提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径

本文由【中文文档库】搜集整理中文文档库免费提word www.wordwendang.com word供海量教学资料、行业资料、范文模板、应用文书、考试学习和社会经济等文档word“微纳电子技术年第期”20084专家论坛187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质器件与技术MEMS214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究显微测量微细加工技术与设备222-纳米光刻对准方法及其原理231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针235—维纳米结构的拉伸力学测试240-Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征^^^=======================187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径彭英才卜姚国晓马蕾】，王侠】2,3,（河北大学电子信息工程学院，河北保定；

1.071002中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京；

2.100083中国天威英利新能源有限公司，河北保定）

3.071051摘要多晶薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本Si低，被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料以提高多晶薄膜太Si阳电池转换效率为主线，介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计结构以增加光收集效率、p-1-n制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施；综述了近年来多晶薄膜电池在材料生长、结构制备5Si和性能参数方面取得的最新进展，并对其发展前景做了预测关键词多晶薄膜；大晶粒；氢钝化；结构；太阳电池；转换Si p-1-n效率纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟赵守磊，李惠军，吴胜龙，刘岩（山东大学孟盍微电子研发中心，济南）250100摘要基于通信系统中射频电路设计的特殊要求，对小尺寸（基区宽度低于）、超高频（特征频率高于）双极晶体管工艺制程100nm15GHz和器件的物理特性进行了模拟，为工艺线流片进行可行性研究该器件采用制程结构实现，在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型BiCMOS进行详尽分析的基础上，实现了该器件工艺级（）及器Sentaurus Process件物理特性级（）的仿真，提出工艺及器件的一Sentaurus DeviceTCAD体化设计方案模拟结果表明，在高频指标参数下，所得值接17GHz0近于满足设计要求80,关键词小尺寸；双极器件；频率特性；工艺仿真；特性模拟198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模孙海定，江建军（华中科技大学电子科学与技术系，武汉）430074摘要以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理微观模拟与宏观建模相结合，着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和相结合对上述各种物理现象进行数值Matlab模拟，同时对单电子晶体管进行宏观电路等效，用一些常用元器件进行宏观建模采用强大的模拟集成电路软件进行分析模拟，大大减Hspice少了计算及仿真时间通过分析比较，两者曲线得到了较好的吻合，直观地反映了单电子晶体管的电学特性，为进一步研究复杂系统提供了理论依据关键词单电子晶体管；单电子隧穿；库仑阻塞；库仑台阶；蒙特卡罗；Hspice纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜刘佳宇，朱开宇，王文辕（河北理工大学信息学院，河北唐山）063000摘要利用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜对平面薄膜进行短时间弱酸腐蚀，可以获得绒面效果的ZnO ZnO透明导电薄膜分析了工作气压和衬底温度对薄膜绒面结构的影响，获得了适合薄膜太阳能电池的绒面透明导电薄膜ZnO当压力控制在左右，衬底温度℃范围内沉积的薄膜具有

