2025芯片行业射频芯片动态

2025芯片行业射频芯片动态前言射频芯片——连接物理世界与数字时代的神经末梢在数字经济加速渗透的今天，射频芯片（Radio FrequencyIntegratedCircuit,RFIC）正扮演着越来越关键的角色作为通信设备与无线信号之间的桥梁，它将电信号与电磁波相互转换，支撑着从智能手机到物联网、从汽车电子到卫星通信的全场景连接2025年，随着5G-Advanced商用部署进入深水区、6G研发加速推进、新兴应用场景爆发式增长，射频芯片行业正站在技术迭代与市场重构的关键节点本文将从技术突破、市场需求、产业链格局、挑战与机遇四个维度，全面剖析2025年射频芯片行业的动态特征，为行业从业者提供兼具深度与温度的观察视角

一、技术发展动态从性能边界突破到集成化革命射频芯片技术的演进始终与通信制式升级、应用场景需求紧密绑定2025年，5G-Advanced的规模化商用与6G的预研深化，正推动射频芯片在性能、功耗、集成度上实现多维度突破，同时新材料与新结构的探索也在重构技术路径

1.15G-Advanced驱动频段扩展与性能指标再攀高峰5G-Advanced作为5G的升级版，在2023-2025年进入商用落地阶段，其核心目标是通过频段扩展、多频段融合与新型多接入技术，进一步提升通信速率、降低时延并增强可靠性这一过程直接对射频芯片的性能提出了更高要求

1.

1.1频段覆盖范围向全频段延伸5G-Advanced引入了更广的工作频段，除传统的Sub-6GHz（

3.5GHz-

4.2GHz）和毫米波（

24.25GHz-

52.6GHz）外，还新增了中高第1页共14页频段（如26GHz-28GHz、39GHz-43GHz）和超高频段（66GHz-71GHz），以满足不同场景的覆盖需求例如，在城市广覆盖场景中，Sub-6GHz频段需支持更宽的带宽（300MHz以上）；而在高速移动场景（如高铁、无人机）中，毫米波频段需通过波束赋形技术减少信号衰减这使得射频芯片需同时兼容多频段信号的收发，对前端模块的集成度和切换效率提出挑战以功率放大器（PA）为例，传统单频段PA仅需针对特定频段优化，而5G-Advanced的多频段融合要求PA具备频段自适应能力2025年主流PA厂商已推出多频段集成PA芯片，通过在单一芯片中集成多个频段的功率放大单元，结合智能调谐技术，可将频段切换时间从传统的微秒级降至纳秒级，满足高速移动场景的实时通信需求据行业调研数据，2025年支持5G-Advanced的多频段PA芯片出货量占比将超过60%，成为市场主流

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1.2线性度与效率的双提升5G-Advanced引入了更高阶的调制方式（如256QAM、1024QAM）和更大的带宽，导致信号峰值与均值功率比（PAPR）增大，对射频前端的线性度提出更高要求若线性度不足，信号会产生失真，导致误码率上升、通信速率下降同时，5G基站的能耗控制要求PA具备更高的功率附加效率（PAE），以降低运营商的运营成本2025年，射频芯片厂商通过两种技术路径解决这一矛盾一是采用新型线性化技术，如数字预失真（DPD）与智能功率控制（APC）的结合，通过实时监测信号失真并动态调整功率放大参数，在保持高线性度的同时提升效率；二是优化功率放大器的拓扑结构，如采用Doherty放大器与F类放大器的混合架构，在28nm/14nm先进制程上实现PAE从传统的30%-40%提升至50%以上例如，Qorvo推出的5G第2页共14页Massive MIMOPA芯片，在28nm工艺下实现了

3.5GHz频段PAE55%、1W输出功率的性能，较2020年提升约20%

1.26G预研深化太赫兹频段与空天地海一体化通信6G作为下一代通信技术，其愿景是实现空天地海全域覆盖、智能泛在连接，而射频芯片是支撑这一愿景的核心技术之一2025年，6G研发进入关键期，太赫兹频段（

