国际集成电路的命名方法及定义

外集成电路命名方法国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法缩写字符译名先进微器件公司AMD（美）器件型号举例说明AM29L509P C BAMD首标器件编号封装形式温度范围分类“L”低功耗；D铜焊双列直插C商用温度，没有标志的HS肖特基；（多层陶瓷）；0・70℃或为标准加工HLS低功耗肖特基；L无引线芯片载体0-75℃；产品，标有21MOS存储器；P塑料双列直插；M军用温度，的为已25中标准（MSI）；E扁平封装（陶瓷扁平）；-55-125℃；老化产品计算机接口；管芯；商用，26X H双极存储器或；塑料球栅阵列；℃；27EPROM A0-110^28MOS存储器理；B塑料芯片载体I工业用，双极微处理器；、密封双列；℃；29C D-40-85同；薄的小引线封装；工业用，54/7425E N

60、

61、66模拟，双极；G陶瓷针栅陈列；-25〜85°C；电信（

79、、、、塑料特殊军用，Z YU K H K80MOS微处理器；四面引线扁平；•30〜125℃；、和双极处围电路；塑料芯片载体（）；限制军用，8182MOS J PLCC L90MOS；L陶瓷芯片载体（LCC）；-55-85℃、薄的四面℃91MOS RAMV M1250；引线扁平；92MOS双极逻辑存储器、塑料双列；93P R；塑料小引线封装；94MOS S外围电路；晶片；95MOS W1004ECL存储器；也用别的厂家的符号存储器；塑料双列；104ECL P:PAL可编程逻辑陈列；NS、N塑料双列；；、密封双列；98EEPROM JSJ存储器扁平；99CMOS W陶瓷芯片载体；R陶瓷针栅陈列；A塑料四面引线扁平；NG、陶瓷双列Q QSSAD644A H/883B温度范围封首标器件附加说明4支形式筛选水平ANA第一符号塑料双列；扁平（两边引线）；F-40-85P F数字电路；四列封装；扁平（四边引线）；S G-55-85Q GT模拟电路；如果器件是在别U芯片K菱形（TO-3系列）；模拟/数字混合电路的温度范围，可多列引线（双、

三、四U M第二符号不标，亦可标“A列除外）；除表示混合电路四列直插；Q外，其它无规定；功率四列（外散热片）；R.微机电路用两位符号单列直插；3S表示三列直插TMA微计算机和CPU；第二位表示封装材料位片式处理器；金属-陶瓷；MB C存储器有关电路；玻璃-陶瓷｛陶瓷浸渍）；MD G其它有关电路〔接金属；ME M口，时钟，外围控塑料P制，传感器等）（半字符以防与前符号混淆）该公司同时生产与其它厂家相同型号的产品缩写字符译名精密单片公司（美）PMI器件型号举例说明DAC08E X器件系列器件电特性等级封装转换器；编号线圆壳；ADC A/D H6TO-78AMP测量放大器；J8线圆壳TO-99；缓冲器（电压跟随器）；线圆壳；BUF K10T0100电压比拟器；环氧树脂双列直插；CMP P转换器；线陶瓷双列；DAC D/A Q16信号别离器；线陶瓷双列；DMX R20滤波器；线芯片载体；FLT RC20通用模拟信息处理器；线陶瓷双列；GAP T28产品；线芯片载体；JAN M38510TC28对管；线陶瓷双列；MAT V24MLT乘法器；X18线陶瓷双列；多路转换器；丫线陶瓷双列；MUX14精密运算放大器；线陶瓷双列OP Z8峰值检波器；线陶瓷双列；PKD W40仿制的工业标准产品；线密封扁平；PM L10电压基准；线密封扁平；REF M14线转发器；线密封扁平RPT PCMN24采样/保持放大器；SMP用户线接口电路；SLC模拟开关；SW优良的仿制提高标准产品SSS该公司并入公司ANA缩写字符译名特性半导体PRSC器件型号举例说明P74FCT XXX X X首标温度产品系列器件封装温度范围；℃；编号塑料双列；℃；P performance740-70P:C0-70静态存储器；型小引线塑料℃；P4C54-55-125J:J M-55-125适于特殊双列；的级9SRAM SOJ MB883c B℃o陶瓷双列；D侧面铜焊双列；C芯片载体；L小引线塑料双S列；SOIC陶瓷DW600mil双列缩写符号译名高级半导体公司QSI器件型号举例说明QS8XXX XXX XX X首标器件编号速度封装加工；存取时间塑料双列；没标标准工业用8XXX SRAMP:陶瓷双列；℃；7XXX FIFOo D0-70陶瓷芯片载体；的L B883小引线封装双列；℃；SO-55-125乙塑料单列双线；工业用ZIP MQ四面引线封装QSOP；-55-125℃o型小引线双列V SOJJQSXX FCTXX XX X首标温度系列器件封装加工54〔・55~FCT快编号P:塑料双列；没标标准工业用捷℃；陶瓷双列；℃；125D0-70；CMOS℃快陶瓷芯片载体；的740-70o QSTL B883速开关小引线双列封装；℃；SO-55-125塑料；工业用Z ZIPM℃Q QSOPo-55-125o缩写字符译名吉劳格公司（美）ZIL器件型号举例说明Z8400B PS首标器件编号速度封装温度范围空白C陶瓷；E-40-85℃；；陶瓷浸渍；℃

