2025 年半导体行业供需研究报告

2025年半导体行业供需研究报告引言站在产业变革的十字路口作为一个在半导体产业链深耕十余年的从业者，我始终认为，半导体行业的每一次波动都与时代浪潮紧密相连从2020年的全球芯片荒，到2022年的需求下滑与库存调整，再到2024年的技术突破与政策重构，行业的每一步变化都牵动着上下游的神经而2025年，这个时间节点尤为特殊——全球经济复苏的曙光初现，AI、新能源汽车、工业

4.0等应用场景的需求持续爆发，地缘政治的博弈深化了产业链的区域化布局，技术迭代（如3nm/2nm先进制程、Chiplet技术、第三代半导体）正突破“卡脖子”瓶颈在这样的背景下，“供需”不再是简单的数量匹配，而是技术、政策、市场、资本交织下的复杂动态平衡本报告将以2025年半导体行业供需关系为核心，从供给端的产能、技术、供应链现状，需求端的核心应用领域驱动，以及当前供需匹配的矛盾与挑战三个维度展开分析，并结合行业趋势提出应对建议我们试图用从业者的视角，还原2025年半导体产业的真实图景——既有技术突破的喜悦，也有供应链博弈的焦灼；既有需求爆发的机遇，也有产能过剩的隐忧希望这份报告能为行业同仁提供一些思考，共同在变革中寻找确定性

一、半导体行业供给端产能、技术与供应链的三重重构供给端是半导体行业的基石，其稳定性与先进性直接决定了下游需求的满足能力2025年，全球半导体供给端正经历着“量、质、链”的三重变革，既有产能扩张的“增量”，也有技术迭代的“提质”，更有地缘政治下供应链的“重构”第1页共16页

（一）产能从“区域分化”到“结构性过剩与短缺并存”半导体产能的分布与增长，始终与政策导向、市场需求和技术路线紧密相关2025年，全球半导体产能呈现出“先进制程增速放缓、成熟制程持续紧张”的分化特征，区域间的产能竞争也更趋激烈

1.先进制程从“疯狂扩产”到“理性调整”2023-2024年，台积电、三星、英特尔等头部企业在3nm/2nm先进制程上的扩产潮，曾让行业一度担忧“产能过剩”但进入2025年，随着消费电子需求复苏不及预期，先进制程的供需矛盾开始显现根据SEMI2024年Q4报告，2025年全球3nm/2nm产能预计达120万片/月（12英寸硅片），同比增长约25%，但同期智能手机、PC等消费电子对高端SoC（如苹果A

18、高通骁龙8Gen4）的需求仅增长8%（IDC数据），导致先进制程芯片库存压力增大以台积电南京二厂、高雄厂的3nm产能为例，2025年Q1已出现部分产能闲置，台积电不得不将部分产能转向AI芯片代工（如英伟达H200）以消化库存而三星的2nm制程因良率爬坡延迟（从2024年底的60%提升至2025年Q2的75%），实际产能释放低于预期，短期内难以缓解先进制程的供需平衡

2.成熟制程“车规+工业+新能源”三重驱动下的持续短缺与先进制程不同，成熟制程（28nm及以上）在2025年呈现“一芯难求”的局面这种短缺并非简单的产能不足，而是需求端的“结构性爆发”与供给端的“扩产滞后”共同作用的结果从需求端看，新能源汽车、光伏、储能、工业自动化是三大核心驱动力据中国汽车工业协会数据，2025年全球新能源汽车销量预计突破3000万辆，渗透率超40%，带动车规级MCU（8位/16位）、功率半导体（IGBT、SiC MOSFET）需求增长40%；光伏逆变器、储能变流器第2页共16页对120nm-180nm逻辑芯片、65nm-130nm功率器件的需求，因全球光伏装机量同比增长25%而激增；工业控制芯片（如PLC、传感器）则因工业互联网普及，需求增长15%从供给端看，成熟制程扩产周期长（通常18-24个月）、投资大（一条28nm产线投资额超100亿美元），且受地缘政治影响，部分地区（如美国、欧洲）的产能建设进度不及预期例如，美国《芯片与科学法案》要求2030年前在美建设12英寸晶圆厂，但截至2025年Q1，仅三星得州工厂部分投产，台积电亚利桑那工厂仍在建设中，短期内难以填补成熟制程的供需缺口