0.3THz-10THz）的研究与验证成为重点，这要求射频芯片在频段、功耗、集成度上实现颠覆性突破

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2.1太赫兹频段从实验室走向原型机太赫兹频段具有带宽大（可达100GHz以上）、传输速率高（理论上100Gbps以上）的优势，是6G实现空天地一体化通信的关键但太赫兹波在传播中面临三大挑战大气衰减严重（尤其是降雨时衰减可达dB/km级）、天线尺寸小（波长仅为毫米波的1/10，约

0.1mm-1mm）、信号处理复杂度高（需在THz频段实现调制解调与信号放大）2025年，多家企业与研究机构在太赫兹射频芯片上取得进展材料层面美国加州理工学院开发出基于氧化镓（GaO）的THz振荡器，工作频率达2THz，功耗仅为传统硅基振荡器的1/5；芯片层面台积电与东京大学合作，在22nm SOI（绝缘体上硅）工艺上实现了

1.5THz的低噪声放大器（LNA），增益达18dB，噪声系数（NF）

1.5dB，满足太赫兹通信的接收端需求；集成层面三星电子展示了THz频段的SiP模块，集成了振荡器、混频器、功率放大器，体积仅为传统模块的1/10，为6G小型化终端奠定基础第3页共14页尽管太赫兹芯片尚未实现商用，但2025年已进入原型机阶段，预计2030年前将完成商用化验证

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2.2空天地海一体化多场景射频技术融合6G的全域覆盖需求要求射频芯片具备跨场景适配能力，例如卫星通信、无人机通信、水下通信等特殊场景这推动射频芯片向多模态集成方向发展卫星通信与地面通信融合低轨卫星（LEO）星座（如Starlink、OneWeb）的终端需支持Ku/Ka频段通信，同时兼容地面5G-Advanced频段2025年，Qorvo推出的卫星-地面双模PA芯片，通过可重构天线调谐技术，实现Ku频段（12GHz-18GHz）与Sub-6GHz频段的无缝切换，满足空天地一体化终端需求；水下通信水下电磁波衰减严重，需采用声波与电磁波融合的通信方式2025年，华为海思与哈尔滨工程大学合作开发的水下射频芯片，集成了低频（30kHz-300kHz）声波发射器与高频（

2.4GHz）电磁波收发器，实现了100米水深的双向数据传输，速率达10Mbps

1.3集成化与小型化从分离元件到系统级集成随着终端设备（如智能手机、可穿戴设备）向轻薄化、小型化发展，射频前端模块（FEM）的集成度成为技术竞争的焦点2025年，SiP（系统级封装）技术成为主流，通过多芯片集成与异质集成，将传统分离的PA、LNA、开关、双工器等元件集成到单一模块中，实现体积、成本与性能的平衡

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3.1SiP集成度突破从单芯片集成到多芯片异构集成2025年，主流FEM的SiP集成度已从2020年的2-3芯片集成提升至5-8芯片集成例如，Qorvo的X-GaN SiP模块集成了2个GaNPA、3个LNA、2个开关和1个双工器，尺寸仅为10mm×10mm，较传统第4页共14页分离模块缩小40%，同时支持5G-Advanced毫米波频段的高功率输出更值得关注的是异质集成技术，即通过不同工艺（如Si、GaAs、SiC）的芯片在同一封装中集成，实现性能与成本的最优例如，台积电与Qorvo合作开发的Si+GaAs异质集成FEM，将Si基LNA（低成本、低功耗）与GaAs基PA（高效率、高功率）集成，在28nmSi工艺上实现LNA噪声系数

0.5dB，在GaAs工艺上实现PAE50%，兼顾了成本与性能

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3.2天线与射频的一体化设计为进一步缩小终端尺寸，2025年射频芯片开始与天线集成，形成天线-射频一体化模块例如，苹果在iPhone16系列中采用ChipAntenna技术，将射频前端芯片与内置天线集成到同一PCB板，通过软件算法优化信号传输路径，使天线效率提升15%，同时节省30%的内部空间国内厂商卓胜微也推出了集成陶瓷天线的SiP模块，适用于智能手表等小型可穿戴设备，天线尺寸缩小至5mm×5mm，满足产品轻薄化需求

