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开关电源电路设计与应用欢迎参加开关电源电路设计与应用课程本课程将深入探讨现代电子系统中不可或缺的开关电源技术,从基本原理到实际应用,系统地介绍开关电源的设计方法和关键技术通过本课程,您将掌握各类开关电源拓扑结构的工作原理,学习磁性元件设计、布局布线、热设计等核心技能,最终能够独立完成开关电源的设计与调试PCB课程概述课程目标学习内容12本课程旨在培养学生掌握开关课程内容涵盖开关电源基础知电源的基本原理和设计方法,识、拓扑结构分析、控制技术、通过理论与实践相结合的教学磁性元件设计、布局布线、PCB方式,使学生能够独立分析和热设计、设计等方面,并EMC设计各种类型的开关电源电路,通过实际案例加深学生对理论为后续的电子系统设计奠定坚知识的理解和应用能力实基础考核方式3课程考核采用平时作业()、实验报告()和期末考试()30%30%40%相结合的方式,全面评估学生对开关电源设计理论和实践的掌握程度另外还将安排分组设计项目,培养团队协作能力第一章开关电源基础开关电源定义开关电源与线性电源的比较开关电源的优势开关电源是一种通过半导体开关器件高频与传统线性电源相比,开关电源通过高频开关电源具有高效率(通常)、85%-95%开关操作,控制能量传输的电源转换装置开关技术实现能量转换,避免了线性电源小体积、轻重量、宽输入电压范围等优点,其核心原理是将电能转换为高频脉冲能量,中的大量热损耗线性电源简单可靠但效已成为现代电子设备的主流供电方式在再通过磁性元件和滤波电路实现不同形式率低下,而开关电源复杂度高但具有显著通信、计算机、消费电子、工业控制等领的电能转换的效率和体积优势域有广泛应用开关电源的工作原理基本概念开关电源的核心思想是通过控制半导体开关器件(如)的导通与MOSFET关断,将直流输入电压转换为高频交变电压,再通过变压器或电感进行能量传输和转换,最终通过整流和滤波获得所需的直流输出能量转换过程在开关导通期间,电源向磁性元件(如电感或变压器)提供能量并储存;在开关关断期间,磁性元件释放能量至输出端通过控制开关的导通时间占比(占空比),可以精确调节输出电压控制原理PWM脉宽调制()是开关电源最常用的控制方式,通过比较误差PWM放大器输出与锯齿波,生成可变占空比的控制信号当输出电压偏高时,减小占空比;当输出电压偏低时,增大占空比,从而实现输出电压的稳定调节开关电源的分类按应用领域分类工业电源、通信电源、计算机电源、消费电子电源等1按隔离方式分类2隔离型(如、)和非隔离型(如、)Flyback ForwardBuck Boost按拓扑结构分类、、、、、、3Buck Boost Buck-Boost Flyback Forward Half-Bridge等Full-Bridge开关电源按照不同的分类标准可以划分为多种类型从拓扑结构角度,主要分为(降压)型、(升压)型、(升降压)型以及更复杂Buck BoostBuck-Boost的、、半桥和全桥等FlybackForward从隔离方式看,非隔离型电源直接从输入到输出进行能量传递,而隔离型电源通过变压器实现输入与输出的电气隔离,提高安全性从应用领域看,不同场景对电源的效率、可靠性、功率密度等要求各不相同开关电源的主要组成部分开关变换电路输入整流滤波电路包含功率开关器件(如、)和MOSFET IGBT磁性元件(变压器或电感),是能量转换的核将交流电转换为直流电,并滤除纹波对于2心部分,决定了电源的拓扑结构电源,通常包括滤波器、整流桥AC-DC EMI1和大容量电解电容器输出整流滤波电路将开关变换后的电能整流并滤波,得到平滑3的直流输出通常包括整流二极管(或同步整流)和滤波电路MOSFET LC辅助电源5控制电路为控制电路和驱动电路提供工作电源,通常通过启动电路初始供电,后续由辅助绕组供电维4根据输出电压或电流的反馈信号,调节开关器持运行件的导通时间,实现稳定的输出常见的控制方式有电压模式和电流模式第二章开关电源的拓扑结构(降压)型Buck输出电压低于输入电压的拓扑结构,适用于将高电压转换为低电压的应用场景,如从总线生成或等电压电路结构简单,12V5V
3.3V Buck效率高,广泛应用于计算机、通信设备等领域(升压)型Boost输出电压高于输入电压的拓扑结构,适用于电池供电系统、驱动LED等需要升压的场合电路能够将较低的电池电压升高到所需的工Boost作电压,是移动设备中常见的拓扑结构(升降压)型Buck-Boost输出电压可高于或低于输入电压的拓扑结构,适用于输入电压范围宽的应用常见于电池供电系统,能够在电池电压从满电到接近耗尽的全过程中稳定输出所需电压(降压)型拓扑Buck工作原理1转换器的基本工作原理是当开关导通时,输入电源通过开关和电感向负Buck载和输出电容供电,同时电感储能;当开关关断时,电感通过续流二极管释放能量至负载通过控制开关的导通时间占比(占空比),可以控制输出电压D与输入电压的关系Vout=D×Vin主要波形2转换器的关键波形包括开关电压(方波)、电感电流(三角波叠加直流Buck分量)、输出电压(直流加小纹波)在连续导通模式()下,电感电流CCM始终大于零;在不连续导通模式()下,电感电流在部分时间降为零DCM设计公式3转换器的关键设计参数包括占空比;电感量Buck D=Vout/Vin L=Vin-Vout×D/ΔIL×f,其中ΔIL为电感电流纹波,f为开关频率;输出电容C=ΔIL/8×f×ΔVout,其中ΔVout为允许的输出电压纹波(升压)型拓扑Boost工作原理1转换器的基本工作原理是当开关导通时,输入电源通过电感储能,负载由输Boost出电容供电;当开关关断时,电感释放能量,与输入电源串联向输出电容和负载供电通过控制开关的导通时间占比(占空比),可以控制输出电压与输入电压的关系DVout=Vin/1-D主要波形2转换器的关键波形包括开关电压(远高于输入电压的方波)、电感电流(三Boost角波叠加直流分量)、二极管电流(脉冲波形)和输出电压(直流加小纹波)在模式下,电感电流始终大于零,有利于减小输入电流纹波和干扰CCM EMI设计公式3转换器的关键设计参数包括占空比;电感量Boost D=1-Vin/Vout L=Vin×D/ΔIL×f,其中ΔIL为电感电流纹波,f为开关频率;输出电容C=Iout×D/f×ΔVout,其中ΔVout为允许的输出电压纹波,Iout为输出电流(升降压)型拓扑Buck-Boost工作原理1转换器能够实现输出电压高于或低于输入电压其工作原理是当Buck-Boost开关导通时,输入电源通过电感储能,负载由输出电容供电;当开关关断时,电主要波形感通过二极管向输出电容和负载释放能量输出电压与输入电压的关系为2Vout=-D×Vin/1-D,输出电压极性与输入相反转换器的关键波形包括开关电压(方波)、电感电流(三角波叠Buck-Boost加直流分量)、二极管电流(脉冲波形)和输出电压(直流加小纹波)传统的输出电压极性与输入相反,需要注意极性反转问题Buck-Boost设计公式3转换器的关键设计参数包括占空比;Buck-Boost D=|Vout|/Vin+|Vout|电感量L=Vin×D/ΔIL×f,其中ΔIL为电感电流纹波,f为开关频率;输出电容C=Iout×D/f×ΔVout,其中ΔVout为允许的输出电压纹波(反激)型拓扑Flyback工作原理变压器设计转换器是一种隔离型拓扑,变压器实际上是一个具有气Flyback