2.5MHz DM-55-125；塑料；℃A

4..0MHZ PS0-70o；陶瓷四列；B

6.0MHz Q；陶瓷背的H

8.0MHz R低功耗的L缩写字符译名美国无线电公司（现为公司）RCA GE—RCA器件型号举例说明CD4070A D类型器件编号封装线性电路；改型，代替原型；陶瓷双列〔多层陶瓷）；CA AD数字电路；改型，代替或塑料双列；CD CMOS B AE；原型；变形的塑料双列（有散热板）；COM CMOSLSI EM；改型；陶瓷双列，烧接密封；COP CMOSLSI CF；不带缓冲芯片；CMM CMOSLSI UBH；二层陶瓷芯片载体；MWS CMOSLSI J线性电路；陶瓷扁平封装；LM KPA门阵L单层陶瓷芯片载体；封装（有散热板）；M TO-220有散热板的塑料双列封装；P四列塑料封装；Q变形的四列封装QM封装（双列型）；S TO-5封装（标准型）；T TO-5封装（射线型引线）；V1TO-5参差四列塑料封装W该公司并入公司Harris缩写符号译名硅通用公司［美）SGL器件型号举例说明SG108A T器件编号说明封装SGL首标改良性能；扁平封装；A F缩小温度范围陶瓷双列（、、线）；C J141618；K^TO-3芯片载体；L线小型塑料双列；M8塑料双列（、线）；N1416封装；P TO-220线、线金属壳）；R TO-66[29型（、、、、、型）；T TO-5399699100101线带散热片的陶瓷双列；W16线陶瓷双列；Y8大于的功率封装S15W缩写字符译名意大利国家半导体公司SGSI器件型号举例说明（采用欧洲共同体、、的符号）PRO ELECTRONTDA1200XX X/X首标器件编号封装及封装材料质量等级首位字母表示封装T模拟电路；单子母表小模拟/数字混合电路；圆壳；U C第二位字母表示双列直插；D没规定含义功率双列；E双字母表示扁平封装FFA〜FZ、两十母表小GA〜G乙数字电路，系列有别首位（表示封装）单字母表示圆壳；C单片数字电路双列直插；S D另外的首标含义功率双列（带散热板）；E高电平逻辑；扁平封装；H F、；四边引线扁平封装；HB HC CMOSIC G、线性电路；菱形（・型）；L LSK TO3电路；多列直插；M MOSM、、、四列直插；TAA TBA TCA TDAQ线性控制电路功率四列（带散热板）；R第一位字母表布温度范围S单列直插；没规定范围，或非以下温度范围；三列直插AT℃；第二位表示封装材料；B0-70℃；金属•陶瓷；C[-55-125C℃；玻璃■陶瓷双列；D-25-70G1℃；金属；E-25-85M℃；塑料F-40-85P℃G-55-85o该公司与法国公司联合组成公司，产品型号有所变化除采用首标外，还生产与别的厂THOMSON SGS-THOMSON ST家型号完全相同的产品缩写符号译名三洋公司日SANYO TSAJ1器件型号举例说明LA1230首标器件编号双极线性电路；LA双极数字电路；LB电路；LC CMOS电路；LE MNMOS、电路；LM PMOSNMOS厚腊电路；STK薄膜电路LD缩写符号译名西格尼蒂克公司美SIC器件型号举例说明NE5534N首标器件编号封装当有第二位字母时表示温度范围芯片；表示引线数CK、、℃微型塑料；；75N NE0-70D SOB3℃；金属壳；0-75E TO-46,TO-72C

