T_CPIA-《光伏电池用掺杂层薄层方块电阻的测量方法》

光伏电池用掺杂层薄层方块电阻的测量方法1范围本文件规定了四探针法测试晶体硅光伏样品掺杂层方块电阻的方法原理、要求、样品制备、测试步骤、数据处理和报告本文件适用于光伏电池掺杂层方块电阻的测试2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中，注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件GB/T14264半导体材料术语JJG508-2004四探针电阻率测试仪JJG48-2004硅单晶电阻率标准样片检定规程3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件

3.1四探针测试法four-probe method通过在被测样品（掺杂层）上施加电流和探测电压，利用四个探针来准确测量样品电阻值的测试方法4原理在硅片样品上进行掺杂后，得到P型或N型导电类型的光伏电池样品，测试原理示意图见图1在

1、4探针间加上固定电流，测量

2、3探针之间电压差，按公式

2、3探针间取出的电压值，单位为毫伏（mV）；I——

1、4探针流过的电流值，单位为毫安（mA）；D——样品直径，单位为毫米（mm）；S——平均探针间距，单位为毫米（mm）；——样品厚度，单位为厘米（cm）；川F（S/D）——样品直径修正系数；_F（W/S）——厚度修正系数，当W/SV

0.4,该值为1；%——探针间距修正系数；——温度修正系数；__R_注S与参考设备定义值，F囱/£与/fW/宁）参考J、508-2004《四探针电阻率测试仪》附录C,兄参考JJG48-2004《硅单晶电阻率标准样片检定规程》附录A5要求5）试验条件试验条件按以下要求a）温度25℃±5℃；b）相对湿度60%±20%；c）无强光、高频干扰；d）环境清洁6测试方法保持样品表面干净

（2）2勺式中w——片内方阻均匀性，百分比值；tRsqmax——片内方阻最大值，单位为欧姆/方块（/口）；Rsqmin——片内方阻最小值，单位为欧姆/方块（/口）；R——平均方阻值，单位为欧姆/方块（Q/口）su9报告报告至少应包括以下内容a）样品规格型号、编号；b）测试仪器名称和型号；c）检测结果至少包含样品的方块电阻（RJ；d）样品来源和取样过程，样品型号和规格；e）本文件编号；f）测量单位名称、地址和测量者；g）测试日期参考文献

[1]GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

[2]GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法。