Flyback使用具有气隙的变压器(实际上是耦隙的耦合电感,需要同时考虑能量储合电感)储能和传能当开关导通时,存和传输功能关键设计参数包括初级绕组储存能量,输出二极管反偏;初级电感量、气隙长度、匝数比、线当开关关断时,能量从次级绕组释放径选择等初级电感需要足够大以减至输出输出电压与输入电压的关系小电流纹波,但又不能过大以避免体为Vout=Vin×D×N/1-D,其积增大和效率降低中为变压器匝数比N和模式CCM DCM连续导通模式()下,变压器磁芯在开关周期内不完全去磁,有利于减小开CCM关电流峰值和导通损耗;不连续导通模式()下,变压器在每个周期完全去DCM磁,控制简单,但峰值电流较大实际应用中需要根据功率等级和控制复杂度选择合适的工作模式(正激)型拓扑Forward工作原理变压器设计复位方式转换器是一种通过变压器直接传变压器是能量传输元件而非储能变压器复位是拓扑的关键问题,Forward ForwardForward输能量的隔离型拓扑当开关导通时,能元件,无需气隙变压器设计需考虑匝主要有三种解决方案第三绕组复位(增量从初级传输到次级,同时输出电感储能;数比、磁通量摆幅、磁芯尺寸和材料等因加一个与初级同向的复位绕组)、钳RCD当开关关断时,输出电感通过续流二极管素特别需要注意的是,变压器必须在每位复位(使用电阻、电容和二极管网络吸向负载释放能量输出电压与输入电压的个周期复位,避免磁芯饱和,这通常通过收和耗散能量)、两开关(使用Forward关系为Vout=Vin×D×N,其中N为变复位绕组或有源钳位电路实现两个开关实现自复位)不同复位方式在压器匝数比,为占空比效率、成本和复杂度上各有优劣D半桥和全桥拓扑半桥拓扑全桥拓扑效率比较半桥拓扑使用两个开关和两个电容器组成一全桥拓扑使用四个开关组成两个桥臂,变压在相同功率条件下,全桥拓扑的开关应力较个桥臂,变压器初级接在桥臂中点和地之间器初级接在两个桥臂中点之间通过控制四低,可实现更高效率;但电路复杂度高,成开关交替导通,使变压器初级产生正负交替个开关的导通顺序,可以在变压器初级产生本较高半桥拓扑电路简单,成本较低,但的电压半桥拓扑适用于中等功率正负交替的电压全桥拓扑适用于高功率开关应力较大对于高输入电压应用,全桥()应用,相比拓()应用,能够实现零电压开关拓扑有明显优势;而对于低输入电压大电流100W-1kW Forward1kW扑能够更好地利用变压器和开关器件()以减小开关损耗应用,半桥可能更具成本效益ZVS第三章控制技术PWM电压模式控制1通过比较输出电压反馈信号与参考锯齿波生成信号PWM电流模式控制2同时监控输出电压和开关电流,提供更快的瞬态响应和更好的稳定性比较与选择3基于应用要求、成本和性能考量选择合适的控制方式(脉宽调制)控制是开关电源中最基本和最常用的控制方法,通过调节开关器件导通时间的占比(占空比)来控制输出电压主要PWM有电压模式和电流模式两种控制方式电压模式控制结构简单,抗干扰能力强;电流模式控制响应速度快,可实现电流限制保护,但需要电流检测和斜坡补偿实际应用中需要根据系统需求、成本预算和性能要求选择合适的控制方式电压模式控制控制环路设计包括误差放大器、比较器、补偿网络等,需设2计适当的环路增益和相位裕度工作原理1电压模式控制通过比较误差放大器输出与固定频率锯齿波生成信号PWM优缺点分析结构简单但响应速度较慢,对电源变化敏感但3对负载变化响应慢电压模式控制是最基本的控制方式,其工作原理是将输出电压通过分压电阻网络采样,与基准电压比较,经误差放大器放大后与固定频率锯PWM齿波比较,生成占空比可变的信号控制开关器件PWM电压模式控制的环路设计需要考虑系统稳定性、响应速度和抗干扰能力通常采用型、型或型补偿网络,根据系统的极点和零点分布,设计合I IIIII适的环路带宽和相位裕度(通常≥45°)电压模式结构简单、成本低,但存在对输入电压变化敏感、负载瞬态响应较慢等缺点电流模式控制斜坡补偿2防止占空比超过时出现的亚谐波振荡现象50%工作原理1同时监控输出电压和开关电流,形成双环控制结构优缺点分析响应迅速、过流保护自然实现,但结构复杂、成本较高3电流模式控制在电压模式的基础上增加了电流反馈环,形成电压外环和电流内环的双环控制结构其工作原理是电压误差放大器输出作为电流指令,与实际开关电流比较生成信号电流环提供了对开关电流的周期性限制,使系统具有更快的瞬态响应PWM当占空比超过时,电流模式控制系统可能出现亚谐波振荡,需要通过在比较器输入端加入斜坡补偿信号解决电流模式控制的优点包括快速的线路和负50%载瞬态响应、自然实现的周期性电流限制、简化的环路补偿设计;缺点是需要额外的电流检测电路,增加了系统复杂度和成本控制选型PWM IC控制是开关电源设计的核心组件,市场上有多种选择,如系列(电流模式单端控制)、(电压模式推挽控PWM ICUC3842/3TL494制)、(电压模式双端控制)、(高压启动集成控制器)等每种控制有其特定的功能特点和适用场合SG3525/3527LM5022/23IC选型时需考虑的因素包括拓扑结构需求(如单端、推挽或桥式)、控制方式(电压模式或电流模式)、工作频率范围、保护功能要求(如过压、过流、过温保护)、启动方式、驱动能力、待机功耗等此外,还需评估芯片的市场供应情况、价格和生命周期,尤其是在大批量商业产品设计中第四章磁性元件设计变压器设计基础电感设计基础磁芯选择变压器是隔离型开关电电感是非隔离型开关电磁芯材料和形状对磁性源的核心磁性元件,负源的关键储能元件,也元件的性能有重要影响责能量传输和电气隔离是输出滤波的重要组成常用的磁芯材料包括铁设计变压器需要考虑功部分电感设计需考虑氧体、铁粉、坡莫合金、率传输能力、绝缘要求、电感值、电流容量、饱纳米晶等,各有优缺点;效率、体积和温升等因和特性和损耗等因素常见的磁芯形状有型、E素关键设计步骤包括主要设计步骤包括确型、型、型、EE EIRM确定工作频率和占空比、定所需电感值、计算最型、铁粉环等,应根PQ选择合适的磁芯材料和大工作电流和纹波电流、据应用需求选择合适的尺寸、计算匝数、设计选择合适的磁芯、计算材料和形状绕组结构等匝数和线径等变压器设计步骤核心选择选择合适的磁芯形状和材料是变压器设计的第一步对于频率小于的应用,100kHz通常选择铁氧体型或型核心;对于高频应用,可考虑平面型磁芯核心尺寸选EE ETD择需基于功率传输要求、允许的磁通密度和温升限制核心材料应根据工作频率和损耗要求选择,如铁氧体适用于较低频率,铁氧体适合高频应用MnZn NiZn绕组设计绕组设计需考虑初级和次级匝数比、线径、绝缘和布局等因素初级匝数根据磁通密度摆幅确定N1=Vin×D×10^8/4×f×Bmax×Ae,其中Ae为有效磁芯截面积次级匝数根据输出电压和匝数比确定线径选择需满足电流密度要求(通常3-)绕组排列应考虑漏感和绝缘要求,通常采用三明治结构减小漏感5A/mm²损耗计算变压器损耗主要包括铜损(绕组电阻损耗)、铁损(磁芯损耗)和杂散损耗铜损与电流的平方和绕组电阻成正比;铁损与频率和磁通密度的幂函数相关,可通过材料厂商提供的损耗曲线估算变压器总损耗决定了温升,需确保在允许范围内(通常小于℃)如果温升过高,需重新考虑磁芯尺寸、绕组结构或降低工作磁通密度40电感设计步骤电感值计算电感值计算是设计的第一步,需根据拓扑结构和工作模式确定如电感Buck