碳化硅行业培训课件模板

碳化硅行业培训课件模板目录0102碳化硅简介与行业背景碳化硅材料特性与分类了解碳化硅的基本概念、战略意义及产业定位深入掌握物理化学特性、分类标准及多型体结构0304碳化硅单晶生长技术规范碳化硅加工工艺流程学习PVT法工艺原理、设备要求及质量控制体系掌握从晶锭切割到晶圆抛光的完整加工技术链05碳化硅复合材料及应用行业挑战与未来趋势探索复合材料制备方法及航空航天等领域应用第一章碳化硅简介与行业背景碳化硅作为第三代半导体的代表性材料，正在推动全球电子产业的技术革命本章将系统介绍碳化硅的基本概念、独特优势以及在国家战略中的重要地位，为后续深入学习奠定坚实基础碳化硅是什么？碳化硅（SiC）是一种由硅原子与碳原子以共价键结合形成的陶瓷化合物，化学式为SiC这种材料在自然界中以莫桑石矿物的形式存在，但天然储量极为稀少，工业应用的碳化硅几乎全部通过人工合成获得碳化硅俗称金刚砂，其硬度仅次于金刚石和立方氮化硼，莫氏硬度达到

9.5级这种超高硬度使其成为理想的磨料材料，同时也是高性能半导体器件的优质基底材料碳化硅具有卓越的耐高温性能，熔点高达2700℃，在极端环境下仍能保持稳定的物理化学性质碳化硅行业的战略意义国家战略层面产业应用价值人才培养方向碳化硅是第三代半导体的核心材料，直接碳化硅器件广泛应用于电动汽车的电驱系2026年培训班聚焦三大核心方向碳化硅关系到国家产业自主可控和科技安全在统、充电桩，5G通信基站的射频器件，光材料制备技术、功率器件设计与制造、以当前国际形势下，掌握碳化硅技术对保障伏逆变器，以及航空航天领域的高温电子及封装测试工艺培训体系覆盖从基础材产业链供应链安全具有重要意义，是实现设备这些应用领域代表着未来产业发展料到终端应用的完整产业链，旨在培养具高端制造业突破的关键环节的主要方向，市场规模巨大且增长迅速备系统思维和实战能力的高端技术人才碳化硅晶体结构碳化硅的晶体结构呈现出独特的四面体配位形式，硅原子与碳原子以sp³杂化轨道相连，形成高度对称的三维网络结构这种紧密的原子排列赋予了碳化硅极高的键能和热稳定性，是其卓越性能的微观基础第二章碳化硅材料特性与分类碳化硅的优异性能源于其独特的晶体结构和化学键合特性本章将详细阐述碳化硅的物理化学特性、分类标准以及不同多型体的结构特点，帮助学员深入理解材料性能与应用之间的内在联系碳化硅的物理与化学特性10×15×3×介电击穿场强击穿电压导热性能相比硅材料提升10倍，达到3MV/cm，使器件击穿电压是硅的15倍，显著提高器件的耐压能力热导率提升3倍，达到

4.9W/cm·K，优异的散能承受更高电压和可靠性热性能延长器件寿命高温工作能力高功率密度碳化硅器件的工作温度可达400℃，远超硅基器件的150℃上限这一碳化硅材料支持高电流密度运行，功率密度可达硅器件的数倍这意味特性使其能够在高温环境下稳定运行，减少冷却系统需求，降低系统复着在相同功率输出下，碳化硅器件的体积可以大幅缩小，实现系统的小杂度和成本在航空航天、深井钻探等极端环境应用中具有不可替代的型化和轻量化，特别适合对空间和重量有严格要求的应用场景优势碳化硅的分类黑碳化硅绿碳化硅含SiC约95%-98%，呈黑色或深灰色，韧性较高，多用于磨料和耐火含SiC98%以上，呈绿色，纯度高、硬度大、脆性强，主要用于精密磨材料晶体结构相对不规则，含有较多杂质，但成本较低，适合工业级削和半导体领域晶体结构完整，电学性能优异，是制造高端功率器件应用的首选材料质量分级标准等级SiC含量主要杂质应用领域特级品≥

