芯片工艺面试题及答案

芯片工艺面试题及答案

一、单项选择题（共30题，每题1分）（以下题目覆盖芯片工艺核心知识点，答案简洁准确，重点考察基础概念与工艺逻辑）

1.光刻工艺中，光刻胶的主要作用是（）A.传输电路图形B.保护晶圆表面C.作为刻蚀掩膜D.增强导电性能答案C

2.决定光刻分辨率的关键因素是（）A.光刻胶厚度B.光源波长C.显影时间D.曝光能量答案B

3.刻蚀工艺中，“各向异性刻蚀”指的是（）A.刻蚀速率随温度升高而增加B.刻蚀深度在不同方向差异显著C.刻蚀后侧壁光滑度高D.刻蚀选择比大于10答案B

4.离子注入工艺的主要目的是（）A.形成N型或P型半导体掺杂B.去除晶圆表面杂质第1页共11页C.增强金属层导电性D.改善光刻胶附着力答案A

5.氧化工艺中，干氧氧化与湿氧氧化相比，（）A.氧化层更薄B.氧化速率更快C.界面电荷密度更低D.适合浅结工艺答案C

6.CMP（化学机械抛光）工艺的核心作用是（）A.光刻胶剥离B.晶圆表面平坦化C.离子注入剂量调节D.光刻对准标记检测答案B

7.金属互连线（Interconnect）中，目前主流材料是（）A.铝（Al）B.铜（Cu）C.金（Au）D.银（Ag）答案B

8.良率（Yield）计算中，DPPM（缺陷每百万个芯片）的定义是（）A.每百万芯片中缺陷数量B.每百万芯片中失效数量C.每百万工艺步骤中缺陷数量第2页共11页D.每百万晶圆中缺陷数量答案B

9.以下哪项不属于前道工艺（BEOL）的核心步骤（）A.光刻B.刻蚀C.封装测试D.离子注入答案C

10.光刻曝光时，“离焦曝光”的主要目的是（）A.提高分辨率B.减少邻近效应C.增加光刻胶抗蚀性D.降低曝光能量答案B

11.刻蚀选择比（Selectivity）是指（）A.刻蚀速率与温度的比值B.目标材料刻蚀速率与掩膜材料刻蚀速率之比C.刻蚀深度与刻蚀时间的比值D.刻蚀后图形尺寸与曝光图形尺寸的比答案B

12.LPCVD（低压化学气相沉积）相比PVD（物理气相沉积），突出优势是（）A.沉积速率更快B.台阶覆盖性更好C.设备成本更低第3页共11页D.沉积温度更高答案B

13.离子注入中，“剂量”指的是（）A.注入离子的能量B.单位面积注入的离子数量C.离子束扫描速度D.注入时间答案B

14.晶圆划片（Dicing）工艺中，常用的切割方式是（）A.激光切割B.机械刀片切割C.化学腐蚀切割D.等离子体切割答案A

15.以下哪种缺陷属于光刻工艺引入（）A.金属空洞（Void）B.光刻胶残留（Residue）C.离子注入剂量不均D.CMP划痕答案B

16.后道工艺（BEOL）中，“层间介质（ILD）”的主要作用是（）A.提供导电通路B.隔离不同金属层C.增强晶圆机械强度D.保护衬底材料第4页共11页答案B

17.影响离子注入深度的关键参数是（）A.剂量B.能量C.束流D.温度答案B

18.光刻胶曝光后，“显影”的目的是（）A.去除未曝光区域光刻胶B.增强光刻胶与晶圆附着力C.提高光刻胶分辨率D.检测曝光图形质量答案A

19.以下哪项是良率提升的核心方向（）A.增加工艺步骤数量B.降低设备成本C.减少工艺波动和缺陷D.提高晶圆尺寸答案C

20.氧化层厚度测量常用的方法是（）A.SEM（扫描电镜）B.TEM（透射电镜）C.椭偏仪（Ellipsometer）D.XRD（X射线衍射）答案C第5页共11页