L=Vin-Vout×D/ΔIL×f;Boost电感L=Vin×D/ΔIL×f电感值过小会导致电流纹波过大,增加开关损耗和;过大则会增加体积和成本通常设计中将电流纹EMI波控制在平均电流的范围内,这是效率、体积和之间的平衡点20%-40%EMI磁芯选择磁芯选择需考虑饱和特性、损耗和尺寸等因素对于高频小功率应用,可选择铁粉磁环;对于需要高电感密度的应用,可选择高磁导率铁氧体;对于大电流应用,应选择具有良好饱和特性的材料如铁粉或分布气隙铁氧体磁芯尺寸应足够大,确保在最大电流下不发生明显饱和,同时满足温升要求绕线技巧绕线是电感制作的关键步骤,直接影响电感的性能和可靠性线径选择应基于电流密度要求,通常为对于高频应用,应考虑趋肤效应,可使用多股漆包线3-5A/mm²并联或利兹线绕线应均匀紧密,避免重叠导致的空间浪费对于大电流电感,可考虑扁平铜带代替圆线,以减小直流电阻绕线完成后,应检查电感值和直流电阻,确保符合设计要求磁芯材料选择铁氧体铁粉纳米晶铁氧体是最常用的磁芯材料,具有高磁导率、铁粉芯由绝缘包覆的微小铁粉颗粒压制而成,纳米晶材料是近年来发展的新型软磁材料,高电阻率和低损耗特性,适合于高频应用具有分布气隙特性,饱和磁通密度高,在大由纳米级晶粒组成,兼具高磁导率和高饱和常见的铁氧体有锰锌()和镍锌直流偏置条件下电感衰减较小铁粉芯的磁磁感应强度的优点其饱和磁感应强度MnZn()两种铁氧体具有较高的导率较低(通常),适用于大电约为铁氧体的倍,在相同尺NiZn MnZn15-
1001.2T
0.4T3磁导率,适用于的应用;流电感,如转换器的输出电感不同寸下可承载更大功率同时,纳米晶的铁损10kHz-500kHz Buck铁氧体磁导率较低但频率特性更好,材料的铁粉芯有不同的频率特性,如羰基铁较低,适合于大功率高频变压器应用缺点NiZn适用于以上的高频应用粉芯适合高频应用,铁硅铝粉芯适合低频大是成本较高,机械强度较差,需要特殊的保500kHz电流应用护处理第五章开关器件选型选型选型1MOSFET2IGBT是开关电源中最常用的功结合了的高输入阻抗MOSFET IGBT MOSFET率开关器件,特别适合高频应用和双极型晶体管的低导通损耗,适合()选型时需考虑的关高压大功率应用选型时需100kHz1kW键参数包括耐压、导通电阻考虑的关键参数包括集电极发射Vdss-、栅极电荷、热阻极耐压、集电极发射极饱和Rdson QgVces-等对于高频应用,应优先考电压、开关时间、热阻等Rth Vcesat虑栅极电荷小的器件;对于低压大电的开关速度较慢,通IGBTMOSFET流应用,应优先考虑导通电阻低的器常应用于以下的中低频场合100kHz件二极管选型3二极管在开关电源中主要用于整流和续流,选型时需考虑的关键参数包括反向耐压、正向电流、正向压降、反向恢复特性等对于高频应用,应选用快恢复二极管或肖特基二极管以减小开关损耗;对于高压应用,通常选用快恢复二极管;对于低压大电流应用,肖特基二极管更具优势参数解析MOSFET导通电阻栅极电荷导通电阻决定了的导通损栅极电荷表示将从完全关断切Rdson MOSFETQg MOSFET耗P=I²×Rdson,是低压大电流应用中最换到完全导通所需要的电荷量,直接影响开关键的参数与芯片面积成反比,关速度和驱动损耗可分为三部分Rdson QgQgs与耐压成正比关系(高压具有更(栅源电荷)、(栅漏电荷,又称米勒MOSFET Qgd高的)还具有正温度系电荷)和(其他栅极电荷)其中Rdson RdsonQgohr数,温度每升高℃,约增加对开关过程影响最大,应选择小的100Rdson QgdQgd倍,这一特性有利于多管并联时的电器件以获得更快的开关速度和更小的开关损
1.5-2流均分,但在高温环境下会增加导通损耗耗开关特性的开关特性包括开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间和下降时间MOSFET tdontr tdoff这些参数直接影响开关损耗,在高频应用中尤为重要开关损耗与开关时间、电压、电流tf和频率成正比P=
0.5×V×I×tr+tf×f优化驱动电路设计(如使用合适的栅极驱动电阻)和选择具有良好开关特性的可有效减小开关损耗MOSFET参数解析IGBT饱和电压开关损耗应用场景集电极发射极饱和电压是导通的开关特性由开通能量、关断能量主要应用于高压大电流场合,-Vcesat IGBT IGBT EonIGBT600V状态下的压降,直接决定导通损耗和通态电荷组成开关损耗与开关频如变频器、电焊机、感应加热和大功率开关电Eoff QrrP=I×Vcesat与MOSFET的Rdson不同,率成正比P=Eon+Eoff×f IGBT的开关速源等在600V以下的应用中,超结MOSFET具有负温度系数(温度升高,度比慢,特别是关断时存在拖尾电通常比更具优势;而在以上的应Vcesat MOSFETIGBT1200V减小),这一特性不利于多管并联时流现象,导致关断损耗较大第三代及以后用中,由于更低的导通损耗,具有明显VcesatIGBT的电流均分现代通过优化设计,已将的通过结构优化,大幅减小了拖尾电流,优势在新兴的电动汽车和光伏逆变器领域,IGBTIGBT控制在较低水平(如),改善了开关特性,但仍主要适用于中低频也是核心功率器件,工作电压通常为Vcesat
1.5-
2.5V IGBT同时具有出色的开关特性,实现了导通损耗和应用,电流从几十安培到几百安培50kHz650-1200V开关损耗的良好平衡不等二极管选型考虑反向恢复特性正向压降肖特基与快恢复二极管比较反向恢复特性是高频二极管正向压降是二极管导通状VF最重要的参数之一,表示二态下的电压降,直接决定导肖特基二极管利用金属半-极管从导通状态切换到阻断通损耗P=I×VF不同类型导体结构,具有极低的正向状态时的行为关键参数包二极管的差异较大普通压降和几乎不存在的反向恢VF括反向恢复时间和反向恢结二极管约;快恢复特性,非常适合低压高频trr PN
0.7V复电荷二极管的反向复二极管约;肖应用;但其反向漏电大,耐Qrr
0.8-
1.5V恢复过程会产生额外的开关特基二极管约压通常限制在以下
0.3-
0.5V100V损耗,并可能导致电磁干扰正向压降还与温度有关,通快恢复二极管是优化了反向问题在高频应用中应选择常具有负温度系数,即温度恢复特性的结二极管,可PN和较小的二极管,如升高时减小,这有助于防实现高达的耐压,trr QrrVF1200V快恢复二极管或肖特基二极止热失控,但不利于多管并适合高压应用;但正向压降管联的电流均分较高,反向恢复特性不如肖特基二极管在实际应用中应根据电路要求进行权衡选择第六章布局与布线技巧PCB高频布线原则1开关电源的设计直接影响电源的性能和表现高频电路设计需遵循最小环路PCB EMI面积原则,减小寄生电感和辐射关键的高频电流环路包括功率开关输入电容EMI--二极管环路和输出整流电容环路,这些环路应尽可能短而宽,减小阻抗和辐射面积-电源与地平面设计2良好的电源和地平面设计对于抑制噪声和确保电路稳定工作至关重要应采用整块铜面作为电源和地平面,减小分布电阻和电感对于混合信号电路,应分离模拟地和数字地,并在适当位置用电感或铁氧体磁珠连接,防止数字噪声污染模拟电路考虑3EMI设计需从源头开始,通过优化开关波形、增加栅极驱动电阻减缓开关速度、使用EMI肖特基二极管减小反向恢复等方法减小噪声产生同时,合理布局元器件位置,将功率部分与控制部分分离,使用屏蔽和滤波技术抑制传播输入和输出滤波电容应EMI靠近连接器放置,减小向外传导EMI高频布线原则最小环路面积高频电流环路面积越大,产生的辐射和寄生电感就越大关键的高频环路包括输入电容到功率开关再到输出整流器的环路;输出整流器到输出电容的环路;栅极驱动EMI环路等这些环路应尽可能缩小面积,布线应短而宽,以减小寄生电感和环路阻抗一种有效的方法是使用多层,将关键环路分布在相邻层,利用叠层结构减小环路PCB面积电流路径优化开关电源的大电流路径应使用足够宽的铜箔,减小电阻损耗和温升铜箔宽度可按照电流密度计算对于超过的电流,建议使用铜箔倒角连接(而非直10-15A/mm²5A角),减小电流集中现象对于地平面,应使用尽可能大的连续铜面,避免形成地环路输入滤波电容和输出滤波电容应直接连接到相应的地平面,而不是通过细长的走线寄生参数控制寄生参数,特别是寄生电感,会严重影响开关电源的性能开关节点的寄生电感会导致开关过程中的电压尖峰和振铃,增加和开关损耗关键措施包括使用多层板将EMI电源和地平面放在相邻层形成低阻抗路径;关键元件(如输入电容、功率开关和输出整流二极管)的布局应紧凑;对于高节点,可考虑使用缓冲网络抑制振铃di/dt