1+X集成电路理论试题与参考答案

集成电路理论试题与参考答案1+X

一、单选题（共题，每题分，共分）

39139.下列选项中不属于芯片外观不良的是（）

1、印章不良A、塑封体开裂B、电源电流过大C、管脚压伤D正确答案C.使用化学机械抛光进行粗抛时，抛光区域温度一般控制在（）

2、A38~50°C、B20~50C、C20~30°C、D20~38°C正确答案A答案解析一般抛光区的温度控制在（粗抛）和38~50C（精抛）20〜30°C.若想取下蓝膜上的晶圆或晶粒，需要照射适量（），能降低蓝膜的黏3着力、红外线A、太阳光B、蓝色光源C、紫外线D正确答案D答案解析对需要重新贴膜或加工结束后的晶圆，需要从蓝膜上取下，此时只需照射适量紫外线，就能瞬间降低蓝膜黏着力，轻松取下晶圆或晶粒.清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用清洗液进行清洗时,可4SC-2以去除的物质是（）、光刻胶A、颗粒B、金属C、自然氧化物D正确答案C.使用转塔式分选设备进行芯片测试时，其测试环节的流程正确的是5（）、轴步距尺寸F Y正确答案ABCDEF答案解析在全自动探针台上进行扎针调试时，根据晶圆测试随件单，在探针台操作界面输入晶圆产品名称、印章批号、片号等信息,同时设定晶圆尺寸、轴和轴等步进参数X Y.电镀工序中在进行清洗后会进行干燥处理，一般采用或的方式

2、高速甩干A、挤压速干B、悬挂晾干C、气泵吹干D正确答案AD单片机编写程序并烧录的过程中可能会用到的软件有

3.LK32T102o、A Keil-mdk、B VC++、串口助手c、D MatIab正确答案AC.在中，当项目被编译后，将显示那些面板4AltiumDesigner、面板A Messages、面板B Navigator、面板C Design、面板D Project正确答案AB.料盘真空入库操作时，需要将料盘装入防静电铝箔袋内，同时还需5要装入的有、海绵A、湿度卡B、标签C、干燥剂D正确答案BD.有些文件用于提供给制造商，生产板用，如6PCB PCB、文件A PCB、规格书B PCB、文件C Gerber、文件D ICT正确答案ABC.编带外观检查前需要准备的工具是（）

7、纸胶带A、放大镜B、防静电铝箔袋C、保护带D正确答案ABD.探针卡焊接没到位的情况有（）

8、探针卡针焊不到位A、基板上铜箔剥落，针焊接不牢固，或焊锡没有焊好而造成针虚焊B、探针卡布线断线或短路C、背面有突起物，焊锡线头D正确答案ABCD的墨管常用于（）的晶圆

9.5mil、英寸A

5、英寸B

6、英寸C

8、英寸D12正确答案AB答案解析的墨管常用于英寸、英寸的晶圆，的墨管常5mil5630mil用于英寸、英寸的晶圆812系统可以载入自定义元件库，下列是自定义元件库

10.AltiumDesigner的是（）、A Misee I IaneousDevices.IntLib、B MotoroIaAnaIogTimerC ircu it.IntL ib、C Mi see IIaneousConnectors.IntLib、D MotoroIaAmp Ii f i erOperat ionaI AmpIi f i er.IntL ib正确答案BD.芯片测试过程中，需要贴标签的项目为（）

11、在编带的封口处贴标签A、铝箔袋贴标签B、在内盒封口处的中央位置贴“合格”标签C、内盒贴标签D正确答案BCD.进入芯片封装工艺过程中塑封之后的工序车间必须穿戴的是（）和12（）、防静电帽或发罩A、眼罩B、口罩C、无尘衣D、防静电服E、一次性橡胶手套F正确答案AE答案解析塑封工序之后芯片已经被包裹起来，处于非裸露状态，故进入车间前必须要穿戴的是防静电帽子或发罩以及防静电服系统默认打开的元件库有两个，分别是（）

13.AltiumDesigner、A MiseeI IaneousDevi ces.IntLi b、B MotoroIaAnaIogTimerCi rcuit.IntLi b、C MiseeIIaneousConnectors.IntLib、D MotoroIaAmp IifierOperat ionaI AmpIifier.IntLib正确答案AC直径大于英寸的单晶硅锭可以用（）方法制备出来

14.