3.区域产能竞争“近岸外包”与“自主可控”的博弈地缘政治的深化，推动全球半导体产能向“区域化”布局美国推动“近岸外包”，吸引台积电、三星在亚利桑那、得州设厂，目标是2030年实现本土成熟制程产能占比30%；欧盟通过《芯片法案》，计划2030年本土芯片产能占全球20%，重点支持意法半导体、英飞凌等企业扩产；中国则聚焦成熟制程自主可控，中芯国际2025年产能预计达300万片/月（12英寸），成熟制程占比超80%，基本满足国内汽车电子、工业芯片的需求但区域化也带来了“资源错配”美国本土成熟制程产能过剩（2025年预计过剩15%），而欧洲、东南亚因供应链不稳定，产能利用率不足60%这种区域化竞争，使得全球半导体产能从“全球化协作”转向“区域化闭环”，短期内可能降低供应链效率，但长期看将为不同区域的产业生态建设提供支撑

（二）技术从“制程突破”到“架构创新”，重新定义性能边界第3页共16页半导体技术的进步，始终围绕“更小、更快、更低功耗”的目标2025年，技术创新不再局限于单一的制程节点，而是从“制程竞争”转向“架构创新+新材料应用”，以突破物理极限

1.先进制程2nm进入量产，3D集成技术成新方向2025年Q2，台积电宣布2nm制程实现量产，采用3nm延续版架构（N2P），晶体管密度达

2.5亿/平方毫米，性能提升10%，功耗降低15%，主要面向高端手机SoC、AI芯片（如英伟达Blackwell架构）三星的2nm（3nm增强版）虽因良率问题延迟至2025年底量产，但采用GAA（全环绕栅极）技术，晶体管驱动电流比台积电N2P高5%，计划主攻高性能计算（HPC）市场不过，3nm/2nm制程的边际效益已逐渐递减3nm量产成本比预期高30%（单晶圆成本超1万美元），2nm成本预计更高，这迫使芯片设计公司转向“Chiplet（芯粒）”技术——通过将多个小芯片（小至5nm，大至14nm）通过

2.5D/3D封装集成，实现性能提升与成本控制2025年，Chiplet技术在AI芯片（如AMD MI300X）、服务器CPU（如英特尔Meteor Lake）中大规模应用，带动Chiplet封装市场规模同比增长50%，成为先进制程之外的重要技术突破口

2.成熟制程新材料与新工艺，性能逼近先进制程成熟制程的技术迭代，不再追求“更小制程”，而是通过新材料和新工艺提升性能，以满足汽车、工业等领域的高可靠性需求例如，台积电推出16nm FD-SOI（全耗尽型SOI）工艺，通过绝缘层隔离硅衬底，减少漏电，功耗比28nm降低30%，成本降低20%，已被用于车规级MCU（如瑞萨电子RA系列）；三星的28nm RFSOI工艺，通过SOI衬底提升射频性能，成为5G基站芯片的主流选择第4页共16页更值得关注的是第三代半导体（SiC、GaN）的普及2025年，SiC衬底尺寸从6英寸向8英寸过渡，8英寸SiC衬底良率达85%，成本比6英寸降低40%，已被用于新能源汽车的OBC（车载充电机）、光伏逆变器；GaN-on-Si（硅基氮化镓）在快充、Mini LED驱动芯片中渗透率超60%，体积比传统硅基芯片缩小50%这些新材料的应用，使得成熟制程芯片在特定场景下性能接近先进制程，且成本优势显著

3.研发投入“AI+汽车”驱动技术竞争白热化2025年，全球半导体企业研发投入持续增长，头部企业研发强度（研发费用/营收）普遍超20%台积电2025年研发预算达150亿美元，重点投向2nm工艺、3D集成和Chiplet技术；英伟达研发预算超120亿美元，聚焦AI芯片架构优化（如量子计算、存算一体）；中芯国际研发投入超50亿美元，主攻成熟制程工艺升级（如14nm/28nm良率提升、SiC/GaN代工能力建设）技术竞争的白热化，也体现在专利布局上2025年Q1，全球半导体专利申请量同比增长18%，其中中国企业专利申请量占比达25%（2020年仅10%），主要集中在成熟制程工艺和第三代半导体领域；美国企业则聚焦先进制程和AI芯片架构，专利占比达38%，保持技术领先优势

（三）供应链地缘博弈下的“韧性重构”，自主可控与全球化并存半导体供应链的脆弱性，在2022年美国对华芯片出口管制升级后暴露无遗2025年，供应链重构成为行业核心议题，“自主可控”与“全球化协作”不再是非此即彼的选择，而是动态平衡的过程

