882半导体物理与器件

题号牛》

1.半导体中的电子状态半导体晶体结构与化学键性质；半导体中电子状态与能带；电子的运动与有效质量；空穴和回旋共振；元素半导体和典型化合物半导体的能带结构

2.半导体中杂质和缺陷能级元素半导体中的杂质能级；化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级

3.半导体中载流子的统计分布状态密度及Fermi能级；载流子统计分布；本征和杂质半导体的载流子浓度；补偿半导体的载流子浓度；简并半导体的定义

4.半导体的导电性载流子的漂移运动；迁移率及截流子的散射；迁移率与杂质浓度和温度的关系；电阻率与杂质浓度和温度的关系；强场效应与热载流子

5.非平衡载流子非平衡载流子的产生与复合；非平衡载流子寿命；准费米能级；复合理论及陷阱效应；非平衡载流子的扩散与漂移；爱因斯坦关系及连续性方程

6.pn结理论空间电荷区的形成；不同偏压下的pn结能带图及参数变化；内建电势差、势垒电容的定义；单边突变结的特性与属性

7.pn结二极管基本工作原理理想pn结电流-电压关系；不同偏压下的pn结电荷流动机制；空间电荷区边缘少子浓度的边缘条件；短二极管及扩散电容；产生与符合电流；雪崩击穿机制

8.金-半异质结肖特基势垒二极管在不同偏压下的能带图；肖特基势垒二极管的原理;欧姆接触及隧道效应；二维电子气的定义

9.双极晶体管基本工作原理双极晶体管的基本结构、原理及少数载流子分布；低频电流增益和非理想效应；双极晶体管的等效电路模型；频率特性和开关特性

10.金属一氧化物-半导体场效应结构物理基础M0S结构的物理性质；能带结构与空间电荷区；平带电压与阈值电压；电容电压特性

11.MOSFET基本工作原理MOSFET基本结构；MOSFET电流电压关系；衬底偏置效应；MOSFET的频率特性；闩锁现象

12.MOSFET器件的深入概念MOSFET中的非理想效应;MOSFET的按比例缩小理论;小尺寸器件的阈值电压;MOSFET器件的击穿特性

13.结型场效应晶体管基本工作原理JFET和MESFET的基本工作原理；内建夹断电压和夹断电压的定义；JFET非理想效应；。