RC电源与地平面设计星形接地分离模拟地和数字地去耦电容放置星形接地是一种有效的接地技术,所有地连接在混合信号电路中,数字地的噪声可能通过共去耦电容是抑制电源噪声的关键元件,其布局都从一个中心点(星点)辐射出去,避免形成阻抗耦合影响模拟电路的性能一种有效解决布线直接影响去耦效果去耦电容应尽可能靠地环路在开关电源设计中,通常将输入滤波方案是将模拟地和数字地分离,仅在一点(通近需要去耦的器件电源引脚放置,连接线应短电容的地端作为星点,功率地和信号地分别从常是附近)连接布局时,应将模拟电路而宽对于,建议在每个电源引脚附近放置ADC IC此点引出这种技术可有效减小共模噪声,但和数字电路分开放置,各自连接到相应的地区一个陶瓷电容,并在供电入口处放置一
0.1μF在高频应用中可能不如大面积地平面有效,因域两个地区域之间可通过铁氧体磁珠连接,个较大容值的电解电容对于高速数字,可IC此实际应用中通常是星形接地和地平面技术的阻隔高频噪声但允许低频电流通过,防止形成能还需要增加的小容量电容,提供10-100pF结合地电位差高频去耦抑制技巧EMI输入滤波输出滤波屏蔽与隔离输入滤波是抑制电源向外传导的关键措施典输出滤波的主要目的是减小输出电压纹波和抑制高屏蔽和隔离是抑制辐射的有效手段屏蔽可通EMI EMI型的输入滤波器包括共模电感(抑制共模噪声)、频噪声向负载传播典型的输出滤波包括滤波过金属外壳或导电涂层实现,需良好接地;隔离则LC差模电感(抑制差模噪声)和滤波电容共模电感(主滤波)和滤波(高频噪声抑制)选择输通过分隔敏感电路和噪声源,减小相互影响在RC通常采用磁环绕制,两相线对称缠绕;差模电感则出电感时应考虑饱和特性和;选择输出电容时层面,可使用接地填充区域或接地走线环绕高DCR PCB可采用独立电感或共模电感漏感实现滤波电容包应考虑(等效串联电阻)和(等效串联电频信号线,形成屏蔽效果对于隔离型电源,变压ESR ESL括电容(连接在火线和零线之间)和电容(连感)对于要求严格的应用,可采用多级滤波,如器的屏蔽层设计至关重要,通常在初级和次级之间X Y接在火零线和地之间)滤波器设计需考虑截止先用大容量电解电容滤除低频纹波,再用低陶增加静电屏蔽层并接地,减小共模噪声/ESR频率、插入损耗和阻抗匹配等因素瓷电容滤除高频噪声第七章热设计与散热热设计是开关电源设计中的关键环节,直接影响电源的可靠性和寿命功率器件如、、二极管和磁性元件在工作时会产生MOSFET IGBT大量热量,如果散热不良,可能导致器件过热失效或性能下降热设计流程通常包括功率损耗计算(确定热源)、热阻分析(热传递路径)、散热器选择和设计、温度验证(测量或仿真)现代电源设计中,热仿真工具如、等已成为标准配置,帮助设计师在实物制作前预测热分布,优化散热方案良好的热设计不ANSYS FloTHERM仅能保证电源可靠运行,还能延长使用寿命功率损耗计算导通损开关损二极管导通损耗变压器损耗电感损耗其他损耗MOSFET MOSFET耗耗功率损耗计算是热设计的起点,需要准确计算各个功率器件产生的热量的损耗包括导通损耗和开关损耗;损耗包括导通损耗MOSFET P_con=I²·Rdson P_sw=
0.5·V·I·tr+tf·f IGBTP_con=和开关损耗;二极管损耗主要是导通损耗和反向恢复损耗I·Vcesat P_sw=Eon+Eoff·f P_con=I·Vf P_rr=Qrr·V·f磁性元件的损耗包括铜损(与电流平方和绕组电阻成正比)和铁损(与频率和磁通密度相关)此外,走线、连接器等也会产生少量损耗计算总损耗时,需考虑最坏工作条件(如最大负载、最高PCB环境温度),确保设计裕量充足现代电源设计软件如、等可辅助进行损耗计算PowerSim Saber散热器选择散热器类型热阻计算安装注意事项散热器类型多样,包括片式散热器、针片式散热阻是热设计中的核心概念,表示单位温差下散热器安装对散热效果有重要影响首先,器热器、挤压式散热器和液体冷却系统等片式的热传导能力完整的热阻网络包括结到外件与散热器接触面应平整,通常需要在之间涂散热器结构简单,成本低,适合小功率应用;壳热阻(器件特性)、外壳到散热器热阻抹导热硅脂或使用导热垫,减小接触热阻其Rjc针片式散热器通过增加表面积提高散热效率,(取决于接触面积和导热材料)、散热器次,散热器方向应考虑气流路径,通常垂直放Rcs适合自然对流散热;挤压式散热器可定制复杂到环境热阻(散热器特性)器件结温可置有利于自然对流第三,固定螺丝的扭矩应Rsa截面,提供更高散热能力;液体冷却系统散热通过公式计算Tj=Ta+P×Rjc+Rcs+适当,过紧可能损坏器件,过松则增大接触热效率最高,但复杂度和成本也最高,主要用于,其中为环境温度,为功率损耗阻最后,散热器边缘应避免尖锐,防止安装Rsa TaP高功率应用和使用过程中造成人员伤害热仿真技术常用热仿真软件热仿真软件有多种选择,包括专业热分析软件(如、、ANSYS IcepakFloTHERM)和电子设计自动化工具集成的热分析模块(如6SigmaET EDAAltium Designer、)专业热分析软件功能强大,可进行精确的三维热仿Thermal CadenceAllegro真和计算流体动力学分析,但学习曲线陡峭;集成工具使用简便,但精度CFD EDA和功能有限,适合初步评估仿真模型建立热仿真模型建立包括几何建模、材料属性定义、热源设置和边界条件定义几何模型可通过导入或直接在仿真软件中创建,需要包含所有关键热组件;材料属性需定CAD义热导率、密度和比热容;热源根据功率损耗计算结果设置;边界条件包括环境温度、散热方式(自然对流、强制风冷或液冷)和热接触条件等结果分析与优化仿真结果通常以温度分布云图和热流向量图展示分析关注点包括最高温度部位是否超过器件限值、热流路径是否通畅、是否存在热点如发现问题,可通过多种方式优化调整器件布局降低热耦合、增大散热器尺寸或更换更高效散热器、改善导热路径(如增加热管或导热片)、增加风扇或调整风道优化后应重新仿真验证,直至满足设计要求第八章效率优化技术效率优化是现代开关电源设计的核心目标之一,不仅关系到能源利用率,还直接影响系统的散热需求和可靠性随着各国对电源效率的法规要求不断提高(如美国能源之星、欧盟指令),高效率设计已成为开关电源开发的必要条件ErP主要的效率优化技术包括同步整流(用代替二极管减小导通损耗)、谐振软开关(减小开关损耗)、多相并联(分散热量并优化效率曲线)等此MOSFET外,选用低损耗磁性材料、优化磁性元件设计、采用低的、优化布局减小寄生效应等措施也能有效提高效率最先进的开关电源已能实Rdson MOSFET PCB现超过的转换效率,在轻载和重载条件下都保持较高效率95%同步整流技术驱动电路设计2防止直通现象并确保低损耗开关工作原理1替代二极管以降低导通损耗效率提升分析大电流低电压应用中效率提升显著3同步整流技术是在开关电源的输出整流环节,用替代传统二极管,利用的低导通电阻特性减小导通损耗在传统整流中,二极管导通压降MOSFET MOSFET通常为,导致显著功率损耗;而采用同步整流后,的导通损耗为,在大电流低电压应用中可大幅提高效率