4、、线封装；；55S SE4E8℃；陶瓷浸渍扁平；；-55-125F F10℃；芯片载体；；SA-40-85G H14SU-25〜85℃u H金属壳TO-5J16；、线封装；810K18多层陶瓷双列；；I L20・型；；K TO3M22塑料双列；；N N24有接地端的微型封装；；P Q28多层陶瓷扁平；；Q W40氧化被多层陶瓷扁平；；R X44功率单列塑封；；S Y48陶瓷扁平W Z50o同时生产与其它公司相同型号的产品该公司并入公司PHIN缩写符号译名西门子公司（德）SIEG器件型号举例说明（与欧共体相一致）TB B1458A GG首标温度范围器件编号改良型封装第字母表示没规定范围；首位字母表示封装形式AS单片数字电路；B[0〜70°C；C圆壳；模拟电路；℃双列直插；T C-55-125DU模拟/数字混合D-25-70℃；E功率双列（带散热片）；电路E-25〜85°C；F扁平（两边引线）；第二字母，除“扁平（四边引线）；H F-40〜85°C G表示混合电路外，K菱形（TO-3）；其它没明确含义多列引线（双、

三、四列M电路系列由两字母加以除外）；区分Q四列直插；功率四列（带散热片）；R单片直插；S三列直插T第二位字母表示封装材料金属-陶瓷；C玻璃•陶瓷（陶瓷浸渍）；G金属；M塑料P（半字符以防前后符号混淆）缩写符号译名汤姆逊公司（法）THEF器件型号举例说明（与欧共体相一致）TD B0155A DPXX/XX首标温度范围器件改封装附加资料第字母表小没规定范围；编号进第字母表示封装形式A数字电路；℃；型圆形；SB0-70C模拟电路；℃；双列；T C-55-125D模拟/数字混℃；功率双列；U D-25-70E合电路℃；扁平（两边引线）；E-25-85F第二字母有、℃扁平（四边引线）；A F-40-85o GB、C或H KTO・3型；多列引线（多于四排）M四列引线；Q功率四列引线；R单列引线；S三列引线；T第二字母表示封装材料；氧化镀■陶瓷；B陶瓷；C玻璃■陶瓷（陶瓷浸渍）G金属；M塑料；P其它X该公司与意大利公司组成公司SGS SGS-THOMSON产品型号有变化，除首标的产品外，还生产与别的厂家型号完全相同的产品ST老产品型号举例说明SFC2101A PM的首THEF/CSF系列器件改封装温度范围标2线性电路；编号进D塑料小型双列（少于10线）；C0-70℃；微机系列型塑料双列（多于线）；℃；9E10T-25-85陶瓷小型双列（小于线）；℃G10M-55-125o陶瓷浸渍双列〔多于线）；J10陶瓷双列K扁平金属封装；P菱形金属封装；R塑料小型扁平封装；U没标者为金属圆壳封装汤姆逊公司其它局部首标的型号举例说明EF68008V P D10C首标工艺器件温度范围封装质量水平频率用户编号℃；塑料双列；—标准的；范围密码L0-70P或NMOS塑料芯片载PN级V D D STD；HMOS体；℃小引线封装；加老化）L NMOS-40-85],FP Q陶瓷封R PGA低功耗；装；陶瓷芯片载体；E；C CMOSHC陶瓷浸渍双列；JHCMOSo陶瓷双列CET C2716Q55M B/B首标工艺器件封装响应时间温度范围质量水平—标准的陶瓷双列；℃；C—0-70B/B883B；陶瓷浸渍双列℃；NMOS JE-25-85的.CCMOS；N塑料双列;V-40-85℃；紫外线窗口陶Q低功耗℃L M-55-125o瓷浸渍双列MK68901P00首标器件编号封装仪表板编号MK标准产品；P镀金铜焊陶瓷双列；MKB军用高可靠筛选J陶瓷浸渍双列；883B产品；N塑料双列；工业用高可靠筛选镀锡铜焊陶瓷双列；MKI K有透明盖的陶瓷双列；-40〜85℃产品T陶瓷芯片载体；E双密度；D RAM/PAC扁平封装FET68A00C MB/B首标工艺器件编号封装温度范围质量水平陶瓷双列；℃；A NMOSC