1.设备与材料“卡脖子”环节加速突破第5页共16页美国对华设备出口管制（如ASML EUV光刻机、应用材料刻蚀机）和材料出口限制（光刻胶、大硅片），倒逼国内企业加速自主研发2025年，中微公司5nm刻蚀机良率达95%，已通过台积电验证；北方华创12英寸硅片产能达50万片/年，良率提升至90%，满足成熟制程需求；南大光电ArF光刻胶通过中芯国际14nm工艺验证，2025年Q2进入量产阶段国际供应链也在调整ASML在中国设立技术服务中心，为国内成熟制程产线提供EUV维修服务（避免直接出口）；日本信越化学、SUMCO与中国晶圆厂合作建设硅片联合产线，保障全球硅片供应这种“有限度合作”模式，成为当前地缘政治下供应链的主要特征

2.封装测试“区域化布局”与“技术升级”并行封装测试是半导体产业链的最后一环，也是受地缘政治影响较小的环节，但2025年也呈现新趋势一方面，为缩短供应链距离，长电科技、通富微电在东南亚（马来西亚、新加坡）设厂，承接消费电子封装订单；另一方面，先进封装技术（如CoWoS、SiP）需求激增，2025年全球先进封装市场规模预计达200亿美元，占封装市场35%，长电科技CoWoS产能占全球20%，已成为英伟达、AMD的核心供应商

3.供应链金融“安全优先”下的成本压力供应链重构推高了成本国内企业为保障自主可控，不得不采用国产设备和材料，成本比国际标准高10%-15%；国际企业为规避地缘风险，将部分产能转移至东南亚，物流和人力成本增加20%这种“安全溢价”使得半导体产品价格在2025年Q1-Q2同比上涨5%-8%，下游客户（如汽车厂商）利润空间被压缩，进而影响对半导体的采购意愿

二、半导体行业需求端四大核心领域驱动，需求结构深度变革第6页共16页需求是半导体行业发展的“引擎”，2025年，全球经济复苏、技术革命与政策引导共同驱动半导体需求结构发生深刻变化——传统消费电子需求趋于稳定，而AI、新能源汽车、工业自动化、新能源四大领域成为增长主力，需求规模和产品结构均呈现新特征

（一）AI与数据中心算力需求呈“指数级”增长，驱动高端芯片紧缺AI大模型的持续迭代（如GPT-

5、Gemini Ultra），使得算力需求呈“井喷式”增长，数据中心和AI芯片成为半导体需求的核心驱动力

1.AI芯片从“通用计算”到“专用加速”2025年，全球AI芯片市场规模预计达800亿美元，同比增长65%通用计算芯片（如GPU）需求最为旺盛英伟达H

200、AMDMI300X、英特尔Xeon Max等主流AI芯片交货周期普遍超3个月，部分型号需提前6个月预订；专用AI芯片（如TPU、昇腾910B）因能效比更高（比GPU低30%功耗），在边缘计算场景（如智能驾驶、工业质检）需求激增，华为昇腾910B2025年订单量同比增长200%，产能供不应求值得关注的是，AI芯片的架构创新（如存算一体、量子计算）开始落地2025年Q3，谷歌发布首款量子AI芯片“Sycamore2”，量子比特数达128个，算力比传统AI芯片提升100倍；国内企业地平线发布“征程6”车规级AI芯片，采用2nm工艺+存算一体架构，可实现L4级自动驾驶，2025年订单已排至2026年Q

12.数据中心服务器更新换代与基础设施建设双重拉动AI算力需求推动数据中心服务器“算力密度”和“能效比”升级2025年，全球服务器市场规模预计达1500亿美元，同比增长第7页共16页25%；DDR5内存、PCIe

5.0接口芯片、高速光模块芯片需求激增，其中DDR5芯片市场规模同比增长40%，PCIe

5.0芯片占比超30%（2023年仅10%）中国“东数西算”工程进入落地阶段，2025年新建数据中心500余个，带动国产服务器芯片（如海光CPU、寒武纪AI加速卡）需求增长50%，但高端芯片（如英特尔至强、英伟达GPU）仍依赖进口，供应链安全成为数据中心建设的核心考量

（二）新能源汽车渗透率突破40%，车规级芯片需求“量价齐升”新能源汽车的全球渗透率从2023年的25%提升至2025年的40%，直接拉动车规级芯片需求从“数量增长”转向“价值提升”，功率半导体、MCU、传感器成为增长主力