0.4-
1.0V MOSFETI²·Rdson同步整流的驱动是关键技术挑战,需要精确控制导通和关断时序,防止上下管同时导通造成直通短路驱动方式包括自驱动(利用功率变换产生的MOSFET电压驱动)和控制驱动(由控制器产生驱动信号)现代同步整流控制器集成了死区时间控制、自适应驱动和保护功能,大大简化了设计同步整流在PWM输出及以下的应用中效果最为显著,能将效率提升个百分点12V2-5谐振软开关技术谐振拓扑LLC2结合变压器漏感的高效谐振结构和原理ZVS ZCS1利用谐振实现零电压或零电流开关效率与改善EMI降低开关损耗同时减轻电磁干扰3谐振软开关技术通过在电路中引入谐振元件(电感和电容),使开关器件在零电压()或零电流()条件下开通或关断,从而大幅减小开关损耗传ZVS ZCS统硬开关方式下,开关瞬间同时承受高电压和高电流,产生显著开关损耗;而软开关技术通过谐振使电压或电流在开关瞬间降为零,几乎消除了开关损耗谐振拓扑是目前最流行的软开关拓扑之一,由谐振电感、谐振电容和变压器漏感组成谐振网络拓扑的优势在于实现所有功率开关的,有效减LLC LLCZVS小开关损耗;宽输入电压范围内保持高效率;开关电压应力得到限制;性能出色拓扑广泛应用于服务器电源、电视电源等领域,能够实现以上EMI LLC95%的高效率,同时显著降低噪声,减小滤波组件的尺寸和成本EMI多相并联技术工作原理相位移动控制均流设计多相并联技术是将单个大相位移动控制是多相并联均流是多相系统设计的关功率转换器分解为多个较系统的关键技术,通过对键挑战,需确保各相负担小功率的相位(相),各各相信号实施等间均衡的电流,避免某相过PWM相交错工作,共同提供所隔相移(如双相系统相移载常用的均流方法包括需输出功率每个相位独180°,四相系统相移电阻均流(在电流路径中立运行,但共享同一控制90°),使各相电流波形加入小电阻进行采样)、系统和输入输出连接多交错,从而减小输入输出电感采样(利用电感//DCR相技术的核心优势在于电流纹波,降低滤波需求直流电阻作为采样电阻)、分散热量,减轻单个器件相位移动控制还能在实际高边电流检测(在高压侧的热应力;提高系统响应应用中支持相数动态调整,检测电流)等现代多相速度;减小输入输出纹波;根据负载条件启用或关闭控制器通常集成均流控制/优化轻载效率部分相位,维持较高的系功能,通过调整各相统效率占空比实现精确均PWM流,确保系统稳定可靠运行第九章数字控制技术数字原理采样技术数字补偿器设计PWM ADC数字()是使用数字电路生模数转换()是数字控制系统的关键数字补偿器替代了传统模拟控制中的误差PWM DPWM ADC成信号的技术,核心是数字计数器环节,负责将模拟反馈信号(如输出电压、放大器和补偿网络,基于采样数据计算控PWM与数字比较器与模拟相比,电流)转换为数字信号的关键参数制输出数字补偿器的优势在于可实现复PWM ADC具有更高的抗干扰能力、更好的包括分辨率、采样率和精度,这些参数直杂控制算法,如控制、自适应控制、DPWM PID重复性和可编程性,但需要克服分辨率限接影响控制精度和响应速度在开关电源预测控制等,提供更优的动态性能设计制问题是数字控制开关电源的应用中,采样时序设计至关重要,需数字补偿器需考虑计算延迟、量化误差和DPWM ADC基础部分,直接影响输出电压的稳定性和要避开开关噪声,确保采样值准确代表系系统稳定性,通常采用域设计方法Z精度统状态数字实现PWM架构DPWM数字的基本架构包括计数器、比较器和锁存器计数器产生周期性递增或递减的数值,PWM代表时间;比较器将计数器值与占空比设定值比较;当计数器值达到设定值时,比较器输出翻转,生成波形的主要实现方式有计数器比较型(简单但分辨率受限)、PWM DPWM延迟线型(高分辨率但实现复杂)和混合型(结合两种方法优势)分辨率提升技术分辨率是关键性能指标,直接影响输出电压的精度当分辨率不足时,系统可能出现DPWM限幅振荡,导致输出电压不稳定提升分辨率的方法包括增加时钟频率(但受硬件DPWM限制)、延迟线技术(利用多级延迟单元细分时钟周期)、调制技术(通过噪声整形将σ-Δ量化误差转移到高频段)和混合技术(如分段、可变斜率等)PWM PWM与模拟比较PWM与传统模拟相比,数字具有多项优势更高的抗干扰能力和温度稳定性;可编程PWM PWM性强,便于调整参数;易于集成复杂控制算法;支持通讯和监控功能但数字也面临一PWM些挑战量化误差和分辨率限制;计算延迟导致的相位滞后;实现成本可能较高随着数字技术的发展,特别是专用数字控制器和成本的降低,数字已在中高端电源领域广FPGA PWM泛应用采样技术ADC采样时序抗混叠滤波过采样技术在开关电源中,采样时序的设计至关重要,根据奈奎斯特采样定理,采样前必须使用低过采样是提高有效分辨率的重要技术,通过ADC ADCADC直接影响采样数据的准确性理想的采样点应在开通滤波器限制信号带宽,防止高频分量混叠到低频以远高于必要频率进行采样,然后对样本进行数字关噪声最小、输出电压稳定的时刻,通常选择在区域造成失真在开关电源应用中,抗混叠滤波器滤波和抽取处理当采样率提高倍时,理论上可4周期的中点或末端同步采样技术将采需滤除开关频率及其谐波,同时保留控制带宽内的增加位有效分辨率在开关电源数字控制中,过PWMADC1样时钟与时钟同步,确保每个周期在相同相信号典型的抗混叠滤波器为低通滤波器,截采样技术特别有价值,可用低成本低分辨率PWM RCADC对位置采样,有效避开开关瞬态干扰对于多相系止频率设置为采样频率的到滤波器设计实现高精度控制实现过采样需要足够的处理能力1/21/5统,可采用多点采样策略,在不同相位的周需平衡滤波效果和相位延迟,过强的滤波可能导致进行实时数字滤波,通常采用移动平均或滤波PWM FIR期中进行多次采样,然后取平均值,进一步提高信过大的相位延迟,影响控制环路稳定性器此外,过采样还能改善抗噪声性能,因为噪声噪比能量分散到更宽的频带中数字补偿器设计控制器状态反馈控制自适应控制PID(比例积分微分)控制状态反馈控制是一种先进的控自适应控制是能够根据系统参PID--器是数字控制系统中最常用的制方法,通过监测系统的多个数变化或外部条件调整控制策补偿器类型比例项提供与误内部状态(如电感电流、输出略的先进技术在开关电源中,差成正比的响应;积分项消除电压及其导数等)实现更精确参数变化源自负载变化、输入稳态误差;微分项提高系统动的控制与传统仅使用输电压波动或元件老化,自适应PID态响应数字控制器通过出误差相比,状态反馈提供了控制通过实时识别这些变化并PID差分方程实现更多信息,能实现更快的瞬态相应调整控制参数,维持最佳uk=Kp·ek响应和更好的干扰抑制实现性能常用的自适应方法包括+Ki·∑ej+Kd·[ek-ek-,其中是控制输出,状态反馈控制需要准确的系统增益调度(根据工作点选择预1]uk是误差信号设计数字模型和状态估计器(如卡尔曼设参数)、模型参考自适应ek控制器时,需考虑采样频滤波器),计算负担较重,通(比较实际输出与参考模型输PID率、量化效应和积分饱和问题,常用于高性能数字控制电源出)和自校准技术(定期测量通常采用抗积分饱和和微分项在实际应用中,常采用简化的系统参数并更新控制器)自滤波等技术提高鲁棒性状态反馈方法,如电流模式控适应控制尤其适合工作条件多制可视为状态反馈的一种特例变的电源系统,如宽输入电压范围或负载变化大的应用第十章电源管理技术软启动设计1软启动功能通过限制启动过程中的浪涌电流和电压过冲,保护电源系统和负载实现方法包括占空比渐进增加、输出电压参考值斜坡上升、输入电流限制和预充PWM电电路良好的软启动设计可减少启动应力,延长电源和负载寿命,特别是对电容负载较大的系统至关重要过压保护2过压保护()防止输出电压超过安全范围,保护下游电路常见的方法包括OVP