8、法A FZ、法B CZ、直拉法C、悬浮区熔法D正确答案BC答案解析只有直拉法能制造处直径大于的单晶硅锭，直拉法200mm又称法，其中英寸的晶圆直径为CZ8200rml1电镀的主要目的是增强暴露在塑封体外面的引线的（）和（）

15.、抗腐蚀性A、防水性B、抗氧化性C、美观性D、耐高温能力E正确答案AC以下对重力式分选机设备进行并行测试的描述正确的是（）

16.、单项测试且连接一个测试卡A、多项测试且连接多个测试卡B、可选择多进行测试C SITES、只能是进行测试D2SITES正确答案AC答案解析并行测试一般是进行单项测试，可根据测试卡的数量进行测试lsite/2sites/4sites.晶圆切割完成后需要先经过（）和（）工序，方可进入芯片粘接工17序、晶圆清洗A、晶圆抛光B、第一道光检C、第二道光检D正确答案AD答案解析晶圆切割之后需先经过晶圆清洗将切割过程中产生的硅粉尘清除，以及第二道光检将切割过程产生的不良品剔除，方可进入芯片粘接工序.电子文档一般指原始设计文件，文件后缀一般为（）18CAD PCB、A.SchDoc、B.PcbDoc、C.Dre、D.GerberDoc正确答案AB.属于氧化层表面缺陷的是（）

19、白雾A、针孔B、斑点C、层错D正确答案AC答案解析氧化层缺陷包括表面缺陷、体内缺陷表面缺陷有斑点、裂纹、白雾等，可用目检或显微镜检验；体内缺陷主要有针孔和氧化层错在原理图编辑器内，执行命令，显示封装

20.Toolsf FootprintManager管理对话框，在该对话框的元件列表）区域，显示原（ComponeneList理图内的所有元件，鼠标选择每一个元件可以（）当前选中元件的封装、添加A、删除B、编辑C、复制D正确答案ABC以下属于产生静电而造成的危害有

21.、干扰飞机无线电设备的正常工作A、因静电火花点燃某些易燃物体而发生爆炸B、电火花会引起爆炸C、造成集成电路和半导体元件的污染D正确答案ABCD.每盘卷盘完成编带后，需要在卷盘上整批芯片编带完成后，需22要进行、热封A、贴标签B、清料C、切带D正确答案BC答案解析每盘卷盘编带完成后，需要在卷盘上贴上小标签，标签上包含产品名称、产品批号等信息，以便后面环节的信息核对整批芯片编带完成后，需要核对芯片的总数、合格数与不合格数与触摸屏上的计数是否一致核对一致后将结果记录在随件单上，并在编带机显示界面进行结批.倒角的目的是:、、

23、防止晶圆受到撞击而导致边缘破裂A、防止热应力产生的缺陷在边缘产生并阻止其向内部移动B、增加晶圆边缘的平坦度C、去除晶圆表面微量的损伤层D正确答案ABC答案解析倒角的目的是

①防止晶圆受到撞击而导致边缘破裂；

②防止高温产生的热应力［］导致的缺陷在边缘产生，并阻止其向内部移动；1

③增加晶圆边缘的平坦度，为后续工序做准备抛光是为了去除晶圆表面微量的损伤层，获得更光洁平整的表面防静电铝箔袋具有三大功能

24.、防潮A、防静电B、防电磁干扰C、防尘D正确答案ABC答案解析防静电铝箔袋具有防静电、防电磁干扰、防潮三大功能,具有良好的防水、阻氧、避光等特点，可以最大程度地保护静电敏感元器件免受潜在静电危害.对于电阻、电容、电感等电子元器件性能参数进行测量，其中有关25的性能参数有（）、伏安特性曲线A、极限值与额定值B、标称值C、颜色与质量D正确答案ABC.编带外观检查结束后，打印的标签需要贴在（）上

