生

25.、三角波；A、矩形波;B、锯齿波；C、正弦波D正确答案ABCD.本征半导体的特性包括26o、光敏性；A、载流子少；B、常温下基本不导电；C、热敏性D正确答案ABCD型半导体——

27.N

0、自由电子为少子；A、自由电子为多子；B、空穴为少子C、空穴为多子；D正确答案BC整流电路有哪些种类

28.、双整流A、桥式整流；B、全波整流；C、半波整流；D正确答案BCD放大电路的动态性能指标主要包括（）

29.o、放大倍数A、输出电压；B、输入电阻；C、输出电阻；D正确答案ACD.差动放大电路的基本功能是（）

30、抑制差模信号A、抑制共模信号B、放大共模信号C、放大差模信号D正确答案BD.二极管按结构工艺分类，常用的有（）

31、面接触型A、错二极管；B、稳压二极管；C、点接触型；D正确答案AD

三、判断题（共题，每题分，共分）25125凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区

1.、正确A、错误B正确答案A放大的实质是对能量的放大作用

2.、正确A、错误B正确答案B集成运放是阻容耦合的多级放大电路

3.、正确A、错误B正确答案B.三极管的饱和条件发射结正偏、集电结正偏

4、正确A、错误B正确答案A硅二极管比错二极管的热稳定性差

5.、正确A、错误B正确答案B.三极管的截止条件发射结反偏、集电结正偏

6、正确A、错误B正确答案B结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来

7.PN、正确A、错误B正确答案A.三极管的放大条件（型）8PNP VCVBVEo、正确A、错误B正确答案A.直流稳压电源包括整流电路、滤波电路、稳压电路三部分

9、正确A、相位差度;C

100、不能确定D正确答案A结加正向电压时，其正向电流是

6.PNo、多子扩散而成；A、多子漂移而成B、少子扩散而成；C、少子漂移而成；D正确答案A.决定三极管的电流放大系数关键因素是73o、环境温度；A、三极管的工艺结构；B、电路结构；C、运行条件D正确答案B共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是

8.o、不能确定A、同相；B、滞后度；C

90、反相;D正确答案D.单相半波整流电路，若电源变压器次级电压有效值则输出电压9U2=100V,平均值是U0o、；A100V、；B90V；C45V、D120V正确答案C.只要是共射放大电路，输出电压的顶部失真都是失真

10、错误B正确答案B由于型半导体中的多数载流子是自由电子，所以型半导体带负电

10.N N、正确A、错误B正确答案B绝缘体不容易导电是因为绝缘体中有很多电子

11.、正确A、错误B正确答案B.万用表有时也被称为三用表-------主要测量电压、功率、电阻

12、正确A、错误B正确答案B.三极管的放大条件发射结正偏、集电结正偏

13、正确A、错误B正确答案B.温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同

14、正确A、错误B正确答案A半导体有带负电的自由电子和带正电的空穴两种载流子

15.、正确A、错误B正确答案A.硅材料的二极管正向导通，正向电阻小，导通电压为左右

160.7V、正确A、错误B正确答案A.三极管的饱和条件发射结正偏、集电结反偏

17、正确A、错误B正确答案B.三极管分类，按用途分（普通管、开关管、光电三极管）

18、正确A、错误B正确答案A.三极管分类，按材料分（硅管、楮管）

19、正确A、错误B正确答案A示波器是一种综合性的电信号测试仪，可以用来观测信号波形的幅度、

20.频率、相位等电量、正确A、错误B正确答案A.二极管的正向电阻大，就说明其质量好

21、正确A、错误B正确答案B.二极管的正向电阻越大，反向电阻越小说明其质量越差

22、正确A、错误B正确答案A最简单的集成稳压电源只有输入、公共两个引出端，故称之为两

23.端集成稳压器、正确A、错误B正确答案B二极管正向导通时具有稳压作用

24.、正确A、错误B正确答案B.三极管的电流放大系数越大说明其质量越好25B、正确A、错误B正确答案B、饱和；A、截止;B、不完全C、放大；D正确答案A单相全波和桥式整流电路，若负载中的电流相等，组成它们的逆向