OVP关断开关器件、触发(可控硅)短路输出电容、启动放电电路等必须响应SCR OVP快速,通常采用独立比较器电路实现,而非通过主控制环路,确保在控制器失效情况下仍能提供保护过流保护3过流保护()限制电源输出电流,防止短路或过载损坏电源和负载实现方式包OCP括恒流限制(电流达到阈值后进入恒流模式)、脉冲对脉冲限流(每个周期独立限流)、掉电保护(超过阈值关闭输出)设计需平衡保护速度和误触发风险,同OCP时考虑启动和负载瞬态时的大电流软启动设计软启动原理电路实现12软启动的核心原理是控制开关电源在上软启动的电路实现方式多样在模拟控电过程中的能量传输速率,使输出电压制系统中,常用外部电容和内部电流源缓慢上升至额定值在没有软启动的情形成充电电路,产生缓慢上升的参考RC况下,控制器会尝试一次性将输出电压电压;在数字控制系统中,则通过软件拉升至设定值,导致过大的浪涌电流和程序控制参考值的上升速率另一种方电压过冲软启动通过限制开关占空比法是直接控制占空比,从最小值开PWM的增长速率或输出电压参考值的上升速始,按预设速率增加至正常工作值对率,实现平滑的启动过程,减小对元器于具有多个输出的电源系统,还需要考件的应力虑各路输出的启动顺序和时序控制参数设计3软启动参数设计需要权衡启动时间和启动应力启动时间太短无法有效抑制浪涌电流;启动时间太长可能导致低电压保护电路误触发或负载工作不稳定关键设计参数包括软启动电容值(决定上升时间)、充电电流大小和占空比增长速率对于大型电源系统,还可能需要分段软启动策略,先预充电输入电容,再启动主功率级,最后启动负载,实现最优的启动过程过压保护设计检测电路保护动作恢复机制过压检测电路负责监控输出检测到过压后,保护电路需过压保护触发后,系统需要电压并与参考阈值比较,当执行快速响应以防止损坏合适的恢复机制恢复方式检测到过压条件时触发保护常见的保护动作包括关断包括自动恢复型(过压条动作典型的检测电路包括控制器停止能量传输;件消除后自动重启)、锁定PWM电阻分压网络、精密参考电触发(可控硅)或功率型(需手动断电再上电才能SCR压源和比较器为避免瞬态短路输出电容,快恢复)和有限次数尝试型MOSFET干扰导致误触发,通常增加速将过压能量泄放;启动主(允许有限次数自动恢复尝滤波延时电路,如滤波器动钳位电路限制电压上升;试,若仍反复出现则锁定)RC或时间延迟电路高精度应触发熔断器或断路器切断输选择恢复机制需考虑应用场用可能还需考虑温度补偿,入电源在关键安全应用中,景和安全要求,关键设备通确保阈值在宽温度范围内稳可能采用多重保护措施,如常采用锁定型保护,防止在定多路输出电源需要为每先尝试软关断,若仍未解决未解决根本问题前反复故障;路都配置独立的过压检测电则执行硬关断,确保万无一而消费电子可能倾向于自动路,或至少为主要输出提供失恢复型设计,提高用户友好保护性过流保护设计电流检测方法保护阈值设置自动恢复与锁定模式准确的电流检测是过流保护的过流保护阈值设置需平衡正常过流保护的响应模式主要有基础常用方法包括电阻检工作电流与保护需求一般设自动恢复模式(过流条件解除测(在电流路径串入小阻值电置原则是允许短时过载但防后自动恢复)和锁定模式(需阻检测压降)、电感检测止持续过载导致的热损伤典要断电重启才能恢复)自动DCR(利用电感自身直流电阻产生型设置为额定电流的恢复适合临时过载或短路情况,120%-的压降)、,同时考虑启动浪涌和支持系统自愈;锁定模式适合MOSFET Rdson150%检测(利用开关管导通电阻产负载瞬态需求对于多级保护严重故障情况,防止反复过载生的压降)和霍尔传感器(无系统,可设置多个阈值轻度损坏系统现代电源控制器通接触测量)各方法各有优缺过载时进入恒流模式;中度过常提供可配置的保护模式,如点电阻检测精度高但效率损载时降低输出电压(折返特自动恢复模式下如果短时间内失大;检测效率高但需温性);严重过载或短路时关断多次触发保护则转为锁定模式,DCR度补偿;检测实现简输出阈值设置还需考虑元件兼顾便利性和安全性在医疗、Rdson单但精度受温度影响大;霍尔容差和温度影响,留有足够设通信等关键应用中,通常更倾传感器无损耗但成本高计裕量向于采用锁定模式,确保故障得到人工干预和解决第十一章设计EMC与基础传导干扰抑制EMI EMS电磁兼容性包括电磁干扰传导干扰通过电源线、信号线传播,分EMC EMI和电磁敏感性两个方面关为差模干扰(在火线和零线之间)和共EMS EMI注设备产生的干扰,分为传导干扰(通模干扰(火零线对地)抑制传导干扰/过导线传播)和辐射干扰(通过空间辐的主要方法包括输入滤波器(使EMI射传播);关注设备对外部干扰的用共模电感、差模电感和电容)、EMS X/Y抵抗能力,包括对静电放电、射频干扰、输出滤波器、布局优化(减小高频环路浪涌等的免疫性开关电源由于其高频面积)和开关速度控制(通过增加栅极开关特性,是主要的源,因此电阻减缓开关速度)EMI EMC设计在电源开发中占据重要位置辐射干扰抑制辐射干扰通过空间电磁场传播,与干扰源尺寸、干扰信号频率和干扰源阻抗相关抑制辐射干扰的主要方法包括屏蔽(使用金属屏蔽罩或导电涂层)、接地优化(减小地平面阻抗)、信号完整性设计(控制信号反射和振铃)和电磁滤波(使用铁氧体磁珠或磁环抑制高频噪声)测试标准EMI电磁干扰测试标准是电子设备必须遵循的法规要求,确保设备不会对其他设备或系统产生过度干扰主要的标准包括EMI EMICISPR(信息技术设备)、(多媒体设备)、(美国标准)、(工业、科学和医疗设备)22/EN55022CISPR32FCC Part15EN55011等这些标准规定了设备在不同频率范围内允许的最大干扰限值,通常分为类(工业环境)和类(居住环境)A B标准测试配置要求使用标准化的测试设备和环境,如线路阻抗稳定网络、屏蔽室或半电波暗室、标准天线等传导干扰测试频率范LISN围通常为,辐射干扰测试频率范围为或更高开关电源设计中必须预先考虑这些测试要求,采取适当的150kHz-30MHz30MHz-1GHz抑制措施,确保产品能够顺利通过法规认证,这是产品合法上市的必要条件EMI传导干扰抑制共模与差模干扰输入滤波器设计电容应用Y传导干扰分为两种类型共模干扰()和差模输入滤波器是抑制传导干扰的第一道防线,通电容是抑制共模干扰的关键元件,通常连接在初CM EMIY干扰()共模干扰是火线和零线对地的干扰,常由共模电感、差模电感(或共模电感的漏感)、级电路与地或初级与次级之间电容的选择需考DM Y电流在两线中同向流动;差模干扰是火线和零线之电容(连接在火线和零线之间,抑制差模干扰)虑安全标准限制,通常为或类安全电X ClassY1Y2间的干扰,电流在两线中反向流动识别干扰类型和电容(连接在火零线和地之间,抑制共模干容,能承受浪涌电压且故障模式安全由于安全考Y/对选择合适的抑制方法至关重要测量时,可使用扰)组成滤波器设计需考虑截止频率、阻抗匹配虑,电容容值通常受限(如单相设备每相对地最Y高频电流探头和频谱分析仪区分两种干扰;设计时,和衰减要求多级滤波通常比单级滤波效果更好,大),这限制了其抑制高频共模噪声的效果