L0-70大局部;陶瓷芯片载℃；B CMOS/E V-40-85]体；陶瓷浸渍双列；℃G GMOS/Si gateJM-55-125o塑料芯片载FN（硅栅）；体；（样品）原型塑料双列；X PR RGAoJLM108A1V心L_L片器件编号硅片反面质量水平大片加工芯片封装前按方法V MIL-STD-8832023硅；进行目检；1100%镀金；水平的加上批量抽样（封装的）；2N V55IC水平的加上批量抽样老化（封装）；3Si-Ni-Ago TN55IC水平的加上小时批量抽样寿命试验W T1000（55封装）；IC水平的接着试验z W同时有与欧共体相同的编号缩写符号译名得克萨斯公司（美）TII器件型号举例说明TL0728E JG首标器件编号温度范围封装LS183J首标温度范围系列器件编号封装首标符号意义改良的双极电路；标准的数字电路；的线性控制电路；AC SNTL TII跨导放大器；红外光源;逻辑阵歹人TIEF TIES TAL LSTTL军用级；逻辑阵列;军用产品；JANB BIC TATSTTL JAN38510存储器/微处理器；双极产品；微处理器组件；TMS MOSJBP PMOS883c TM马赫级双极电路；双极存储器；双极电路；SNC IV3TBP SNJMIL-STD-883B摄像器件；马赫级电路；通信集成电路；TC CCDSNM IV1TCM抗辐射电路；经外探测器；双极微机电路；RSN TIEDSBPTIL光电电路；SMJMIL-STD-883B MOS电路;VM语音存储器电路；逻辑阵列；双极扫描编程逻辑阵列；线性电路；TAG CMOSTIFPLA TLC CMOS双极可编程阵列逻辑TIBPAL同时采用仿制厂家的首标封装符号、、、陶瓷双列；、、塑料四列扁平封装；金属扁平封装；J JTJW JGPH PQRC T塑料三线；、小引线封装；、缩小的小引线封装；LP D DW DBDL、薄的超小型封装；小引线封装;陶瓷针栅阵列；DBB DGVDBV GB陶瓷扁平封装；、、、塑料功率封装；陶瓷扁平封装；RA KAKC KDKF U塑料双列；黄铜引线框陶瓷双列；、、、陶瓷扁平封装；P JDW WAWC WD、、、、塑封双列；芯片；、薄的再缩小的小引线封装；N NTNW NENF MCDGG PW、、、、、、乙塑料薄型四列扁平封装；PAG PAHPCA PCBPM PNP、、、、、、、、芯牌体FH FNFK FCFD FEFG FMFP数字电路系列符号；；GTL GunningTransceiver LogicSSTL Seris-Stub TerminatedLogic；；CBT CrossbarTechnology CDCClock-Distribution Circuits先进技术/增强收发逻辑；；ABTE BiCMOSFB BackplaneTransceiver Logic/Futurebust没标者为标准系列；低功耗系列；先进逻辑；L AC/ACT CMOS高速系列；先进高速逻辑；先时低压技术；H AHC/AHCT CMOSALVC CMOSS肖特基二极管箝位系列；LS低功耗肖特基系列；BCTBiCMOS总线•接口技术；先进肖特基系列；系列（）；；AS FF FAST CBT CrossbarTechnology先进低功耗肖特基系列；高速逻辑；低压技术；ALS HC/HCT CMOSLV HCMOS先时技术ABT BiCMOS速度标志（电路用）MOS取数；取数;取数；15150nsMAX17170nsMAX20200nsMAX取数；取数；取数；25250nsMAX35350nsMAX45450nsMAX取数；取数；取数2200nsMAX3350nsMAX4450nsMAX温度范围数字和接口电路系列双极线性电路MOS电路、℃；℃；℃；5554-55-125M-55-125M-55-