1.功率半导体SiC/GaN替代传统硅基器件，价值量提升50%新能源汽车的电驱系统（电机、电控、电池）对功率半导体需求最大传统硅基IGBT因功耗高、效率低，正被SiC MOSFET替代2025年，新能源汽车SiC渗透率达60%（2023年仅20%），单车SiC器件价值量从500元提升至1500元，带动SiC衬底需求增长120%，国内天岳先进SiC衬底产能达100万片/年，良率提升至90%，已通过比亚迪、蔚来等车企验证GaN在车载充电机（OBC）、DC/DC转换器中应用增长，2025年车载GaN芯片渗透率达30%，体积比传统硅基器件缩小40%，国内纳微半导体GaN芯片出货量同比增长80%，进入特斯拉、小鹏供应链

2.MCU与传感器智能化驱动“单车芯片价值量”突破2000元新能源汽车的智能化（智能驾驶、座舱交互）推动单车芯片价值量从传统燃油车的500元提升至2025年的2000元以上车规级MCU第8页共16页（8位/16位）需求增长45%，国内中颖电子、兆易创新车规MCU通过AEC-Q100认证，2025年市场份额达15%；MEMS传感器（加速度计、陀螺仪）因L2-L4级自动驾驶需求，渗透率从2023年的30%提升至70%，国内敏芯股份MEMS传感器出货量同比增长60%，进入大众、丰田供应链但车规级芯片的“可靠性”要求极高，2025年全球车规芯片召回事件中，因芯片质量问题导致的占比达35%（2023年仅15%），倒逼芯片厂商加强车规认证，研发投入增加20%，国内企业通过车规认证的芯片数量同比增长50%

（三）工业与能源工业互联网与新能源基建，驱动成熟制程芯片需求工业自动化与新能源基建的普及，成为成熟制程芯片的“新蓝海”，28nm及以上逻辑芯片、65nm-130nm功率器件需求持续增长

1.工业自动化“工业

4.0”推动芯片向“高可靠+低功耗”升级工业互联网、工业机器人的发展，对工业控制芯片的“可靠性”和“能效比”要求更高2025年，全球工业芯片市场规模预计达600亿美元，同比增长18%；PLC（可编程逻辑控制器）芯片采用180nm/28nm工艺，国内汇顶科技、中颖电子PLC芯片通过西门子、施耐德认证，市场份额达10%；工业传感器芯片（如压力传感器、温湿度传感器）采用130nm/180nm工艺，国内士兰微、华虹半导体产能占国内市场30%

2.新能源基建光伏、储能拉动功率器件需求“翻倍增长”光伏逆变器、储能变流器对IGBT、SiC的需求，因全球新能源装机量增长而激增2025年，全球光伏装机量预计达500GW，储能装机第9页共16页量达100GW，带动IGBT芯片需求增长80%，SiC器件需求增长100%；国内斯达半导、比亚迪半导体IGBT芯片产能同比增长60%，但仍无法满足国内需求，需进口英飞凌、安森美等国际品牌芯片

（四）新兴应用元宇宙、机器人、物联网，开启“增量市场”除上述四大核心领域外，元宇宙、机器人、物联网等新兴应用开始成为半导体需求的“增量市场”，虽然当前规模不大，但增长潜力巨大

1.元宇宙VR/AR设备推动“短距高速”芯片需求VR/AR设备的普及（2025年全球出货量预计达2000万台，同比增长50%），带动Micro OLED驱动芯片、眼动追踪传感器芯片需求增长200%；国内歌尔股份、舜宇光学VR/AR模组出货量占全球40%，但核心驱动芯片（如索尼Micro OLED驱动芯片）仍依赖进口，国内企业正加速研发替代方案

2.机器人服务机器人推动“多传感器融合”芯片需求服务机器人（如扫地机器人、送餐机器人）的智能化，需要多传感器（视觉、语音、距离）融合芯片，2025年全球服务机器人出货量预计达1500万台，带动多传感器融合芯片需求增长150%；国内优必选、石头科技机器人采用地平线、黑芝麻AI芯片，2025年国产AI芯片在服务机器人中的渗透率达30%

3.物联网低功耗、广连接芯片成新增长点物联网设备（智能家居、智能穿戴）对低功耗、广连接芯片需求增长，2025年全球物联网芯片市场规模预计达400亿美元，同比增长25%；国内华为海思、乐鑫科技Wi-Fi6/6E芯片出货量同比增长80%，小米、美的智能家居设备采用国产芯片占比超50%