4.7nF应针对不同频率范围的主导干扰类型采取相应措施但需防止级间谐振滤波器布局时,输入输出应分在实际应用中,可结合共模电感和电容形成型Yπ开放置,避免耦合绕过滤波器滤波器,提高抑制效果;也可在多个位置分布放置小容值电容,覆盖更广的频率范围Y辐射干扰抑制屏蔽技术层叠设计磁珠应用PCB屏蔽是抑制辐射干扰最直接的层叠结构对辐射有显铁氧体磁珠是抑制高频噪声的PCB EMI方法,通过导电材料围绕干扰著影响多层设计中,应简单有效元件,具有频率相关PCB源形成法拉第笼,阻止电磁场将大面积电源层和地平面靠近的阻抗特性在低频下呈现低向外传播常用的屏蔽方式包放置,形成低阻抗路径和屏蔽电阻,在高频下呈现高阻抗,括金属屏蔽罩(铝、钢或铜效果关键的高频信号线应布可有效衰减频段的干扰而MHz制)、导电涂层(如喷涂导电线在内层,被电源层和地平面不影响正常工作信号常见应漆或镀铜)、金属网罩等有屏蔽对于四层板,典型的层用包括电源线路滤波(串联效的屏蔽要求材料具有足够厚叠结构为信号层地平面电在电源线上)、信号线滤波--DC度(至少为趋肤深度的源层信号层,这种结构为高频(用于时钟或数据线)和电缆3-5-倍),并确保屏蔽无缝隙或开信号提供了低阻抗回路路径滤波(套在连接电缆上)选口(缝隙长度不应超过辐射波对于高速信号,应采用微带线择磁珠时应考虑阻抗频率特性、-长的)屏蔽体必须良或带状线结构,控制特性阻抗,饱和电流和直流电阻,确保在1/20好接地,通常采用多点低阻抗减小辐射层叠设计时,还需工作电流下不会饱和且功率损接地对于需要开口的区域注意层间距和材料选择,如使耗可接受在高频电流较大的(如风扇、连接器),可使用用低介电损耗材料减小高频损应用中,可使用多个磁珠并联,导电垫圈或蜂窝状通风口维持耗分散热量同时维持滤波效果屏蔽完整性第十二章可靠性设计应力分析可靠性设计首先需进行全面的应力分析,识别元器件在各种工作条件下可能面临的应力因素电气应力包括电压、电流、功率超标;热应力包括温度循环、热冲击;机械应力包括振动、冲击等通过分析各种应力场景(正常工作、过载、环境极限、瞬态),确定元器件的实际工作条件,为降额设计提供依据降额设计降额设计是提高可靠性的核心方法,即元器件的实际工作应力低于其额定值的一定比例常见的降额因素包括电压降额(通常为额定值的)、电流降额70-80%()、功率降额()、温度降额(最高温度低于额定温度70-80%50-60%20-℃)降额设计虽然增加了成本,但能显著提高系统可靠性和寿命30分析FMEA故障模式与影响分析是系统性识别潜在故障和评估其影响的方法FMEA过程包括列出所有可能的故障模式、分析每种故障的原因和影响、评估FMEA严重度、发生概率和检测难度、计算风险优先数、制定改进措施通过RPN可以识别设计中的薄弱环节,采取针对性措施提高可靠性FMEA电源应力分析电气应力热应力电气应力是开关电源中最基本的应力类型,热应力产生于温度变化和温度梯度,是影响包括电压应力、电流应力和功率应力电压电子系统可靠性的关键因素主要的热应力应力主要考虑器件的耐压裕量,如来源包括自热(器件工作产生的热量)、MOSFET的应力、电容的耐压应力等;电流应力环境温度变化(日常温度波动和季节变化)、Vds关注导体和半导体的载流能力,如走线负载变化(负载波动导致的温度波动)和开PCB电流密度、导通电流等;功率应力关循环(开关过程导致的热循环)热应力MOSFET则综合考虑电压和电流产生的热效应,如可导致多种故障机制,如芯片焊点疲劳、封和二极管的功耗电气应力分析需装开裂、分层等热应力分析需使用热MOSFETPCB考虑静态和动态条件,特别是开关瞬态过程像仪测量温度分布,或采用热仿真软件预测中的电压尖峰和浪涌电流,这些往往是导致温度场,识别热点并评估热循环影响器件失效的主要原因机械应力机械应力源自振动、冲击和机械载荷,特别是在移动设备、车载电子和工业环境中尤为重要机械应力可导致焊点开裂、元件脱落、连接器接触不良等物理故障机械应力分析方法包括振动测试(随机振动和正弦振动)、冲击测试(模拟跌落和碰撞)和应力应变分析(通过有限元方法模拟变形)机械应力设计需考虑支撑点、重型元件固定、连接器加强和减振措施等,PCB PCB确保电源在各种机械环境中可靠工作降额设计原则降额设计是通过限制元器件实际工作应力低于其额定值的一种设计策略,可显著提高系统可靠性和使用寿命器件选型降额主要考虑电压、电流和功率电压降额通常为额定值的,如用于70-80%200V MOSFET150V应用;电流降额为,如二极管限制在使用;功率降额更严格,通常为,特别是对热敏感器件70-80%10A7A50-70%热设计降额关注器件温度与环境温度的关系,确保器件在最高环境温度下工作温度不超过额定值常见做法是器件最高结温保持在额定值以下℃,如额定℃的器件实际工作温度控制在℃以下电气参20-3012595-105数降额则考虑控制回路参数,如环路增益、相位裕度等,确保系统在各种条件下稳定工作,通常要求相位裕度不小于45°,增益裕度不小于10dB,保证系统具有足够的稳定性余量分析方法FMEA123识别步骤风险评估改进措施首先确定可能发生的故障模式分析严重度、发生概率和检测难度针对高风险点制定改进方案故障模式与影响分析是一种前瞻性的可靠性分析工具,通过系统识别潜在故障并评估其影响,指导设计改进失效模式识别需全面考虑电源中可能出现的各类故障,FMEA如元件开路、短路、参数偏移、控制失效等对每种故障模式,分析其可能原因(如过热、过压、老化)和失效后果(如输出电压异常、无输出、过热保护)严重度评估基于故障对系统功能和安全的影响程度,通常使用级评分,级表示灾难性后果风险优先数是严重度、发生概率和检测难度的乘积,用于确定1-1010RPN需优先处理的问题针对高的项目,制定具体改进措施,如增加冗余设计、加强保护电路、改进散热设计或优化元件选型等是一个动态过程,需随设计进展RPN FMEA不断更新,确保全面识别和应对潜在风险第十三章测试与调试技巧开关电源的测试与调试是产品开发和质量保证的关键环节,需要专业设备和系统方法论负载测试评估电源在不同负载条件下的静态和动态性能,包括负载调节率、瞬态响应和稳定性等;纹波测试检查输出电压的交流分量大小,关系到下游电路的正常运行;效率测试则评估电源的能量转换效率,影响散热设计和能源消耗专业的电源测试需要精密仪器,包括电子负载(模拟各种负载条件)、高精度示波器(测量纹波和瞬态响应)、功率分析仪(精确测量效率)和热像仪(监测温度分布)等测试过程应遵循标准化流程,保证测试结果的一致性和可比性若发现问题,应采用系统化调试方法,从控制环路、电路拓扑、元件参数等多角度分析,找出根本原因并有针对性地解决负载测试方法静态负载测试1静态负载测试评估电源在稳定负载条件下的性能,主要检查负载调节率、效率曲线和温度上升等参数测试过程中,电子负载设置为不同电流值(如、、、、额定负10%25%50%75%100%载),测量输出电压、输入功率和关键部件温度静态测试结果用于评估电源的稳定性和热性能,如负载调节率(输出电压随负载变化的百分比,通常要求)和效率曲线(在各负载点的转换1%效率,形成效率曲线图)动态负载测试2动态负载测试模拟实际使用中的负载突变情况,评估电源的瞬态响应能力测试中,电子负载产生负载阶跃变化(如从跳变到额定负载),测量输出电压的过冲、欠冲和恢复时间10%90%标准的动态测试通常要求负载变化速率达到或更高,模拟实际工作中的恶劣情di/dt