26、防静电铝箔袋A、内盒B、编带盘C、料盘D正确答案ABC

三、判断题（共题，每题分，共分）

35135.列语句的含义是启动定时器，等待中断〉1TIM6-CTCO_b.COUNTEN=1；”、正确A、错误B正确答案A.编带外观检查的主要内容有载带是否有破裂、沾污、破损；盖带2是否有压定位孔或露出底边、起皱、压痕、气泡、脱胶；编带中有无不良品或放反芯片等不合格情况（）、正确A、错误B正确答案A电子产品性能测试包括几何性能测试、物理性能测试和功能性测试

3.、正确A、错误B正确答案A是反相器

4.74HC

04、正确A、错误B正确答案A.打标时首先需要试片进行确认，先完成一个框架条的打标，若刻写5位置无误、刻写线均匀、文字图案都清晰无误，打印没有问题，即可开始批量生产、正确A、错误B正确答案A答案解析打标首先需要试片进行确认，先完成一个框架条的打标目视检测试片，打印没有问题，开始批量生产；若有问题则需重新调整.封装工艺中要先进行晶圆切割，放置晶圆时晶圆需正面朝上放入切6割机承载台的吸盘上，调整晶圆贴片环位置，使定位缺口与定位钉位置一致，保证晶圆能够平整、稳固的吸附在吸盘上、正确A、错误B正确答案A.在管装外观检查中，如果发现芯片的方向不一致，要用零头盒中合7格的芯片进行替换、正确A、错误B正确答案B答案解析芯片方向不一致时，可以将芯片方向进行调整，不需要替换芯片热氧化的层错的形成是在含氧的气氛中，由表面和体内某些缺陷先构

8.成层错的核，然后在高温下核运动加剧，形成了层错、正确A、错误B正确答案A单片机的所有口具有可编程的上下拉、开漏输出模式、

9.LK32T102I/O数字输入滤波以及输入反相，具有可编程的两档驱动能力，部分可I/O用作外部中断输入，支持边沿和电平触发、正确A、错误B正确答案B项目是每项电子产品设计的基础，在一个项目文件中包括设计中生

10.成的一切文件，比如原理图文件、图文件、各种报表文件及保留PCB在项目中的所有库或模型、正确A、错误B正确答案A.在写方波发生器程序时-〉11PWMO-TBPRD=200；PWM0CMPA=400；决定了的占空比为PWM200/400=50%o、正确A、错误B正确答案B.将烘烤完成的晶圆从烘箱中取出后，不需要核对晶圆印章批号和晶12圆测试随件单信息、正确A、错误B正确答案B答案解析将烘烤完的晶圆从烘箱中取出，用晶圆镶子从高温花篮中夹取晶圆，核对晶圆印章批号和晶圆测试随件单是否一致，核对无误后，根据晶圆片号，依次放入常温花篮对应的花槽内，准备进行外检.晶圆检测工艺中，利用全自动探针台进行扎针深度调节时，界面的13初始值为0o、正确A、错误B正确答案A.拼零操作前，为了保证芯片的合格率，需要检查零头库中取出的芯14片电路、正确A、错误B正确答案A.封装工艺的芯片粘接环节，芯片拾取时吸嘴按顺序依次吸取蓝膜15上的每一颗芯片、正确A、错误B正确答案B.如果发现编带抽真空质量不合格，可以将原标签撕下，贴在新的防16静电铝箔袋上、正确A、错误B正确答案B答案解析如果发现编带抽真空质量不合格，需要重新抽真空在重新抽真空之前，需要重新贴标签，新的标签需要重新打印墨管需要冷藏存放

17.、正确A、错误B正确答案A.从反向设计和版图识别考虑，还需要清楚实际的版图

18、正确A、错误B正确答案A编带机的上料方式与转塔式分选机相似，都是将待装有测芯片料管

19.推出，上料夹具夹起料管，芯片根据自身重力沿轨道下滑、正确A、错误B正确答案B封装工艺中，激光打标可以留下永久性标记

20.、正确A、错误B正确答案A.排片机完成自动排片后，工作人员将排完片的模具放置到模具加热21座上进行加热、正确A、错误B正确答案B答案解析排片机完成自动排片后，直接在排片机上预热.有加温测试要求的晶圆不需要再进行烘烤