98.5%游离Si

0.3%半导体器件一级品95-98%SiO₂

1.5%精密磨料二级品90-95%金属杂质较多普通磨料杂质控制是碳化硅质量的关键指标主要杂质包括游离硅、二氧化硅以及铁、铝等金属杂质这些杂质会影响材料的电学性能和机械强度，必须通过精确的工艺控制将其降至最低水平碳化硅多型体碳化硅具有超过200种多型体结构，这是由于硅碳四面体在不同堆垛顺序下形成的晶型差异不同多型体在电学性能、热学性能和机械性能上存在显著差异，直接影响器件的应用特性6H-SiC4H-SiC15R-SiC六方晶系，具有较大的禁带宽度四方晶系，禁带宽度

3.26eV，是目前菱方晶系，十五层重复结构，禁带宽度（

3.0eV），早期功率器件的主要材商用碳化硅器件的主流材料堆垛序列约

3.0eV结构复杂，生长控制难度料堆垛序列为ABCACB的六层重复结为ABCB的四层重复，电子迁移率高，大，主要用于特殊研究领域，商业化程构，电子迁移率适中，适合中低频应适合高频高功率应用，综合性能最优度较低用晶向籽晶的选择决定了单晶生长的方向和最终晶型通过精确控制籽晶的晶向和生长条件，可以定向生长出所需的多型体，这是碳化硅单晶制备的核心技术之一第三章碳化硅单晶生长技术规范（PVT法）物理气相传输法（PVT）是目前碳化硅单晶生长的主流技术本章将详细介绍PVT法的工艺原理、设备要求以及质量控制体系，这些内容是碳化硅材料制备的核心知识，也是产业化生产的技术基础法工艺原理PVT物理气相传输法（Physical VaporTransport）是在2300℃以上的超高温环境下进行的碳化硅原料粉末在高温区发生升华分解，生成Si、Si₂C、SiC₂等多种气相组分这些气相物质在温度梯度的驱动下，从高温区向低温区的籽晶表面迁移当气相成分到达籽晶表面时，由于温度降低而重新结晶，逐层沉积形成单晶整个过程需要精确控制温度场分布、压力条件以及原料与籽晶的相对位置，任何参数的偏差都可能导致晶体质量下降或生长失败温度梯度是控制生长速率和晶体质量的关键参数合理的温度梯度能够保证稳定的气相传输和均匀的结晶过程，过大的梯度会导致生长速率过快、晶体缺陷增多，过小则影响生产效率设备要求温度控制系统1温控精度必须达到±1℃，采用多区独立加热和PID闭环控制，实时监测并调节各加热区功率温度均匀性直接影响晶体的组分均匀性和结构完整性，是设备性能的核心指标真空系统2工作真空度需保持在≤5×10⁻⁵Pa，配备高效分子泵和机械泵组合超高真空环境能够减少杂质气体对晶体生长的干扰，防止氧化和污染，确保晶体的高纯度坩埚材料3采用高纯度等静压石墨坩埚，纯度≥