二、市场需求与应用场景从消费电子主导到全领域渗透射频芯片的市场需求不仅受通信技术驱动，更与下游应用场景的扩展密切相关2025年，智能手机与物联网的需求依然稳健增长，而汽车电子、卫星通信、工业物联网等新兴场景正成为新的增长引擎，推动射频芯片市场规模持续扩张

2.1智能手机折叠屏与AI功能催生高端化需求智能手机仍是射频芯片最大的应用市场，2025年全球智能手机出货量预计稳定在11亿部左右（IDC数据），其中折叠屏手机占比将达第5页共14页15%，AI功能（如AI摄影、AI语音助手）的普及则推动射频芯片性能升级

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1.1折叠屏手机多频段与高可靠性需求折叠屏手机的铰链结构导致内部空间复杂，且屏幕折叠处易产生信号干扰，对射频芯片的抗干扰能力与多频段适配性提出更高要求2025年，主流折叠屏手机（如三星Galaxy ZFold

6、华为Mate X6）采用多天线+智能调谐方案在机身两侧设置4-6根天线，通过射频开关动态切换信号路径，避免折叠时的信号遮挡这使得单台折叠屏手机的射频前端成本较传统直板机高30%-50%，达20-30美元国内厂商卓胜微针对折叠屏手机推出的FEM模块，集成了6个频段的PA、4个LNA和3个开关，通过在PCB板上采用柔性天线设计，实现了-100dBm的接收灵敏度，满足折叠状态下的通信稳定性

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1.2AI功能与射频的深度融合智能手机的AI功能（如AI降噪、AI场景识别）依赖射频芯片提供高精度的信号质量2025年，华为海思、高通等厂商在射频芯片中集成AI处理单元（APU），通过实时分析信号强度、干扰情况，动态调整射频参数例如，华为Mate60系列的射频芯片内置128位AI加速器，可对5G信号进行智能滤波，将AI降噪效果提升25%，语音通话清晰度提升至面对面水平

2.2物联网低功耗与广覆盖驱动泛在连接物联网（IoT）的万物互联愿景正逐步落地，2025年全球物联网连接数将突破750亿（GSMA数据），其中低功耗广域网（LPWAN）、智能家居、工业传感器是主要应用场景，对射频芯片的低功耗、低成本、小型化要求尤为突出

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2.1LPWAN从单一场景到多协议融合第6页共14页LPWAN技术（如LoRa、NB-IoT、Sigfox）凭借低功耗、广覆盖的优势，在智能表计、环境监测、资产追踪等领域广泛应用2025年，LPWAN射频芯片呈现多协议融合趋势，即单一芯片支持多种协议（如LoRa+NB-IoT），降低终端厂商的研发成本例如，Semtech推出的SX1268芯片，集成LoRa与NB-IoT双协议，功耗仅为5μA（待机状态），可支持10年以上的电池续航，适用于智能水表、燃气表等设备国内厂商亿联通信的YL680芯片则通过优化射频前端的LNA设计，将接收灵敏度提升至-148dBm，覆盖半径扩大至10公里，满足城市级广覆盖需求

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2.2智能家居与可穿戴设备小型化与低成本竞争智能家居设备（如智能门锁、温湿度传感器）和可穿戴设备（如智能手表、手环）的出货量在2025年将突破15亿台，推动射频芯片向极致小型化与低成本发展2025年，主流厂商通过SiP技术将射频芯片与MCU集成，形成RF+MCU一体化芯片，尺寸缩小至2mm×2mm，成本降至1-2美元例如，意法半导体的STM32WLE5芯片，集成