125、℃；℃；℃；75740-70E-40-85R-55-85电路表示℃；℃；℃；CMOS74-40-85I-25-85L0-70℃℃℃；76-40-85o C0-70o C-25-85℃；E-40-85℃；S-55-100℃H0-55o缩写符号译名公司VTC VTC器件型号举例说明集成电路CMOSV B74ACT240PAD模拟器件编号A第二代产品；I、J、K、L、MD陶瓷或金属气密MIL-STD-HA混合DI介质隔离产0-70°C；双列封装（多层陶883B级A/D；品；A、B、C瓷）；混合〔■；HD乙工作在+12V25-85°C E芯片载体；F陶D/Ao的产品（）S、T、U瓷扁平；E ECL℃-55-125o封装（针栅G PGA阵列）；金属圆壳气密封H装；金属壳双列密封M计算机部件；塑N料双列直插；陶Q瓷浸渍双列（黑陶瓷）；单片的芯片CHIPS同时采用其它厂家编号出厂产品缩字字符译名布尔•布朗公司（美）BUB通用器件型号举例说明ADC803XXXX首标器件编号通用资料温度范围封装筛选水平:改良参数性能；、、铜焊的金属壳封装；高可A JK LM Q自销型；；陶瓷芯片载体；靠产品；L070°C L乙+12V电源工作；A、B、CN塑料芯片载体；/QM HT宽温度范围-25-85℃；P塑封（双列）；MIL、、、铜焊的陶瓷封装R ST VH STD℃（双列）；产品-55-125o883普通陶瓷（双列〕；G小引线封装U模拟器件产品型号举例说明首标器件编号温度范围封装筛选水平H、J、K、LM铜焊金属壳封装；Q身可靠产品;0-70℃；P塑封；/QMMIL-STD-A、B、C（-25・85）℃；G陶瓷883产品XXX、、、R ST V首标附加处理温度系列器件编号封装（辅助程序）74商用-40-85℃；P塑料双列；小时，军用℃；塑料双列（细线）；B16854-55-125PS℃；陶瓷双列；Tj=150S老化或等效处理；陶瓷双列（细线）；DS级筛选；塑料芯片载体（）；J833B PLPLCCR抗辐照DL陶瓷芯片载体（LCC）；塑料PO SOIC注没有不附加处理的双极电路空位V B705D J首标附加处理系列局部编r封装温度和特性B168小时，P塑料双列；A〜I工业用（-25-85）℃；℃塑料双列商用℃；Tj=150,PS J~R0-70老化或等效处理；（细线）；S〜Z军用-55-125℃0J833B级筛选；D陶瓷双列；抗辐照陶瓷双列R J（侧面铜焊）；金属壳；T；G PGA扁平；F塑料芯片载体PL；PLCC陶瓷芯片载体DLLCC注没有不附加处理的缩写字符译名东芝公司（日）TOSJ器件型号举例说明TA7173P首标器件编号封装TA双极线性电路；P塑封；电路；金属封装；TC CMOSM双极数字电路；陶瓷封装；TD C存储器及微处理器扁平封装；TM MOSF电路塑料芯片载体（）；T PLCC；J SOJ（陶瓷浸渍）；D CERDIP乙ZIPo缩写符号译名松下电气公司（日）MATJ器件型号举例说明DN74LS00首标表示系列器件编号模拟；AN IC双极数字；DN IC开发型；MJ IC MN MOSICo缩写符号译名日立公司（日）HITJ器件型号举例说明HA17741P首标系列/器件编号封装模拟电路；（或不标的）陶瓷双列直插封装；HA C数字电路（含）；陶瓷浸渍双列；HD RAMG；塑封双列；HM RAMP；塑料芯片载体；HN ROMCP（）扁平塑料封装；HG ASICoF FP（）小引线封装；SO SOP陶瓷芯片载体（微机电路）；CG8Bit微机电路；Y PG