【元器件与组件】电子元器件

【元器件与组件】电子元器件新型可复位电路保护器新推出的系列可复位电路保护器件有助于防止电机和变压器因过载、过热、零线故障和其他潜在因素导致的损坏polyswitch polyswitchlvr系列产品包括了多种额定值为和线电压等级产品，在运行电流高达这些产品阻抗低、动作时间快、体积小并具备可复位功polyswitchlvr120vac240vac能器件可复位功能和高电阻锁定特性使之成为一种可靠且经济的保20℃2a护解决方案，间歇式和连续式的电机均可使用器件还有助于减少因polyswitchlvr电流轻微增加而使温度上升所导致的设备损坏现象polyswitchlvr泰科电子（上海）有限公司电话／／021-6485-7333光隔离栅极驱动器https www.tyco-china.corn新推出的高频光隔离栅极驱动器能够在工业应用中驱动高达／mosfet的（）和（）具有（最大）的上升／下降时间，能mosfet30a1200v够迅速开启／关断以减小开关损耗具有高达的峰值输出电mosfet fod31802a fod

31810.5a200ns流，无须额外的功率放大电路便可直接驱动宽范围的主要应用包括太阳能mosfet fod31802a逆变器、、／转换器以及等mosfet和的其他可靠性功能包括的额定隔离电压可以满足大多ups dcdc pdp数安全认证标准；在电压达到使能状态时才导通的欠压闭锁功能，从而保护，fod3180fod31815000v具有故障防护绝缘的共面结构这些器件还具有较宽的工作电压（最大），而且mosfet其上拉晶体管和下拉晶体管提供的信号摆幅（～）20v和备有脚封装形式，可满足包括回流焊的指pmos nmos17v vccvee令这些无铅产品能达到或甚至超越／的标准要求，并符合现fod3180fod31818dip260℃rohs已生效的欧盟标准ipc jedecj-std-020c电话fairchildsemiconductor／／0755-8246-3088／／收发模块https www.fairchildsemi.com新推出的／／收发模块采用可提高总辐射功率（）及比吸收gsm gprsedge率（）性能的新型技术可将在天线失配情况下的输出功rf3203gsm gprsedge trp率变化降至，并可将电流变化降低％还为客户提供了全面支持新sar powerstariirf320331兴要求的线性收发模块完全符合指令，该产品将于±1db50rf3203年第二季度上市trp edgerf3196rohs2007电话rfmicrodevices／／001-336-678-8945新型－封装功率http www.rfmd.com系列功率专为空间受限的便携式电子应用而设计其中，sot723mosfet是一款、的通道，是－、的ntk313xx mosfet沟道，两款器件在高于工作电流下的低导通电阻（）以及ntk3134n20v890ma n mosfet ntk3139p20v-780ma p的低栅极电压让它们可以通过电源管理或其他控制器直接控制mosfet200ma rdson

1.5v器件适合负载或电源转换应用和小信号接口切换，内置静电放电（）保asic护，封装的占位面积比起提供相似性能而采用－或ntk313xx esd－封装的节省了％的电路板空间，拥有的低垂直间隙，这些新sot-

7231.2mm×

1.2mm sc89sc封装能满足新一代超薄手持便携式设备的需求75mosfet

440.5mmsot-723mosfet电话onsemiconductor／／021-5131-7168沟道增强模式https www.onsemi.com该三款为有限驱动电压应用设计的沟道增强模式，分别为的nmosfet（封装）、和（两者均为封装）这mosfet nmosfet20v些器件均具有条件下的低损耗开关功能，可以使用两个电池或一个锂zxmn2803e6sot236zxmn2814fh zxmn280lf sot23离子电池驱动

1.8vgs

1.2v三款新可确保条件下的导通电阻分别低于、和，使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换mosfet

1.8vgs75mΩ100mΩ器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等该产品还具200mΩ有快速开关性能，在和的情况下，上升和下降时间仅为和zxmn2801f vgs=

4.5v id=ia

3.6ns

10.5ns电话zetex／／0755-2583-3873／功率https www.zetex.com该功率是具有双面冷却功能的功率系列产品中新增添的20v40vpolarpak mosfet沟道、及器件，双面冷却构造提供的双散热通道可在具有强mosfet polarpakmosfet n迫通风冷却功能的系统中实现高电流密度，从而可缩小设计尺寸和／或减少并行20v30v40v polarpak的数目该产品具有与标准相同的占位面积，但厚度是它的／，仅为其中的与、的以及的mosfet so-812的导通电阻范围介于～主要面向电信及数据通信系统中的同步整流、负

0.8mm20v sie810df sie808df30v sie806df40v sie812df载点转换器及应用，与市场上仅次于它们的具有双面冷却功能的器件相比，

1.

42.6mΩ这四款器件的导通电阻低％，导通电阻与栅极电荷乘积的性能提高％or-ing4812vishayintertechnology／／email foil@vishay.com具有／双模兼容性的硅锗功率晶体管https www.vishay.corn是高性能的功率硅锗晶体管，可用于诸如无线终端、数字无绳电话和

2.4ghz5ghz标签读／写机等产品具体技术指标在频段rqg2003lan的功率增益，rfid5ghz条件下的增益压缩功率；在频段

6.4db的功率增益，

26.5dbm1db

2.4ghz条件下的增益压缩功率，功率增加效率为％；采用小型表面贴装

13.0db引脚封装，尺寸为０

26.5dbm1db

66.08wqfn

02022.0mm×

2.0mm×.8mm电话renesastechnology／／本文为全文原貌未安装浏览器用户请先下载安021-6472-1001装原版全文https www.cn.renesas.com pdf。