11.RL电压（）、相等；A、单相全波整流比桥式整流大两倍B、单相全波整流比桥式整流大一倍；C、桥式整流比单相全波整流大一倍；D正确答案C.三极管是（）元件

12、电流控制；A、电源控制B、电压控制；C、失控；D正确答案A.三极管的电流放大系数表明（）极电流对（）极电流的控制能力

133、基，集电；A、集电，基B、发射，基；C、基，发射；D正确答案A.模拟信号的特点是在时间上和（）上均连续

14、频率A、空间；B、数值；C、周期；D正确答案C.共模信号是极性（）的两个信号

15、相反；A、不同；B、相同；C、不确定D正确答案C工作在放大区的某三极管，基极电流从微安增大到微安时,集电

16.1020极电流从1毫安变为

1.5毫安，其电流放大系数3约为（）oA、100；、；B

10、；C

50、D25正确答案C.电路中输出电阻最小的电路是（）

17、共射极放大电路；A、共基极放大电路；B、分压偏置放大电路C、共集电极放大电路；D正确答案D.三端集成稳压器的输出电压是（）18CW7915Vo、；A

5、；B-

15、；C

15、不确定D正确答案B.在晶体管放大电路中，电流放大倍数值（）19Bo、在之间A20〜

100、越大越好；B、越小越好C、在之间；D10〜20正确答案A工作在放大区的某三极管，基极电流从微安增大到微安时,集电

20.2040极电流从毫安变为毫安，其电流放大系数约为、；

11.53o A

10、B

25、；C

100、；D50正确答案B.对放大电路进行动态分析的主要任务是21o、确定静态工作点A Q;、确定电压放大倍数、输入电阻、输出电阻；B Au、确定电流放大倍数；C、确定三极管的状态D正确答案B射极输出器的主要作用是进行

22.o、电压、电流同时放大A、电流放大；B、电压放大；C、阻抗变换；D正确答案D基本运算电路的运算精确度与集成运算放大器

23.o、待定；A、无关；B、有关；C、无法确定D正确答案C放大电路的静态工作点过高容易产生失真

24.、饱和；A、缩小B、放大；C、截止;D正确答案A共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是

25.o、相位差度；A

90、不能确定B、相位差度；C

180、同相位；D正确答案C多极直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是

26.

0、增益最高的一级A、中间极；B、输出级；C、输入级;D正确答案D管共射放大电路输出电压波形正半波顶部失真，电路产生的失真

27.NPN是—

0、输入电压产生的失真；A、截止失真；B、饱和失真；C、输入电流产生的失真D正确答案B.本征半导体在温度升高后，28o、空穴数目增多，自由电子数目基本不变；A、自由电子和空穴数目基本不变B、自由电子数目增多，空穴数目基本不变；C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；D正确答案D.三端集成稳压器的输出电压是29CW7812VoA、2；、；B

12、；C

5、不确定D正确答案B.当输入电压不变，放大电路带上负载与不带负载时相比，输出电压的30值o、减小;A、增大;B、无法确定C、不变；D正确答案A.若一稳压管的电压温度系数为正值，当温度升高时，稳定电压31将Uvo、增大；A、不确定；B、减小C、不变；D正确答案A共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是、度;

32.o A

0、不能确定B、相位相反；C、相位差度；D90正确答案C下面对于共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系描述

33.准确的是（）o、略大于倍A

1、略小于倍B

1、越大越好；C、越小越好D正确答案B型半导体中浓度比较多的那部分载流子是（）

34.Po、自由电子；A、不确定B、空穴；C、磷元素;D正确答案C结加正向电压时，其正向电流是（）

35.PN o、少子扩散而成；A、多子漂移而成B、少子漂移而成；C、多子扩散而成；D正确答案D.单相半波整流电路中，二极管中的电流与输出电流的关系为

（一）3610o、倍;A1/

6、倍；B1/

3、倍C1/

2、相等；D正确答案D.温度对三极管参数有很大的影响，温度上升，则（）37o、放大倍数增大；A B、不能确定B、放大倍数下降；C

3、不影响放大倍数；D正确答案A.温度对三极管参数有很大的影响，温度上升，则（）38o、不影响放大倍数；A、放大倍数下降；B B、放大倍数增大；C B、不能确定D正确答案C结反向偏置时，电阻（）

39.PN、很小;A、不确定B、可大可小；C、无穷大；D正确答案D.在本征半导体中掺入适量的（）价元素，可以形成型半导体40N、；A

2、；B

3、C

5、；D4正确答案C.共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系是（）41o、在倍之间A20〜

100、越大越好；B、在倍之间；C10〜

20、略小于倍D1正确答案D.在本征半导体中掺入适量的（）价元素，可以形成型半导体42P。