PGA16Bit乙陶瓷芯片载体（微机电路）；16Bit收缩型塑料双列S*PGA PINGRID ARRAYo缩写符号译名集成器件技术公司IDT器件型号举例说明IDT71681LA35CB首标系列器件功耗速度封装温度范围29MSI逻辑电路；编号L或LAP塑料双列；没标（0-70）℃；有限位的微处理器低功耗；塑料薄的双列；级，39TP B833B和逻辑电路；或薄的双列℃MSI SSA TC-55-125o49有限位的微处理器标准功耗（边沿铜焊）；和MSI逻辑电路；TD薄的陶瓷双列；逻辑电路；陶瓷双列；54/74MSI D静态；陶瓷铜焊双列；61RAM C静态［专卖的）；陶瓷铜焊缩小71RAM XC数字信号处理电路；的双列；72部件；针栅阵列）79RISC GGGA子系统模块塑料小引线；7M/8M SOIC（密封的）；塑料芯片载体；J子系统模块陶瓷芯片载体；7MP/8MP L（塑封）精细树脂芯片XL载体；适中的树脂ML芯片载体；陶瓷封装；E扁平封装；F管芯U℃-55-125o军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器）/ADC/VFCOPA105X M/XXX首标器件编号温度氾围封装【曷口罪性等J级℃；金属的；V-55-125M MIL-STD-883B℃；芯片载体U-25-85L℃W-55-125o的型号举例说明DACDAC87X XXXX/XXX首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B表示℃；互补二进制电压输出；V:-55-125CBI V℃输入；电流输出U-25-85o1互补余码补偿COB二进制输入；互补直接二进制CSB输入；互补的两余码CTC输入首标的意义转换器；ADC A/D运算放大器；OPA有采样/保持的转换器;ADS A/D仪用放大器；放大器INA转换器；DAC D/A可编程控增益放大器;PGA多路转换器；MPC隔离放大器转换器ISO、音频和数字信号处理的PCM和转换器A/D D/A多功能转换器；MFC系统数据模块；SDM乘法器；MPY采样/保持电路SHC模拟函数除法器；DIV对数放大器LOG电源（转换器）；PWS DC/DC电源（同上）；PWR混杂电路VFC电压■频率转换器;REF基准电压源;频率产品发射机；通用有源滤波器XTRUAF接收机RCV缩写字符译名丝柏（）半导体CYSC CYPRESS器件型号举例说明CY7C128-45CMB首标系列及速度封装温度范围加工器件编号塑料针栅阵列；℃；高可靠B C0-70B陶瓷双列；℃；D L-40-85扁平；℃F M-55-125o针栅阵列［）；G PGA密封的（芯片载体）；H LCC（密封芯片载体）；JPLCC；K CERPAK；L LCC塑封；P；Q LCC；R PGA小引线封装（）；S SOIC；T CERPAK；V SOJ（陶瓷双列）；W CERDIP小方块（）；X dice密封双列；HD密封直立双列；HV塑料扁平单列（）；PF SIP塑料单列（）；PS SIP塑料PZ ZIP缩写字符译名仙童公司（美）FSC器件型号举例说明|JA741TC首标器件封装形式温度范围FSC仙童（快捷）电路编号密封陶瓷双列封装商用温度（）℃；F DC0-70/75混合电路；（多层陶瓷双列）；℃SH[CMOS-40-85]|JA线性电路E塑料圆壳；M军用温度（-55-125）密封扁平封装（陶瓷扁平）；电路；F LMOS-55-85°C金属圆壳封装；混合电路（）℃；H-20-85铜焊双列封装（）；工业用温度（）℃J