2.4GHz射频与ARMCortex-M0+MCU，功耗仅为

8.5mA（工作状态），支持蓝牙

5.4与Thread协议，适用于智能门锁；小米生态链的米家温湿度传感器则采用TI的CC1352P芯片，通过

0.13mm工艺实现单芯片集成，成本控制在

0.8美元以内，成为行业标杆

2.3汽车电子ADAS与V2X重构高可靠性需求汽车电子是射频芯片增长最快的新兴市场，2025年全球汽车射频芯片市场规模预计达120亿美元（CINNO数据），其中ADAS（高级驾驶辅助系统）与V2X（车与万物互联）是核心驱动力

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3.1ADAS毫米波雷达与通信融合第7页共14页ADAS依赖毫米波雷达（77GHz-81GHz）实现环境感知，2025年L2+级以上自动驾驶汽车渗透率将达35%，推动77GHz雷达芯片需求激增与消费电子射频芯片不同，车规级雷达芯片需满足-40℃至125℃的宽温工作环境、高可靠性（MTBF10^9小时）及低功耗（待机功耗100mW）2025年，恩智浦的MRD10芯片采用GaAs工艺，集成4个通道的发射/接收单元，在77GHz-81GHz频段实现150m探测距离、1°角分辨率，满足L2+级ADAS需求；国内厂商地平线的征程6芯片集成毫米波雷达与视觉感知模块，通过雷达+AI融合算法，将误检率降低至

0.1%，达到车规级可靠性标准

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3.2V2X高带宽与抗干扰能力V2X（车辆与车辆、车辆与基础设施、车辆与行人通信）要求射频芯片支持高带宽（100Mbps以上）、低时延（10ms）及抗多径干扰能力2025年，C-V2X（基于蜂窝的V2X）成为主流，其射频芯片需支持Sub-6GHz频段（

3.5GHz-

4.2GHz）与5GHz频段（

5.8GHz-

5.9GHz），且具备动态跳频能力以避免干扰高通的QCB6125芯片是V2X的代表，支持C-V2X R16标准，通过4x4MIMO技术实现300Mbps峰值速率，抗干扰能力较传统4G提升40%，已被比亚迪、特斯拉等车企采用

2.4卫星通信低轨星座与空天地一体化的新机遇2025年，低轨卫星（LEO）星座（如Starlink、OneWeb、中国星网）加速部署，推动卫星通信终端需求爆发，为射频芯片带来新的市场增量

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4.1卫星物联网终端小型化与低成本需求第8页共14页卫星物联网终端（如手持终端、车载终端）需支持Ku/Ka频段通信，且体积小（如Starlink终端尺寸20cm×20cm）、成本低（目标终端价格100美元）2025年，Qorvo推出的QPF4210芯片，集成Ku频段（

12.75GHz-

18.1GHz）低噪声放大器与功率放大器，尺寸仅为5mm×5mm，支持1W输出功率，满足小型化终端需求；国内厂商华为海思的MH5000芯片则通过GaN-on-Si工艺降低成本，较传统GaAs工艺成本降低30%，为卫星物联网普及奠定基础

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4.2卫星与地面通信的无缝切换随着LEO星座覆盖范围扩大，卫星通信与地面5G网络的融合成为趋势，要求射频芯片具备卫星-地面双模能力2025年，苹果iPhone16系列首次支持卫星通信，采用高通的QTM527射频芯片，通过可重构天线与智能协议切换技术，实现卫星短信与5G网络的无缝切换，在无地面网络覆盖区域（如海洋、沙漠）也能保持通信连续性

三、产业链与竞争格局从全球分工到国产替代加速射频芯片产业链涵盖设计、制造、封测、材料与设备等环节，2025年产业链各环节呈现不同的发展特征设计环节IP与架构创新加速，制造环节先进制程与特色工艺并行，封测环节SiP与3D集成技术突破，国内厂商在政策支持下加速国产替代