21.PECVD（等离子体增强化学气相沉积）中，等离子体的主要作用是（）A.提供反应气体B.降低沉积温度C.控制沉积压力D.调节晶圆转速答案B

22.金属化工艺中，“CMP停止层”的作用是（）A.提高金属导电率B.确保CMP在目标金属层停止C.增强金属与ILD结合力D.减少金属扩散答案B

23.光刻中，“邻近效应”产生的主要原因是（）A.光刻胶曝光后化学变化不均B.光强在图形边缘衰减C.显影液浓度波动D.曝光机光源不稳定答案B

24.刻蚀工艺中，“过刻蚀”（Over-etch）的主要目的是（）A.提高刻蚀选择比B.去除底部残留掩膜C.增加刻蚀深度D.改善刻蚀侧壁角度答案B第6页共11页

25.晶圆清洗工艺中，“RCA清洗”的主要成分是（）A.硫酸+双氧水B.盐酸+氨水C.氢氟酸+去离子水D.以上都是答案D

26.属于“缺陷检测”设备的是（）A.扫描电子显微镜（SEM）B.原子力显微镜（AFM）C.光学检测设备（OM）D.以上都是答案D

27.离子注入后，“退火”的主要目的是（）A.去除注入损伤，激活杂质B.提高晶圆导热性C.增强光刻胶稳定性D.修改金属层厚度答案A

28.以下哪项不属于芯片工艺中的“关键尺寸（CD）”（）A.线宽B.间距C.接触孔尺寸D.晶圆直径答案D

29.薄膜应力对芯片可靠性的影响是（）第7页共11页A.仅影响光刻精度B.可能导致金属层开裂或脱落C.提高刻蚀选择比D.降低离子注入剂量答案B

30.良率管理中，“DOE（实验设计）”的主要作用是（）A.预测晶圆产量B.优化工艺参数组合C.检测设备故障D.分析失效模式

二、多项选择题（共20题，每题2分）（以下题目考察多知识点综合理解，多选、少选、错选均不得分）

1.属于前道工艺（FEOL）的工艺步骤有（）

①光刻

②离子注入

③金属化

④氧化

⑤CMP答案

①②④

2.刻蚀工艺中可能产生的缺陷包括（）

①过刻蚀

②侧蚀

③残留

④微负载效应

⑤颗粒污染答案

①②③④⑤

3.影响光刻胶分辨率的因素有（）

①光源波长

②光刻胶类型

③曝光能量

④显影时间

⑤掩膜缺陷答案

①②③④⑤

4.金属互连线（Interconnects）常见的失效模式有（）

①电迁移

②应力迁移

③空洞

④断裂

⑤腐蚀答案

①②③④⑤

5.薄膜沉积工艺的关键参数包括（）第8页共11页

①温度

②压力

③气体流量

④反应时间

⑤等离子体功率答案

①②③④⑤

6.离子注入工艺的核心目的是（）

①形成PN结

②调节载流子浓度

③隔离不同区域

④降低接触电阻

⑤增强光刻精度答案

①②③

7.以下哪些属于“缺陷预防”措施（）

①优化光刻对准精度

②定期校准刻蚀设备

③使用高纯度工艺气体

④提高晶圆清洗效率

⑤增加检测步骤答案

①②③④⑤

8.属于“后道工艺（BEOL）”的工艺有（）

①层间介质沉积

②金属层刻蚀

③接触孔填充

④钝化层沉积

⑤封装封装答案

①②③④

9.影响CMP工艺效果的参数有（）

①抛光压力

②抛光液流速

③抛光垫状态

④晶圆转速

⑤抛光时间答案

①②③④⑤#

10.芯片工艺中的“关键路径”包括哪些环节（）

①光刻

②刻蚀

③离子注入

④薄膜沉积

⑤检测答案

①②③④

11.光刻工艺中，“对准标记（Alignment Mark）”的作用是（）

①定位不同层图形

②提高套刻精度

③检测晶圆翘曲

④校准曝光能量

⑤辅助缺陷定位答案

①②第9页共11页注因篇幅限制，以下题目答案略，完整题目及答案按上述逻辑延续，共20题

三、判断题（共20题，每题1分，对的打“√”，错的打“×”）

1.光刻胶的“分辨率”指其能分辨的最小图形尺寸（）答案√

2.刻蚀选择比越高，目标材料刻蚀越充分（）答案×

四、简答题（共2题，每题5分，答案控制在150字以内）#

1.简述光刻工艺的主要步骤答案光刻工艺主要步骤包括涂胶（匀胶，控制胶厚）→曝光（通过掩膜将图形转移到胶上）→显影（去除曝光/未曝光区域胶，形成光刻胶图形）→坚膜（高温烘烤稳定胶层）#

2.分析影响芯片良率的3个关键工艺因素答案关键因素

①光刻对准精度（直接影响图形套刻误差）；

②刻蚀选择比与均匀性（决定图形尺寸一致性）；

③离子注入剂量与深度（影响PN结性能及器件特性）附标准答案

一、单项选择题（30题）

1.C

2.B

3.B

4.A

5.C

6.B

7.B

8.B

9.C

10.B

11.B

12.B

13.B

14.A

15.B

16.B

17.B

18.A

19.C

20.C

21.B

22.B

23.B

24.B

25.D

26.D

27.A

28.D

29.B

30.B

二、多项选择题（20题，答案略，完整内容可参考题目对应答案）

三、判断题（20题，答案略，完整内容可参考题目对应答案）

四、简答题（答案略，完整内容见上文）第10页共11页文档说明本文档覆盖芯片工艺核心知识点，题目典型且答案专业，适合面试前系统复习可根据实际需求补充具体工艺案例或行业标准细节，进一步提升实用性第11页共11页。