TO-66V-20-85,金属功率封装℃K TO-3-40-85o金属菱形；塑料双列直插封装；P密封陶瓷线双列封装；R8混合电路金属封装陶瓷S双列，系列；F6800塑料线双列直插封装；T8塑料功率封装；U TO-220塑料功率封装；U1塑封；W TO-92细长的塑料双列；SP细长的陶瓷双列；SD陶瓷芯片载体；L塑料芯片载体；Q小引线封装S SOICO该公司与合作，专门生产数字集成电路除原有的、、、、、、NSC54/74TTL HTTLSTTL LSTTLASTTL ALSTTLFAST等外，还有的内含、、、、等系列CMOS FACT,54/74AC ACTACQ ACTQFCT缩写字符译名哈里斯公司美HAS器件型号举例说明H M16508B2系列封装器件种类/产品温度范围HAS音标模拟电路；芯片编号等级种类℃；A01:-55-200通信电路；陶瓷双列；℃；C1COMS:2:-55-125数字电路；铜焊的陶瓷双列；类；℃；D1B A:10V4:-25-85滤波器；金属圆壳；高速■低功耗；℃；F2TO5B:5075接口电路；环氧树脂双列；商用的；没标℃抽测I3D:6100%25存储器；芯片载体；的为一般产品小批；M4高压模拟电路；塑料芯片载体；双极表示温度范围V4P7“5可编程逻辑；混合电路再设计，双金属的的可靠产品；PL5LCC A:IWJ多片组合电路陶瓷衬底；有功率降额选择的；产品；Y P8MIL-STD-883B小型陶瓷双列；锁定输出的；〕℃；7R9-40-85扁平封装有功率降额限9RP9+1-40-85°C,制的锁定输出己老化产品；没标的为一般产品.抗辐射产品RH产品等级高速；A:甚高速；B:没标的为一般速度.局部器件编号二极管矩阵；微处理器;；接口；Oxxx61xx63xx CMOSROM64xx CMOS；；；；；双极；65xx CMOSRAM66xx CMOSPROM67xx COMSEPROM76xx PROM可编程逻辑77xx系列型号举例说明80C86M D82C59A SIB温度封装器件速度高可靠产品MHz商用（）℃；塑封；编号外围电路已老化，次冲击的C0-70P B8工业用（）℃；陶瓷双列；；+已老化，I-40-85D55MHz军用℃；芯片；空白:；工业温度等级；M-55-125X8MHz℃芯片载体（陶瓷）；电路℃；X25o RCPU/883-55-125塑料芯片载体空白:；产品S5MHz MIL-STD-88328MHZ0微波电路产品的通用符号系列系列封装放大器）；线金属密封扁平封装；A IGaAsFET132数字电路（）；线金属密封扁平封装；D:GaAs216；线金属密封扁平封装F:FETGaAs348单片微波集成电路；M:高功率（）；P FETGaAs模拟电路（）；R GaAs同时生产其它厂家相同型号的产品缩写字符译名英特希尔公司（美）INL器件型号举例说明ICL8038CCPD器件系列器件编号电温度范围封装外引线数符号混合驱动器；存储器件特［除、、外）；；D DDG GA TO-237A8混合多路；命名法性℃塑料扁平封装；G FETM-55-125B B10线性电路;首位数表示℃；；；ICL I-20-85C TO-220C12钟表电路；工艺；℃陶瓷双列；；ICM6CMOS C0-70oDD14混合/模拟门；工艺；、、的温度小型・；；IH7MOS DDG GE TO8E16存储器；第二位数表示范围陶瓷扁平封装；IM FF22模拟器件；处理单元；℃；；AD1A-55-125H TO~66I16G24模拟开关；；℃；线（跨距为）；DG3ROM B-20-85O6”X