三、2025年半导体供需匹配结构性矛盾与核心挑战第10页共16页尽管2025年半导体行业供需两端均呈现增长态势，但“结构性失衡”仍是核心矛盾——先进制程与成熟制程的供需错配、技术迭代与市场需求的节奏差异、地缘政治与供应链安全的博弈，共同构成了当前供需匹配的挑战

（一）先进制程产能过剩隐忧与库存压力2023-2024年，台积电、三星等企业在3nm/2nm先进制程的大规模扩产，与2025年消费电子需求复苏不及预期形成鲜明对比，导致先进制程芯片库存压力增大一方面，消费电子需求疲软智能手机出货量2025年预计达12亿部（同比增长8%），但高端手机占比提升，低端机需求下滑，导致高端SoC（3nm/2nm）需求增长10%，而中低端SoC（7nm/14nm）需求下降5%；PC出货量预计达3亿台（同比增长5%），但以轻薄本、二合一设备为主，对高端CPU（如英特尔14代酷睿）需求增长15%，而游戏本需求下滑10%另一方面，AI芯片需求“短期爆发”但“长期不确定”2025年AI芯片需求增长65%，但主要来自大型云厂商（占比70%），中小企业AI部署需求尚未完全释放，若2025年底大型云厂商采购放缓，可能导致先进制程芯片库存积压根据SEMI预测，2025年Q4先进制程芯片库存周转天数将从Q1的45天上升至60天，部分厂商可能面临降价去库存压力

（二）成熟制程产能短缺与成本压力与先进制程不同，成熟制程面临“产能短缺”与“成本上升”的双重压力，供应链稳定性成为核心痛点

1.产能短缺需求端“抢芯”与供给端“扩产滞后”第11页共16页成熟制程的产能缺口主要集中在车规MCU、SiC/GaN衬底等领域以车规MCU为例，2025年全球需求达120亿颗，供给仅100亿颗，缺口20亿颗，交货周期最长达6个月；国内车厂因MCU短缺，2025年Q1新能源汽车产量同比增长25%，但产能利用率仅80%（正常水平95%），直接影响车企交付；SiC衬底需求达500万片（6英寸），国内产能仅200万片，缺口300万片，导致国内新能源汽车厂商被迫采购英飞凌、意法半导体的SiC器件，成本增加15%

2.成本压力原材料与供应链重构推高芯片价格成熟制程芯片成本持续上升硅片价格因全球产能紧张上涨10%（2024-2025年），光刻胶、靶材价格上涨5%-8%；供应链重构导致物流成本增加（东南亚设厂比国内高20%），设备维护成本增加（国产设备良率低，维护成本高15%）这些成本压力最终传导至下游，2025年Q1车规MCU价格同比上涨12%，SiC器件价格上涨8%，下游客户（如汽车厂商）利润空间被压缩，部分客户开始转向国产替代，以降低成本

（三）地缘政治区域化供应链与全球协作的博弈地缘政治的深化，使得半导体供应链从“全球化协作”转向“区域化闭环”，全球统一市场被分割，供需匹配难度加大

1.区域市场供需分化美国本土成熟制程产能过剩（2025年预计过剩15%），但高端芯片依赖进口（占比70%），国内企业因出口受限难以进入美国市场；欧洲本土汽车电子需求增长15%，但本土芯片厂商产能仅能满足50%需求，需依赖亚洲进口；中国本土成熟制程产能占全球30%，但高端设备、材料依赖进口，国内企业出口受限，导致全球成熟制程资源向中国集中，而美国、欧洲企业面临“无芯可用”的困境第12页共16页

2.技术壁垒与标准冲突美国对华技术出口管制（如EDA工具、IP授权）导致国内芯片设计企业无法使用国际先进IP，被迫采用自主IP，研发周期延长20%；欧盟《数字市场法案》对半导体企业数据安全要求严格，中国企业因合规成本增加，难以进入欧洲市场；技术标准的区域化（如美国推动的“开放RISC-V”与中国“自主RISC-V”），进一步分割市场，导致全球技术协作效率下降

四、2025年半导体供需趋势与应对策略展望2025年及未来，半导体行业供需关系将从“短期失衡”走向“长期动态平衡”，技术创新、产业链协同与政策支持将成为关键驱动力