0.1A/μs况动态响应性能直接反映控制环路的设计质量,是评估电源稳定性和响应速度的重要指标测试设备介绍3负载测试需要专业设备,核心是可编程电子负载电子负载可工作在恒流、恒压、恒CC CV阻或恒功率模式,具备负载瞬态测试功能高端电子负载还支持编程序列,可自动执CR CP行复杂测试场景此外,测试系统还包括高精度万用表(测量直流电压)、功率分析仪(测量功率和效率)、示波器(观察瞬态响应)和温度监测设备(如热电偶或热像仪)现代测试系统通常通过计算机控制,实现自动化测试和数据记录纹波测试技巧测试探头选择地线处理带宽考虑纹波测试对测量设备和技术有严格要求,探头选择探头地线处理是纹波测试中最容易被忽视却极为重示波器带宽设置直接影响纹波测量的准确性开关是关键第一步对于输出电压纹波(通常为几十要的环节标准探头附带的长地线会形成天线效应,电源纹波包含开关频率基波及其谐波,示波器带宽),应使用带宽的无源探头或差分拾取环境噪声,产生虚假纹波正确做法是使用应至少为开关频率的倍,以捕捉重要谐波成分mV≥500MHz5探头,避免使用衰减比例过大的高压探头,以免损极短的地线()或专用地弹簧,最大限度减然而,过高的带宽会引入更多高频噪声实际测量2cm失灵敏度探头阻抗应与示波器匹配(通常为小环路面积更专业的方法是使用同轴探头适配器,中,可先使用全带宽了解完整的噪声特征,然后适)对于高频纹波测量,建议使用交流耦合保持信号完整性测量时,探头尖端和地线应直接当限制带宽(如设置带宽限制),过滤掉50Ω20MHz探头,过滤直流成分,增大示波器垂直灵敏度高连接到输出电容两端,而非上的远端测试点,非本征高频噪声,聚焦于真实纹波数字示波器的PCB精度测量时可考虑使用有源差分探头,尤其是在具以避免走线阻抗引起的测量误差采样率应设置为带宽的至少倍,确保采样定理得PCB5有共模噪声的场合到满足,避免混叠现象效率测试方法测试点选择仪器精度要求数据处理效率测试的准确性很大程度上效率测试要求高精度测量设备,效率测试数据需要系统化处理,取决于测试点的正确选择输特别是当目标效率接近以形成完整的效率特性曲线标95%入测量应尽可能靠近电源输入上时输入输出功率的测量误准测试流程包括在多个负载点端,但在滤波器之后,以差直接影响效率计算结果专(通常为、、、EMI10%25%50%排除滤波器损耗影响(除非评业效率测试应使用精度以、额定负载)和不
0.1%75%100%估整机效率)输出测量应直上的功率分析仪,能同时测量同输入电压条件(最小、标称、接在输出电容端进行,而非远输入输出的电压、电流和功率最大输入电压)下测量效率,端负载点,避免分布电阻损耗因数功率分析仪应具有足够绘制效率负载曲线和效率输--干扰测量对于多输出电源,的带宽(通常),以准入电压曲线数据处理时应考≥1MHz应同时测量所有输出端的电压确捕捉开关波形的谐波成分虑测量不确定度,进行误差分和电流,整体效率等于总输出对于高频开关电源,还需注意析对于需要满足能效标准功率除以输入功率测试点连电流探头的带宽和相位特性,(如、能源之星)的80PLUS接需使用开尔文(四线)测量确保高频分量测量准确校准产品,应按照标准规定的测试法,分离电流路径和电压检测是确保测量准确性的关键步骤,点进行测量,并将结果与标准路径,消除连接线阻抗的影响测试前应对所有测量设备进行要求比对现代测试系统通常校准采用自动化数据采集和处理,减少人为误差第十四章开关电源应用实例电源设计1PC电源是规范定义的标准电源,提供多路输出(如、、等)供计算机各PC ATX+12V+5V+
3.3V部分使用现代电源主要采用有源功率因数校正谐振拓扑结构,实现了高效PC APFC+LLC率(认证)和稳定输出电源的挑战在于宽负载范围(从待机几瓦到满载数百瓦)80PLUS PC下都要保持高效率,同时满足严格的标准和可靠性要求EMC驱动电源设计2LED驱动电源通常采用恒流输出设计,确保亮度稳定根据应用场景不同,可选择、LED LEDBuck、或隔离式拓扑驱动电源的关键技术点包括高效率设计(减少热量BoostBuck-Boost LED散失)、宽调光范围支持、长寿命设计(与使用寿命匹配)和合规性(特别是家用照LED EMC明产品)现代驱动还需支持智能控制和联网功能,适应智能照明的发展趋势LED工业电源设计3工业电源强调可靠性和鲁棒性,能在恶劣环境中稳定工作典型设计采用全桥或半桥拓扑,提供高效率和高功率密度工业电源的关键要求包括宽输入电压范围(适应不稳定市电)、高隔离电压(安全考虑)、过压过流保护、抗扰度(在强电磁干扰环境中工作)和长使用寿EMC命(通常要求小时)设计中采用严格的降额设计原则,确保在极端条件下仍可靠运50000行电源设计实例PC+12V+5V+
3.3V-12V+5Vsb规范是电源的行业标准,定义了物理尺寸、连接器、电气特性和保护功能等要求现代电源(版本)主要提供大电流输出,用于、供电;和供应主板和外设;(待机电ATX PCATX12V+12V CPUGPU+5V+
3.3V+5VSB源)即使在系统关闭时也保持工作,用于供电给唤醒功能ATX标准还规定了电压精度(通常±5%)、交叉负载能力和纹波要求(通常1%输出电压)主流电源的内部架构通常采用滤波器整流器电路(提高功率因数)高频变换(通常为谐振半桥或拓扑)输出整流和滤波次级同步整流和通常由通过降压转换器生成,PC EMI→→PFC→DC-DC LLC→→+5V+
3.3V+12V这种主架构提高了整体效率现代电源强调高效率(认证分为普通、铜牌、银牌、金牌、白金牌和钛金牌,效率从到不等)和低待机功耗,以满足日益严格的能效要求12V PC80PLUS80%94%课程总结知识点回顾本课程系统地介绍了开关电源的基本原理、主要拓扑结构、设计方法和关键技术从能量转换的基本概念出发,详细讲解了、、、、、半桥、全桥等拓扑的工作原Buck BoostBuck-Boost FlybackForward理和设计要点;探讨了控制技术、磁性元件设计、布局布线、热设计、设计等核心内容;PWM PCBEMC介绍了同步整流、谐振软开关、数字控制等先进技术及其应用通过理论与实例相结合的方式,建立了完整的开关电源设计知识体系设计流程梳理开关电源设计是一个系统工程,需要遵循科学的设计流程需求分析拓扑选择初步设计关键参数→→→计算元器件选型原理图设计设计样机制作测试验证问题修正可靠性验证最终定型→→→PCB→→→→→设计中应采用自上而下的方法,先确定系统架构,再进行详细设计;同时兼顾电气性能、热性能、EMC性能和可靠性等多方面要求开关电源设计需要理论与实践相结合,计算分析与测试验证相互印证,才能开发出高性能、高可靠性的产品未来发展趋势开关电源技术正朝着高频化、高效率、高功率密度和智能化方向发展新型宽禁带半导体器件(、SiC)的应用将推动开关频率向级别迈进,大幅减小磁性元件尺寸;数字控制技术的普及带来更灵GaN MHz活的控制算法和通信功能;集成化设计(如系统级封装)将简化设计流程,提高可靠性;新型磁性GaN材料和结构创新将进一步提升效率和功率密度同时,随着物联网和智能电网的发展,开关电源将具备更多智能功能,如自适应优化、远程监控和预测性维护等,融入更广阔的能源管理生态系统。
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