3.1设计环节IP与架构创新驱动技术突破射频芯片设计的核心是IP（知识产权核）与架构创新，2025年主流厂商通过自研IP与跨学科融合，提升芯片性能与集成度

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1.1PA设计新材料与智能调谐技术功率放大器是射频芯片中技术壁垒最高的环节，2025年主流厂商在新材料与智能调谐技术上持续突破第9页共14页新材料应用Qorvo采用GaN-on-Si（硅基氮化镓）工艺，将PA的功率密度提升至2W/mm，较传统GaAs工艺提升50%；国内厂商唯捷创芯推出基于SiGe（硅锗）工艺的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）PA，在

2.4GHz频段实现28dBm输出功率，成本较GaN工艺降低40%；智能调谐架构华为海思开发的自适应阻抗匹配网络架构，通过集成MEMS可调电容，实现PA在不同频段下的阻抗匹配效率提升至98%，信号增益波动控制在±

0.5dB以内

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1.2集成架构从单一模块到多场景SoC射频芯片设计正从单一功能模块向多场景SoC演进，2025年主流厂商推出的集成芯片整合了通信、感知、定位等功能例如，联发科的MT6893SoC集成5G/6G射频、Wi-Fi

7、蓝牙

5.4及GNSS（全球导航卫星系统）模块，支持多模多频通信，在智能手机中实现一芯多用，降低终端功耗15%；国内厂商乐鑫信息的ESP32-H2芯片集成

2.4GHz/5GHz射频与Thread协议栈，适用于智能家居与工业控制场景，出货量在2025年预计突破1亿颗

3.2制造环节先进制程与特色工艺并行射频芯片制造依赖先进制程与特色工艺的结合，2025年台积电、三星等代工厂持续优化先进制程，同时中芯国际等国内厂商在特色工艺上实现突破

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2.1先进制程28nm/14nm成为主流，3nm进入验证台积电28nm/14nm FinFET工艺是当前射频芯片制造的主流选择，2025年采用该工艺的PA芯片占比达70%，其低功耗特性适合智能手机、物联网等终端场景例如，Qorvo的QPA5801PA芯片采用台积电第10页共14页14nm工艺，功耗较28nm工艺降低25%，在5G手机中实现续航提升

1.5小时3nm GAA（全环绕栅极）工艺在2025年进入商用验证阶段，三星与台积电均已完成3nm GAA工艺的射频芯片流片，目标是在2026年实现量产据台积电透露，3nm GAA工艺的射频性能较14nm提升30%，功耗降低40%，将主要用于6G原型机与高端卫星通信终端

3.

2.2特色工艺SiGe与GaAs仍是核心，SiP封装技术突破SiGe工艺（如130nm/180nm）凭借低成本与低功耗优势，在中低端射频芯片（如物联网、消费电子）中占主导，2025年市场份额达55%；GaAs工艺（如

0.25μm/

0.15μm）则在高功率、高线性度PA（如基站、卫星通信）中不可替代，市场份额约40%值得关注的是SiP封装技术的突破，2025年长电科技推出的3DSiP封装技术，通过TSV（硅通孔）实现芯片间垂直互联，将封装密度提升2倍，散热效率提升30%，已被华为、三星等厂商采用国内厂商通富微电的Chiplet SiP技术则通过多芯片异构集成，将射频芯片与电源管理芯片集成，在智能手机中实现模块尺寸缩小50%

3.3国内厂商政策驱动与技术突破并行在新基建与半导体自主可控政策推动下，2025年国内射频芯片厂商加速技术研发与市场拓展，国产替代进程显著加快

3.

3.1头部厂商技术突破卓胜微在手机FEM领域实现突破，推出集成5G/6G频段的PA模块，国内市场份额达18%（2025年Q1数据），客户包括小米、OPPO等；唯捷创芯聚焦中低端市场，推出NB-IoT/LoRa射频芯片，2025年出货量突破5亿颗，在国内LPWAN市场份额达25%；第11页共14页华为海思在高端射频芯片领域对标国际巨头，推出集成5GMassive MIMO的FEM芯片，已应用于华为Mate60系列手机，性能接近Qorvo、Avago等国际厂商水平