22、正确A、错误B正确答案A；中设置为表示输出；表示输入

23.PB-OUTEN=OxOOff I/O

01、正确A、错误B正确答案B•元器件在印刷板上的分布应尽量均匀，疏密一致，排列整齐美观不24允许斜排、立体交叉和重叠排列、正确A、错误B正确答案A.在“管理技术库”对话框中，单击按钮，表明将设计库与技25Attach术库相关联、正确A、错误B正确答案A单晶硅生长结束后，用四探针技术测量单晶硅锭的电阻率

26.、正确A、错误B正确答案A答案解析电阻率的测量可采用四探针技术进行测量.将花篮放在承重台上后，可以直接按确认键开始下降

27、正确A、错误B正确答案B答案解析将花篮放在承重台上后，需要前后移动花篮，确保花篮卡槽与承重台密贴，然后再按下确认键使花篮和承重台下降到指定位置晶圆检测工艺中，探针与晶圆上焊点接触的好坏将直接影响测试结

28.果、正确A、错误B正确答案A是常用接插件库

29.MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLib、测前光检-测后光检T芯片分选-测试A►►、芯片分选-测前光检-测后光检-测试B►►►、测前光检T测试T测后光检T芯片分选C、测前光检T测后光检T测试T芯片分选D正确答案C.利用平移式分选设备进行芯片测试时，设备在测试区完成测试后,会6进入（）环节、分选A、真空包装B、外观检查C、上料D正确答案A常用的干法去胶方法有（）

7.、溶剂去胶A、氧化剂去胶B、等离子去胶C、介质去胶D正确答案C答案解析常用的去胶方法有溶剂去胶、氧化剂去胶、等离子去胶,其中干法去胶的方法为等离子去胶在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的

8.工艺是（）、薄膜制备A、光刻B、刻蚀C、金属化D正确答案B答案解析在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是光刻.转塔式分选机日常维护包括（）

9、不易保养的部位进行拆卸检查A、更换磨损部件B、紧固螺丝，电气电路的检查C、选项都包括D ABC正确答案D、正确A、错误B正确答案B.把硅片片对离子注入的方向倾斜可抑制通道效应3030°、正确A、错误B正确答案B答案解析只需把晶片对离子注入的方向倾斜即可0~15°利用四探针法检测单晶硅锭的导电类型时，可以利用检流计的偏转

31.方向的不同确定被测硅锭是型半导体还是型半导体N P、正确A、错误B正确答案B.利用平移式分选机进行芯片测试时是采用压测的方式，压测可以同32时完成多个芯片的测试，并且各个芯片能够均匀受力，确保各个工位的芯片引脚和测试座稳定接触、正确A、错误B正确答案A.穿无尘衣时，发罩、连帽和口罩穿戴的顺序是先戴好发罩再将无33尘衣的连帽套上，然后戴上口罩、正确A、错误B正确答案A答案解析穿无尘衣时，先将衣服套上，然后戴上发罩，再将无尘衣的连帽套在发罩的外面，最后戴上口罩，口罩固定绳套在连帽的外面风淋时到达设定时间后风淋结束，风淋室自动解锁，此时可打开风

34.淋室内门，进入车间、正确A、错误B正确答案A答案解析风淋到达设定值后，风淋室的门］自动由关闭状态变为开启，此时可打开风淋室的门进入车间.在进行反相器电路设计过程中，在一行中，可以填入行数35Array与列数，以阵列形式放置器件、正确A、错误B正确答案A.重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料管，应采取10的处理方式、人工加待测料管A、人工换料管B、人工加空料管C、人工将卡料取出D正确答案A答案解析重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料，需要人工加待测料管在控制灯的任务中，的意思是