1.92Pa150~170最佳的绒面和较低的电阻率，电阻率可达载流子浓度

5.57x10-4Cem,

2.2x1020cm3,霍尔迁移率

40.1cm2/Vs在可见光范围平均透过率超过85%关键词中频脉冲溅射；绒面ZnO；透明导电膜；腐蚀；结构209-Bi2（D3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质廖学红，王小佳（黄冈师范学院化学系，湖北黄冈）438000摘要以硝酸钺和硫酸钛为原料，通过直接投料微波辐射水解合成法制备了掺钺纳米复合物，并用、进行了表征结果表明，TiCh XRDTEM直接投料摩尔比为110掺钺TiCh纳米复合物，经500℃热处理后晶型为锐钛矿型，粒径为以催化降解甲基橙来考察其光催化活性，6~10nm结果表明所制备的纳米复合物是一个好的催化剂研究了的掺杂量、Bi3+热处理温度、催化剂用量对掺钺纳米复合物光催化性能的影响当TiCh催化剂用量为时，的甲基橙溶液在紫外光辐射后，降lg/L2mg/L30min解率达到该复合物对甲基橙溶液的光催化降解符合一级动力学方97%程关键词掺杂；二氧化钛；纳米复合物；微波合成；光催化Bi3+器件与技术MEMS214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展欧阳炜霞，张永华，王超，郭兴龙，赖宗声（华东师范大学微电子电路与系统研究所，上海）200241摘要:基于技术的滤波器是现行结构中一个关键的器MEMS RFMEMS件与传统的采用金属矩形或圆柱波导以及半导体元件制作的滤波器相比，滤波器具有低损耗、高隔离度、线性好、体积小、易于集成MEMS等优点对利用技术制作的滤波器做了分类总结，综述了近几年MEMS滤波器的研究进展，包括硅体微加工滤波器、传输线型滤MEMS LIGA波器和基于开关/电容实现的可调滤波器指出可调滤波器的开MEMS发适应微波、毫米波波段的多频段、宽带无线通信系统的迫切需要，具有重要的现实意义关键词技术；硅体微加工；技术；微波滤波器；可调滤MEMS LIGA波器219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究吕树海，杨拥军，徐淑静，徐爱东，徐永青（中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄）050051摘要介绍了一种基于热流原理的新型三轴热对流加速度传感器，MEMS它没有活动质量，无需多个器件组合就可以进行任意方向的加速度信号测量分析了该器件的工作原理，设计了器件结构，进行了工艺开发，加工出了原理样机测试表明该器件实现了三个轴向的加速度信号的检测性能，验证了新原理的可行性；测量量程达到分辨率达到±2g,Img,抗冲击能力达到具备了良好的性能10000g,关键词微电子机械系统；三轴；对流场；加速度；传感器显微、测量、微细加工技术与设备222-纳米光刻对准方法及其原理周绍林卜唐小萍胡松马平陈旺富卜杨勇卜严伟2,I II2,2,I（中国科学院光电技术研究所，成都；

1.610209中国科学院研究生院，北京）

2.100039摘要对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用节点以下的光45nm刻技术如纳米压印等，对相应的对准技术提出了更高的要求对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类，为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向经过分析，从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度，而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响因此，基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景关键词纳米光刻；对准技术；掩模与硅片；标记；对准精度231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针杨修文祝生祥胡毅I2,（员邸日师范高等专科学校物理系，湖北丹江口；

1.442700同济大学固体物理研究所，上海）

2.Pohl200092摘要通过改变温度，用腐蚀的方法制备出用于近场光学显微镜的光纤探针通过控制光纤在不同温度的腐蚀液中腐蚀的时间，制备出多种形貌的光纤探针，所制作探针的锥形过渡区短而锥角大该法具有重复性高、探针形貌可控、操作方便、实验费用低廉、制备的探针表面光滑等优点，利用该方法成功地制备出针尖尺寸、针尖锥角在50〜300nm40可调的光纤探针将制备的探针用于扫描全息光栅（线）〜74500/mm,结果在范围内扫描有个周期，与全息光栅的标定结果相符40nlm20关键词纳米光纤探针；近场光学；显微镜；腐蚀法；温度235—维纳米结构的拉伸力学测试金钦华卜王跃林卜李铁2,2,2（上海交通大学微纳科学技术研究院，上海；

1.

200030.中国科学院微系统与信息技术研究所，上海）2200050摘要:对一维纳米结构开展轴向拉伸测试时，面临着样品制备、装载、拉伸、样品的轴向应力与应变的高精度测量等难点，解决途径包括改造现代显微仪器、研制力学测试芯片及发展一维纳米样品的制备与装MEMS载技术从实验使用的测试仪器及拉伸方式出发，将目前发表的一维纳米拉伸实验分为基于探针、和电子束辐照开展的拉伸实验，并对MEMS各种实验方法进行了比较发现基于的拉伸实验由于其对测试仪MEMS器的改造小、花费少、且通过设计制作不同测试功能的芯片可实现多样测试，是更有发展前景的测试技术关键词一维纳米结构；轴向拉伸实验；纳米力学；微机电系统力学测试芯片；原位测试240-Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征张敬尧，李玉国，崔传文，张月甫，卓博世（山东师范大学物理与电子科学学院，济南）250014摘要分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积（CVD）、电泳沉积法制备GaN薄膜利用扫描电镜（SEM）、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较射频磁控溅射方法中，把中间层沉淀SiC到衬底上，目的是为了缓冲由外延层和衬底的晶格失配造成Si GaN Si的应力结果证实了中间层提高了薄膜的质量热壁化学气SiC GaN相沉积法制备晶体膜时，选择作反应气体兼载体,有利于GaN H2GaN膜的形成电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的多晶薄膜GaN结果表明溅射法制备的薄膜结晶效果好;法制备时薄膜GaN CVDGaN应用范围广；电泳沉积法操作方便、简单易行关键词薄膜；基；溅射；化学气相沉积；电泳沉积GaNSi。