99.995%石墨材料需具备优异的高温稳定性和化学惰性，能够承受2300℃以上的工作温度而不发生变形或与碳化硅发生化学反应气体纯化系统4保护气体（氩气）纯度≥

99.999%，流量控制精度±1sccm高纯气体能够提供稳定的生长气氛，防止杂质引入精确的流量控制确保生长环境的一致性和可重复性质量控制与安全环保温度梯度调节实时监控系统环保处理温度梯度范围控制在30℃/cm至60℃/cm采用多点热电偶和光学高温计监测温度场，严格执行废气废水处理规范，生长过程产生之间通过调节加热功率分布和热屏结构优数据采集频率≥1Hz控制系统根据实时数据的含硅气体经过碱液喷淋吸收处理，冷却水化温度场，不同尺寸和晶型的晶体需要不同自动调节加热功率，确保温度稳定性，减少循环使用防止有害物质排放，符合环保法的优化梯度人为干预规要求安全提示碳化硅晶体生长涉及超高温和真空环境,操作人员必须经过专业培训,严格遵守安全操作规程设备维护时必须完全冷却并泄压,防止高温烫伤和真空系统突然泄漏造成的安全事故PVT单晶生长炉结构典型的PVT生长炉由加热系统、真空腔体、坩埚组件、温控系统和气体管路组成加热系统采用感应加热或电阻加热方式,坩埚置于保温筒内以维持稳定的温度场籽晶固定在坩埚顶部的石墨支架上,原料粉末装填在坩埚底部整个装置密封在水冷真空腔体内,通过精密的温度和压力控制实现晶体的可控生长第四章碳化硅加工工艺流程碳化硅从晶锭到成品晶圆需要经过一系列精密加工工序本章将系统介绍碳化硅的发展历程、完整的加工流程以及各关键工序的技术要点,帮助学员全面掌握碳化硅晶圆制备的工艺技术碳化硅发展简史1893年1980年代美国科学家艾奇逊（E.G.Acheson）获得碳化硅制碳化硅单晶生长技术取得突破，PVT法逐步成熟，为备专利，标志着人工合成碳化硅技术的诞生，开启了半导体级碳化硅材料的规模化生产铺平了道路碳化硅的工业化应用时代12341949年现代中国成功制备出碳化硅材料，打破技术封锁，为我国大型电阻炉功率达到30000KW，6英寸及8英寸晶圆磨料磨具工业和后来的半导体产业发展奠定了基础实现批量生产，生产效率和良品率大幅提升，成本持续下降，推动碳化硅器件的商业化应用加工流程概览原料配比与冶炼按精确比例混合高纯度硅粉和碳粉，在电阻炉中2300℃高温下反应生成碳化硅晶锭晶锭切割采用多线锊技术将圆柱形晶锭切割成薄片状晶圆，控制厚度和表面质量晶圆抛光通过机械抛光和化学机械抛光工艺，获得原子级平整度的镜面表面表面处理与检测清洗、缺陷检测、电学性能测试，确保晶圆符合器件制造要求晶锭切割关键技术多线锯切割技术浆料技术对比多线锯是目前碳化硅晶锭切割的主流设备高强度钢线以50-100m/s性能指标油基浆料非油基浆料的速度高速运动，金刚石磨料浆料涂覆在钢线表面，通过磨料的微切削作用实现材料去除切割效率高中关键控制参数包括表面质量优良•线速度影响切割效率和表面质量环保性差优•线张力保证钢线的刚度和稳定性•进给速度控制切割深度和翘曲度成本较高较低•浆料流量确保充分的磨料供应和散热切割后需严格控制晶圆的翘曲度（Bow）和总厚度变化（TTV），一般要求Bow30μm，TTV10μm，以满足后续工艺要求晶圆抛光技术双面抛光工艺单面抛光工艺晶圆固定在承载盘中，上下抛光盘同时对晶圆两面进行抛光适合对晶圆贴附在载板上，仅对一面进行精密抛光适合对表面粗糙度要求平行度要求高的应用，能够同时改善两个表面的平整度，提高加工效极高的器件面，能够获得原子级平整度（Ra

0.1nm）通常采用分率工艺参数包括抛光压力（200-500g/cm²）、转速（30-步抛光策略粗抛去除损伤层，精抛获得镜面质量60rpm）和抛光时间抛光材料系统碳化硅的超高硬度使其抛光极具挑战性抛光垫通常采用聚氨酯材料，具有适当的硬度和弹性金刚石浆料是核心磨料，粒径从10μm逐步降至