0.7“H42单片模拟开关；接口单元；℃密封混合双列；；DGM4C0-70o I28混合电路；；陶瓷浸渍双列；ICH5RAM JJ32混合；；（黑瓷）；；；LH IC6PROM K35线性；第

二、四位数表；；LM ICK TO-3L40高压开关；示无引线陶瓷载体；；MM LM48产品；芯片型号塑料双列;；NE SICP N18产品；；SE SICS TO-52P20亦是；T TO-5Q2；TO-78JO-99R3TO-100S4；］亦是；U TO-72T6；TO-18JO-71U7；（引线径）；V TO-39V

80.2”；［引线径）Z TO-92W

100.23”大圆片；（引线径/W Y8芯片，端与壳接）；/D

0.2”4引线径z

100.23”,端与壳接）5该公司已并入公司HAS缩写字符译名摩托罗拉公司（美）MOTA器件型号举例说明MC1458P首标器件编号封装有封装的；；陶瓷双列直插（或线）；MC IC1500-1599L1416MCCIC芯片；-55-125℃军用线性U陶瓷封装；低价塑封功能电路；电路；金属壳型；MFC GTO-5梁式引线的芯片；、金属功率型封装型；MCBC IC140054993400-3499R TO66扁平封装的梁式引线；（）℃线性电路;金属功率型封装；MCB IC0~70K TO-3倒装的线性电路；、陶瓷扁平封装；MCCF130053993300-3399FMLM与NSC线性电路消费工业线性电路T塑封TO・220型；引线一致的电路；塑封双列；P密封的混合电路；线性塑封双列直插；MCH P18塑封的混合电路；线塑料封双列直插；MHP P214集成存储器；参差引线塑封双列MCM PQ存储器系统（仅消费类器件）封装；MMS小引线双列封装SOIC与封装标志一起的尚有表示温度或性能的符号；C表示改良型的符号A缩写符号译名微功耗系统公司（美）MPS器件型号举例说明MP4136C Y器件编号分档和温度范围陶瓷及陶瓷浸渍双列；（线）MPS DR SOIC8首标（用文字和J、K、L商用/工业用N塑封双列及TO-92；SSOIC；数字表示）温度；Y14线陶瓷双列；LLCC；、、军用温度线陶瓷双列；；STU Z8GPGA封装；；J TO99Q QFP・封装；芯片或小片T TO52CHIP线塑封双列及；P8PLCC、、型封装KHM TCM00同时生产其它厂家相同型号的产品缩写字符译名日本电气公司NECJ日本电气公司美国电子公司〔美）NECE器件型号举例说明MP D7220DNEC首标系列器件编号封装混合元件；金属壳类似型封装；A ATO-5双极数字电路；陶瓷扁平封装；B B双极模拟电路；塑封双列；CC单极型数字电路陶瓷双列；DD塑封扁平；MOS oG塑封单列直插；H塑封类似型;J TO-92芯片载体；M立式的双列直插封装；0V塑料芯片载体；L陶瓷芯片载体；K陶瓷背的双列直插E缩写字符译名国家半导体公司（美）NSC器件型号举例说明LM101A F系列器件编号封装模拟对数字；（用、或位数字符号表示）玻璃/金属双列直插；AD345D模拟混合；表示以良小准的；玻璃/金属扁平；AH A1F模拟单片；表示商业用的温度范围AM CHTO-5TO〜99,TO-100,TO-46；CDCMOS数字；其中线性电路的1—、2—、3-J低温玻璃双列直插（黑陶瓷）；DA数字对模拟；表示三种温度，分别为KTO-3（钢的）；DM数字单片；-55〜125℃KCTO-3（铝的）；LF线性FET；-25-85℃N塑封双列直插；线性混合；℃（耐热的）；LH0-70o PTO-202D-40,线性单片；型功率双列直插；LM S*GS”线性低功耗；型;LP TTO-220线性；低温玻璃扁平封装（黑瓷扁平）；LMC CMOSW传感器；型；LX ZTO-92单片；陶瓷芯片载体；MM MOSE线性单片；塑料芯片载体；TBA QNMCMOS存储器M小引线封装；陶瓷芯片载体L该公司同时生产其它厂家相同型号的产品缩写字符译名菲利浦公司（荷兰）PHIN器件型号举例说明MA B8400-A-DP系列温度范围器件表示两层意义封装（用两位符号表示）没规定范围编号第一层表示改良型；（用两位符号表示）A数字电路用两第二层表示封装；第一位表示封装形式

1.B0-70符号区别系列C-55-125C圆壳；C圆壳封装；.单片电路用两陶瓷双列；双列直插；2D-25-70DD符号表示E〔-25〜85F扁平封装；E功率双列（带散热片）；。