辐射缺陷 辐射缺陷工程

辐射缺陷辐射缺陷工程，kozlovski，vitalist.petersburgstatepolytechnicaluni，versityrussiaabrosimovaverainstituteofmieroelectronicstechnologyandhig省hp略uritymaterialsoftheras russiaradiationdefectengineering2005半导体电子学问题复杂性的持续增加，以及类似微波电子学、光电子学这样的新方253pp.hardcoverusd

64.00isrn981-256-521-3worldscientificwww.向发展说明了目前使用的掺杂工艺没有足够的潜力，而且寻求与开发新的方法是不可避免的其中一种最有希望的技术是辐射掺杂，即在各种类型辐射的作用下，对半导体的性质有目的地定向改进中性的粒子，例如中子和量子，它们在对半导体晶片和锭料的均匀掺杂中被广泛应用利用辐射掺杂，非均匀掺杂剖面只能通过应用γ辐射来获得，它能确保半导体的性质在预定深度上的有效改进从这一观点出发，最佳的方法是使用短距离的带电粒子，例如加速离子因为在中止过程中它们能量损失的特殊情况，近年来为了这个目的使用最轻的离子，即质子受到了特殊的关注过去的几十年中，许多重要工艺方法取得了长足的进步，而这些工艺方法都是在半导体与带电粒子的辐射掺杂过程中发生的这一切拓展了有关辐射缺陷的产生，它们的性质以及它们与半导体中杂质交互作用的信息，并逐步形成了利用质子束辐射的新方法现在，有关有选择半导体微观嬗变掺杂和半导体器件中辐射感生缺陷的述评论文在科学出版物中大量地出现然而至今为止，在全世界相关的文献中还没有有关半导体技术中辐射缺陷工程的述评论文在这本论文中，作者考察了质子与单晶半导体相互作用的基本原理，而且对现有已知材料的各种类型的质子改变作了详细的分析本书共有章离子激励工艺方法；借助带电粒子的半导体嬗变掺杂；利用辐射缺陷的半导体掺杂；隐埋多孔及损伤层的形成4123本书是世界科技出版社出版的《电子学和系统问题精选》丛书第卷本书的第一4作者在圣彼得堡理工大学任教，第二作者在俄罗斯俄罗斯科学院所属微电子学37与高纯度材料研究所任职本书引用的参考资料超过种对半导体电子学和固ras态辐射物理感兴趣的科学家、技术人员和学生将会从中受益400胡光华，高级软件工程师（原中国科学院物理学研究所），（，huguanghua seniorsoftwareengineer）formerinstituteofphysicsthechineseacademyofsciences。