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3.2产业链协同与政策支持国内射频芯片产业链正形成设计-制造-封测协同发展的格局中芯国际14nm FinFET工艺量产支持国内PA设计公司；长电科技、通富微电的SiP封装技术满足集成需求；国内衬底厂商天岳先进的4英寸SiC衬底良率达90%，降低了国内PA厂商的材料成本政策层面，2025年国家大基金二期加大对射频芯片的投资，总金额超500亿元，重点支持国产替代项目

四、挑战与机遇技术壁垒与国产崛起的博弈2025年射频芯片行业在快速发展的同时，也面临技术瓶颈、供应链风险与市场竞争加剧等挑战，但国产替代与新兴应用场景的爆发也为行业带来新的发展机遇

4.1挑战技术壁垒与供应链安全的双重压力

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1.1核心技术与材料依赖进口射频芯片的核心技术与材料长期被国际巨头垄断高端PA设计依赖GaN-on-SiC衬底（全球90%由Wolfspeed、II-VI提供），先进制程EDA工具（如Cadence Virtuoso）由Synopsys、Cadence掌控，高端封装材料（如陶瓷基板）依赖日本厂商2025年，美国对中国射频芯片的出口限制（如出口管制清单新增5G/6G射频相关产品）进一步加剧了供应链风险，国内厂商在高端材料与EDA工具上的断供风险上升

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1.2技术研发投入大，回报周期长第12页共14页射频芯片研发需持续投入大量资金与人才一款成熟的PA芯片从设计到量产需2-3年，研发成本超1亿美元；6G太赫兹芯片的研发周期更长，需5-8年，且存在技术路线失败的风险2025年，国内中小射频芯片厂商的研发投入普遍不足5000万元，难以承担先进技术的研发成本，可能导致行业集中度提升，头部效应加剧

4.2机遇国产替代与新兴场景的增量空间

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2.1国产替代政策红利释放中国十四五规划明确将射频芯片列为重点发展的集成电路品类，地方政府（如上海、江苏、深圳）出台专项补贴政策对国产射频芯片的采购给予10%-20%的补贴，对研发投入超1亿元的企业给予税收减免2025年，国内手机厂商的射频芯片国产替代率已从2020年的5%提升至30%，预计2030年将突破50%，为国产厂商带来巨大市场空间

4.

2.2新兴应用场景的爆发式增长卫星通信、6G预研、工业物联网等新兴场景为射频芯片提供了增量市场据Gartner预测，2025年卫星物联网终端射频芯片市场规模将达25亿美元，年增速超35%；工业物联网射频芯片市场规模将达40亿美元，年增速超25%国内厂商可依托政策支持与本土市场优势，在这些新兴领域实现换道超车，例如华为海思已在卫星物联网芯片领域与航天科技集团达成合作，预计2025年推出商用产品结论在技术突破与市场重构中迈向射频强国2025年的射频芯片行业，正处于技术迭代与市场重构的关键期5G-Advanced驱动性能突破，6G预研开启太赫兹时代，新兴应用场景（汽车电子、卫星通信、工业物联网）持续释放需求技术上，集成化、小型化、多模态融合成为主流方向；市场上，国产替代加速，行第13页共14页业集中度提升；产业链上，国内设计-制造-封测协同发展，政策红利与技术突破形成合力尽管面临核心技术依赖、供应链风险等挑战，但中国射频芯片行业在2025年已展现出强劲的发展韧性从卓胜微、唯捷创芯等头部厂商的技术突破，到华为海思在高端领域的对标，再到政策对产业链的持续支持，国产替代不再是口号，而是切实的行动未来，随着技术的不断积累与市场的深度渗透，中国有望在2030年前成为全球射频芯片的重要参与者，推动射频技术从跟随向引领跨越，为数字经济的发展提供更坚实的神经末梢支撑射频芯片的竞争，不仅是技术的竞争，更是产业生态的竞争在这场全球博弈中，唯有坚持自主创新、开放合作，才能在2025年的动态变化中抓住机遇，实现从射频大国到射频强国的跨越第14页共14页。