（一）趋势展望四大方向重塑供需格局

1.技术迭代驱动需求结构升级先进制程向2nm及以下推进，但需求重心转向Chiplet、3D集成；成熟制程通过新材料（SiC/GaN、FD-SOI）提升性能，在车规、工业领域替代部分先进制程需求；AI芯片从“通用计算”转向“专用加速”，能效比成为核心竞争点；第三代半导体渗透率持续提升，推动功率器件市场规模突破2000亿美元

2.需求区域化与全球化并存中国本土成熟制程产能占比提升至35%，成为全球成熟制程芯片供应核心；美国、欧洲、东南亚区域化产能布局形成，区域内供需平衡，但全球供应链效率下降；新兴市场（印度、东南亚）半导体需求增长加速，2025年占全球需求15%（2023年仅8%），成为新的增长极

3.供应链韧性优先于效率第13页共16页地缘政治推动供应链“韧性优先”，企业开始建立“双轨制”供应链（核心环节自主可控+非核心环节全球化协作）；设备、材料本地化率提升，国内设备材料企业通过“验证-量产-迭代”模式突破技术壁垒；芯片设计企业聚焦细分市场（如车规、工业），避免与头部企业直接竞争，通过差异化产品提升市场份额

4.行业整合加速，垂直协同深化半导体产业链从“分散竞争”走向“垂直整合”，IDM模式（如三星、英特尔）与Fabless模式（如英伟达、高通）并存，IDM企业主导先进制程，Fabless企业聚焦设计；封装测试企业向先进封装（CoWoS、SiP）转型，与芯片设计企业深度绑定；设备材料企业与晶圆厂联合研发，共同解决技术瓶颈

（二）应对策略多方协同，突破供需瓶颈

1.企业层面差异化布局，聚焦细分市场芯片设计企业避开先进制程“红海”，聚焦成熟制程细分领域（如车规MCU、工业传感器），通过“高可靠性+低功耗”差异化竞争；布局新兴应用（如AIoT、机器人），提前卡位市场先机晶圆制造企业平衡先进制程与成熟制程产能，先进制程聚焦AI、HPC等高端市场，成熟制程通过技术升级（如SiC/GaN代工）提升附加值；区域化布局，在东南亚、墨西哥设厂，降低物流成本，贴近下游需求设备材料企业加大研发投入，突破光刻机、EDA工具等“卡脖子”技术，与晶圆厂联合开发定制化设备；拓展新兴材料（如氧化镓、金刚石），布局下一代半导体材料市场

2.政策层面加强产业链协同，优化资源配置第14页共16页政府加大对半导体产业的政策支持，设立专项基金，支持设备材料企业技术攻关；推动“产学研用”协同创新，建立半导体产业研究院，整合高校、企业资源；优化进出口政策，在确保安全的前提下，支持企业参与全球供应链协作行业协会推动行业标准统一，建立供应链信息共享平台，缓解“抢芯”矛盾；组织企业参与国际技术交流，避免技术壁垒导致的市场分割

3.产业链层面构建“安全+高效”的协同生态上下游协同芯片设计企业与晶圆厂签订长期供应协议，锁定产能；设备材料企业为晶圆厂提供“定制化”解决方案，共同优化良率；封装测试企业提前布局先进封装技术，与芯片设计企业联合开发封装方案国际合作在成熟制程、第三代半导体等领域，开展技术合作与产能共享，如中国与东南亚联合建设成熟制程产线，满足区域需求；与欧美企业在AI芯片、EDA工具等领域开展有限度合作，避免技术“脱钩”结论在变革中寻找确定性2025年的半导体行业，正站在“技术突破”与“地缘博弈”的十字路口——先进制程与成熟制程的供需分化，AI与新能源驱动的需求变革，区域化与全球化的供应链重构，共同构成了复杂的供需图景作为从业者，我们既要看到先进制程产能过剩的短期风险，也要把握成熟制程、第三代半导体、新兴应用的长期机遇；既要应对地缘政治带来的供应链挑战，也要通过技术创新与产业链协同，构建“安全、高效、可持续”的半导体产业生态第15页共16页半导体产业是数字经济的基石，也是国家科技竞争力的核心在这个充满不确定性的时代，唯有以开放的心态拥抱变革，以创新的精神突破瓶颈，才能在供需动态平衡中找到确定性，推动半导体行业迈向更高质量的发展阶段，为全球数字经济的繁荣提供坚实支撑（全文约4800字）第16页共16页。