0.5μm甚至更小化学机械抛光（CMP）结合了机械磨削和化学腐蚀的双重作用抛光液中加入氧化剂（如H₂O₂）和络合剂，在抛光过程中与碳化硅表面发生化学反应，生成易于去除的氧化层，显著提高材料去除率并改善表面质量优化的CMP工艺能将表面粗糙度降至

0.2nm以下，满足高端器件制造需求第五章碳化硅复合材料及应用碳化硅复合材料通过引入增强相，能够显著改善基体的力学、热学和电学性能本章将介绍复合材料的主要制备方法、增强相类型以及在各领域的典型应用，展示碳化硅材料的广阔应用前景碳化硅复合材料制备方法化学气相沉积（CVD）溶胶-凝胶法机械合金化法在高温条件下，含硅和碳的气相前驱体（如通过有机硅化合物的水解缩聚反应制备溶利用高能球磨技术，在机械力作用下使硅粉甲基三氯硅烷）发生化学反应，在基体表面胶，干燥形成凝胶，再经高温热解转化为碳和碳粉发生固相反应生成碳化硅该方法设沉积碳化硅涂层CVD法能够制备高纯度、化硅该方法具有组分均匀、纯度高、可低备简单、成本低，适合大规模生产通过控高致密度的涂层，涂层厚度可精确控制从纳温制备等优点，适合制备纳米级碳化硅粉体制球磨参数可以调控产物的粒度、形貌和相米到毫米级，是制备高性能防护涂层和纤维和多孔材料，在催化剂载体和功能陶瓷领域组成，是制备碳化硅增强金属基复合材料的增强复合材料的重要方法应用广泛常用方法增强相类型碳纳米管增强陶瓷颗粒增强金属颗粒增强碳纳米管具有超高的长径比和优异的力学性能氧化铝、氧化锆等陶瓷颗粒能够增强碳化硅的耐金属颗粒（如钼、钨）的引入能够显著改善碳化添加到碳化硅基体中能够显著提升材料的断裂韧磨性和高温强度细小均匀分布的陶瓷颗粒可以硅的导热和导电性能金属相的塑性变形吸收能性（提升50-100%）和导电性能碳纳米管通钉扎晶界、阻止裂纹扩展复合材料在1200℃量，提高材料的韧性这类复合材料特别适合电过桥接裂纹、拔出消耗能量等增韧机制改善材料以上仍能保持高强度，抗氧化性能优异加热元件、电极材料等需要导电性的应用场合的脆性主要应用领域航空航天汽车工业碳化硅陶瓷基复合材料用于航空发动机高温部碳化硅颗粒增强铝基复合材料用于发动机气缸件，如涡轮叶片、燃烧室衬里，工作温度可达套、活塞等耐磨部件，减重30%的同时提高1400℃碳化硅反射镜用于空间望远镜，具耐磨性3-5倍碳化硅纤维增强复合材料用于有极低的热膨胀系数和优异的尺寸稳定性刹车盘，耐高温性能优异化工设备电子器件碳化硅陶瓷用于耐腐蚀反应器、换热器，在强碳化硅基板用于GaN基LED和射频器件，优酸强碱环境下稳定工作碳化硅多孔材料作为异的导热性提高器件可靠性碳化硅功率模块高温催化剂载体，比表面积大、化学稳定性封装材料，低热膨胀系数匹配芯片，减少热应好力航空发动机涡轮叶片应用碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料（SiC/SiC）正在革新航空发动机设计相比传统镍基高温合金，SiC/SiC复合材料密度降低三分之二，使用温度提高200-300℃在涡轮叶片等旋转部件应用中，轻质化带来的离心应力降低使发动机效率显著提升目前已在多型先进发动机中通过验证，展现出巨大的应用潜力第六章行业挑战与未来趋势碳化硅产业正处于快速发展期，机遇与挑战并存本章将分析当前行业面临的主要挑战，展望未来发展趋势，帮助学员把握