11.LED PB-0UTEN=0x00ff

0、设置为输入方式A PB0~PB

7、设置为输出方式B PB0~PB

7、设置为高电平C PB0~PB

7、设置为低电平D PB0~PB7正确答案B元器件的标志方向应按照图纸规定的要求，若装配图上没有指明方

12.向，则应使标记向外易于辨认，并按照的顺序读出、从左到右、从上到下A、从右到左、从上到下B、从右到左、从下到上C、从左到右、从下到上D正确答案D.芯片检测工艺中，管装装内盒时，在内盒上贴有种类型的标签

13、A

4、B

1、C

3、D2正确答案D.该图是的版图

14、触发器A D、一位全加器B、传输门C、与非门D正确答案A.晶圆检测工艺中，进行晶圆烘烤时，温度一般设置在℃15o、A

130、B

110、C

120、D150正确答案C.重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将检测16结果通过把结果传回分选机、A GPIB、数据线B、串口C、D VGA正确答案A.切筋成型工序中，设备在完成模具内的切筋与成型步骤后，下一步17是、装料A、下料B、核对数量C、人工目检D正确答案B.芯片检测工艺中，整批芯片完成外观检查后，需要进入环节

18、测试A、上料B、真空包装C、编带D正确答案C重力式分选设备进行芯片并行测试时，在测试轨道完成芯片测试后，

19.下一环节需要进行操作、外观检查A、上料B、分选C、真空入库D正确答案C的管理方式相较于多的一项内容是

20.“6s”“5s”，、整理A、整顿B、清洁C、安全D正确答案D答案解析即整理、整顿、清扫、清洁、素养管理是的升级，5S6S5S即整理、整顿、清扫、清洁、素养、安全（）6s SECURITY在用万用表测量晶体管、电解电容等有极性元件的等效电阻时，必

21.须注意（）、选择欧姆挡位A、选择较大量程B、注意两支笔的极性C、以上都是D正确答案C.平移式分选机设备分选完成后，进入（）环节

22、上料A、测试B、外观检查C、真空入库D正确答案C答案解析平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为上料一测试一分选一外观检查一真空包装.有关开路测试不正确的是（）

23、管脚正常连接和地之间会存在一个压差，其大小为与地A pin1pin1之间的二极管的导通压降，大约在左右如果改变电ESD

0.6〜

0.7V压方向，电压的测量结果大约为-左右V

10.6〜-

0.7V、管脚出现开路二极管被断开，和地之间的电阻会无限大，B ESDpin1在管脚施加负电流时，的电压会无限小（负压）在实际情况中，V1电压会受测试源本身存在的钳位电压，或者受电压量程挡位限制达到一个极限值、管脚出现短路二极管被短路，和地之间的电阻接近为C ESDpin10欧姆，此时不管施加多少电流，都接近于V10V、测量和之间的通断情况，则可以将通过测试源加到D Pin1VDD VDD利用电流和二极管的正向导通压降进行测量和判断此时0V,I2D2I2的电流方向和的电流方向相同，此时的电压为正电压正确答案11V1D.平移式分选机设备分选环节的流程是（）

24、分选■吸嘴吸取芯片-收料A►►、吸嘴吸取芯片T分选T收料B、吸嘴吸取芯片T收料T分选C、分选T收料T吸嘴吸取芯片D正确答案B答案解析平移式分选机设备测试环节的流程是吸嘴吸取芯片一分选f收料.在一个花篮中有片号的晶圆，其中片号为的晶圆需2510/15/20/2515放在花篮编号为（）的沟槽内、A

10、B

15、C

20、D25正确答案B答案解析导片时需保证晶圆片号与花篮编号一致因此，片号为15的晶圆需放置在花篮编号为的沟槽内

15.扎针测试的步骤是（）

26、输入晶圆信息T测试-清零T检查扎针情况（有异常）T异常情况A►处理T继续测试T记录测试结果、输入晶圆信息T测试T检查扎针情况（有异常）T异常情况处理TB清零T继续测试T记录测试结果、输入晶圆信息T检查扎针情况（无异常）T测试-清零T继续测试C►T记录测试结果、输入晶圆信息T清零T测试T检查扎针情况（无异常）T继续测试DT记录测试结果正确答案D答案解析扎针测试时，在界面输入晶圆信息并进行核对，核对信息一致后需要进行清零，清零是为了保证晶圆的零点与检测图上的零MAP点位置一致，防止出现探针未按照设定运行轨迹进行扎针测试的现象确认清零后，点击开始按钮进行扎针测试当测至颗左右时需检查500扎针情况，若无异常则继续进行测试，测试完成后记录测试结果，若有异常则需要进行相应处理后再继续测试.晶圆检测工艺中，在进行打点工序以后，需要进行的工序是（）、27A烘烤、外观检查B、扎针测试C、扎针调试D正确答案A晶圆检测工艺对环境的其中一项一一温度的要求范围是℃

28.、A22±

3、B20±

5、C25±

3、D20±3正确答案A答案解析晶圆检测工艺对环境的要求测试车间符合万级洁净区10标准，温度常年保持在湿度保持在22±3℃,45±15%.｛平移式分选机进行芯片检测时，芯片在该区域的操作完成后会进29入区域｝、上料A、待测B、测试C、分选D正确答案D答案解析该图红色所框区域有字型的测压手臂，为平移式分选机L设备芯片检测工艺的测试区域测试完成后，会根据测试结果进行分选.采用全自动探针台对晶圆进行扎针调试时，若发现单根探针发生偏30移，则对应的处理方式是、更换探针测试卡A、相关技术人员手动拨针，使探针移动至相应位置B、调节扎针深度C、利用微调档位进行调整D正确答案B.平移式分选机设备的上料步骤正确的是

31、待测芯片上料T吸嘴转移芯片T空料盘替换A、吸嘴转移芯片T待测芯片上料T空料盘替换B、空料盘替换T待测芯片上料T吸嘴转移芯片C、吸嘴转移芯片T空料盘替换T待测芯片上料D正确答案A答案解析平移式分选机设备的上料步骤为待测芯片上料一吸嘴转移芯片f空料盘替换重力式外观检查是在环节之前进行的

32.、编带A、测试B、分选C、真空包装D正确答案D答案解析重力式分选机设备芯片检测工艺流程上料一测试一分选一编带-外观检查一真空包装SOP晶圆切割的作用是

33.、对晶圆边缘进行修正A、将完整的晶圆分割成单独的晶粒B、在完整的晶圆上划出切割道的痕迹，方便后续晶粒的分离C、切除电气性能不良的晶粒D正确答案B答案解析晶圆切割将整片晶圆切割成一颗颗独立的晶粒，用于后续集成电路的制造.平移式分选机进行芯片分选时，吸嘴从上吸取芯片

34、收料盘A、待测料盘B、入料梭C、出料梭D正确答案D答案解析平移式分选机进行芯片分选时，吸嘴从出料梭上吸取芯片.第一次在软件上写完程序编译时应当点击35keil、A

2、B

1、C

234、D

4、E3正确答案A.封装工艺中，装片机上料区上料时，是将的引线框架传送到进料36槽、底层A、顶层B、任意位置C、中间位置D正确答案A.打点过程中，在显微镜下看到有墨点偏大出现时需要进行的操作是37（）、调节打点器的旋钮A、调节打点的步进B、更换墨管C、更换晶圆D正确答案C答案解析出现墨点大小点等情况时需更换墨管.晶圆检测工艺中，在进行上片之前需要进行（）操作

38、导片A、加温、扎针调试B、扎针测试C、打点D正确答案A答案解析晶圆检测工艺流程导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘烤一外检一真空入库.电子产品的几何测试的主要用到的工具是（）

39、镀层测厚仪A、千分尺B、量规C、以上都是D正确答案D

二、多选题（共题，每题分，共分）26126在全自动探针台上进行扎针调试时，需要根据晶圆测试随件单在探针

1.台输入界面输入的信息有（）、晶圆产品名称A、晶圆印章批号B、晶圆片号C、晶圆尺寸D、轴步距尺寸E X。