产业脉络，为职业发展做好准备行业挑战12技术挑战供应链限制晶圆规格要求日益严格，8英寸及以上大尺寸晶圆的位错密度需降至高纯原料、关键设备部件依赖进口，供应链安全存在隐患石墨坩1000/cm²，表面微缺陷控制在10个/cm²以内制造工艺复杂度埚、籽晶等关键材料的国产化率低，加工设备的核心技术受制于人高，良品率提升困难，需要突破晶体生长、切割抛光等多个环节的技建立自主可控的产业链体系迫在眉睫术瓶颈34成本压力复合材料瓶颈碳化硅晶圆成本是硅晶圆的5-10倍，限制了市场渗透率长晶周期长制备工艺复杂，增强相的均匀分散和界面结合控制难度大材料韧性（7-10天）、良品率低（60%）、设备折旧高是主要成本来源降仍需提升，脆性断裂风险影响可靠性高性能复合材料的规模化生产低成本需要技术进步、规模化生产和供应链优化的协同推进技术尚不成熟，成本高昂限制了应用推广未来发展趋势大尺寸晶圆产业化200mm（8英寸）晶圆将成为主流，150mm（6英寸）产能持续扩张更大尺寸能够降低单位面积成本，提高芯片产出未来5年200mm晶圆市场份额有望超过50%，推动碳化硅器件成本快速下降工艺技术创新激光切割、超声辅助抛光等新技术将提高加工效率和质量低温结合技术、快速退火工艺优化器件性能人工智能辅助的工艺参数优化和缺陷识别将大幅提升良品率和生产效率绿色环保工艺开发低能耗生长技术，优化热场设计降低功耗30%以上无油基切割浆料、水基抛光液等环保材料替代传统工艺废弃物回收再利用技术，实现切割粉末和废浆的资源化处理，建立循环经济模式应用深度拓展新能源汽车800V高压平台普及，碳化硅功率模块需求爆发5G基站、数据中心电源管理芯片大量采用碳化硅器件物联网、工业互联网推动碳化硅传感器和射频器件市场增长光伏逆变器效率提升驱动碳化硅二极管和MOSFET需求培训总结与展望产业前景人才使命碳化硅作为第三代半导体的核心材料，在全球能源转型和数字化浪潮中产业发展的核心在于人才技术创新需要深厚的理论基础和丰富的实践扮演关键角色市场研究显示，碳化硅功率器件市场规模将从2023年的经验，工艺优化需要敏锐的洞察力和系统的思维能力本次培训覆盖从20亿美元增长至2030年的超过100亿美元，年复合增长率超过30%材料制备到器件应用的全产业链知识体系，旨在培养具备国际视野和创新能力的高端技术人才中国是全球最大的新能源汽车市场和光伏装机市场，碳化硅产业发展具有得天独厚的应用需求优势随着国内企业在晶体生长、器件设计等环期待各位学员通过学习掌握碳化硅产业的核心技术，在实践中不断探索节不断突破，产业链自主可控程度持续提升，中国碳化硅产业正迎来黄创新，为推动中国碳化硅产业的高质量发展贡献力量让我们共同努金发展期力，在第三代半导体的赛道上实现技术突破和产业超越创新是引领发展的第一动力掌握核心技术是我们最大的命运——让我们在碳化硅技术领域书写创新篇章谢谢聆听欢迎提问与交流后续培训信息联系我们我们诚挚邀请您提出宝贵的问题和建我们将定期举办碳化硅技术进阶培训、培训咨询热线400-XXX-XXXX议，让我们共同探讨碳化硅技术的前沿产业论坛和技术研讨会关注我们的公电子邮箱training@sictech.com话题，分享行业经验与见解众号或访问官方网站获取最新培训计划官方网站www.sictech.com和行业动态期待与您的再次相遇！。